公开(公告)号：KR1020090014543A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：KR1020070078588

申请日：2007-08-06

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  정근희 ,  임승규 ,  박정갑

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/74 ,  B82Y40/00

Abstract: A method for forming high ordered aluminum anodizing oxidation holes and a method for forming magnetic recording media using the same are provided to form high ordered nano-holes regularly by controlling the formation position on the aluminium layer through a guide pattern. A method for forming high ordered aluminum anodizing oxidation holes comprises a step of selectively forming a guide pattern(14a) for guiding the forming position of anode oxidation holes formed during anode oxidation by selectively blocking aluminium area exposed on an aluminum layer(12), and a step of regularly forming a plurality of nano-holes in which alumina is formed on the outside surface by performing anode oxidation on the exposed aluminium area and controlling formation position of nano-hole(12b) according to the kind of the guide pattern masking the exposed aluminium area.

Abstract translation: 提供一种形成高阶铝阳极化氧化孔的方法以及使用其形成磁记录介质的方法，以通过引导图案控制铝层上的形成位置来规则地形成高有序纳米孔。 一种形成高阶铝阳极化氧化孔的方法，包括以下步骤：选择性地形成引导图案（14a），用于通过选择性地阻挡暴露在铝层（12）上的铝区域来引导在阳极氧化期间形成的阳极氧化孔的形成位置，以及 通过在露出的铝区域上进行阳极氧化，并且根据导电图案的种类来控制纳米孔（12b）的形成位置，从而在外表面上规则地形成多个纳米孔，其中在外表面上形成氧化铝， 暴露铝面积。

公开(公告)号：KR101434964B1

公开(公告)日：2014-08-29

申请号：KR1020130148443

申请日：2013-12-02

Applicant: 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이두현 ,  서수정 ,  정근희 ,  임승규 ,  손진승 ,  이병규

IPC: C25D11/04 ,  G11B5/86

Abstract: 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 개시된 양극 산화 알루미늄 템플릿은 알루미늄 막; 상기 알루미늄 막 위에 형성된 가이드 라인 패턴; 상기 알루미늄 막 위에 상기 가이드 라인 패턴을 따라 형성된 것으로, 복수의 나노홀을 이루는 다공성 산화 알루미늄;을 포함하는 것을 특징으로 하는 한다.
또한, 개시된 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법은 (가) 알루미늄 막을 교대 배치되는 제1영역과 제2영역으로 나누고, 상기 제1영역만을 1차 양극 산화 시키는 단계; (나) 상기 제1영역에 생성된 산화 알루미늄을 제거하는 단계; (다) 상기 알루미늄 막의 상기 제1영역 및 제2영역을 2차 양극 산화 시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 公开了一种阳极铝模板及其制造方法。 所公开的阳极铝模板包括铝膜; 在铝膜上形成的指导图案; 以及沿着引导线图案在铝膜上形成并构成多个纳米孔的多孔氧化铝。

公开(公告)号：KR1020140009944A

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：KR1020130148443

申请日：2013-12-02

Applicant: 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이두현 ,  서수정 ,  정근희 ,  임승규 ,  손진승 ,  이병규

IPC: C25D11/04 ,  G11B5/86

CPC classification number: G11B5/84 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017

Abstract: Disclosed are an anodized aluminum template with the high degree of order and a manufacturing method thereof. The disclosed anodized aluminum template includes an aluminum film; a guide line pattern formed on the aluminum film; and a porous aluminum oxide which is formed on the aluminum film along the guide line pattern and which forms a plurality of nanoholes. Furthermore, a manufacturing method of the anodized aluminum template includes (a) a step of dividing the aluminum film into first and second regions which are alternately arranged and primarily anodizing first regions only; (b) a step of removing the aluminum oxide formed on the first regions; (c) and a step of secondarily anodizing the first and second regions of the aluminum film.

Abstract translation: 公开了一种高度顺序的阳极氧化铝模板及其制造方法。 所公开的阳极氧化铝模板包括铝膜; 形成在铝膜上的引导线图案; 以及多孔氧化铝，其沿着引导线图案形成在铝膜上并形成多个纳米孔。 此外，阳极氧化铝模板的制造方法包括（a）将铝膜分割成交替排列的第一和第二区域，并且主要仅阳极化第一区域的步骤; （b）除去形成在第一区域上的氧化铝的步骤; （c）和对铝膜的第一和第二区域进行二次阳极氧化的步骤。

公开(公告)号：KR1020100136798A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：KR1020090055100

申请日：2009-06-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  장주희 ,  윤형철 ,  정근희 ,  이창형 ,  최우성 ,  박정갑

IPC: H01L21/32 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76838

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal wire using a selective anodizing process is provided to perform a selective anodizing process without high expensive equipment by using an oxidation layer made by oxidizing the surface of a metal substrate as a mask. CONSTITUTION: An oxidation film pattern with the same shape as a metal wire pattern is formed by oxidizing the surface of a metal substrate(S1). An insulation layer is formed by selectively anodizing the metal substrate using the oxidation film pattern as a mask(S2). The oxidation film pattern is removed(S3). A mask unit filled with the metal wire pattern is formed after anodizing the surface of the metal substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种使用选择性阳极氧化处理形成金属线的方法，通过使用通过氧化金属基底的表面作为掩模制成的氧化层，进行选择性阳极氧化处理而不需要昂贵的设备。 构成：通过氧化金属基材的表面（S1）形成与金属线图案相同形状的氧化膜图案。 通过使用氧化膜图案作为掩模选择性地阳极氧化金属基板来形成绝缘层（S2）。 除去氧化膜图案（S3）。 在阳极氧化金属基板的表面之后形成填充有金属线图案的掩模单元。

公开(公告)号：KR100964030B1

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：KR1020080036345

申请日：2008-04-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이호영 ,  서수정 ,  염광섭 ,  강치구 ,  정근희 ,  이용호

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 알루미늄 호일을 이용한 관통형 전극 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 관통형 전극 형성방법은, 기판에 일정패턴을 가지는 적어도 하나의 관통홀(through-hole)을 형성하는 단계와; 상기 기판의 일측 표면에 징케이트(zincate) 처리된 알루미늄 호일(foil)을 부착하여 시드(seed)층을 형성하는 단계와; 상기 시드층을 이용하여 상기 적어도 하나의 관통홀을 도전물질로 충진하여 관통형 전극을 형성하는 단계와; 상기 시드층을 제거하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 진공증착공정을 없애고 에칭공정만으로 공정을 수행할 수 있으며, 이를 통해 공정의 단순화 및 제조공정의 시간을 줄일 수 있어 전체 공정비용(제조비용)을 절감할 수 있다. 또한, 기존 스퍼터 방식의 시드를 사용할 경우 문제가 되었던 도금공정 초기에서의 기공(void) 생성을 억제하여 관통홀 전극의 충진율을 높혀 전기적 특성을 향상시키는 효과를 부수적으로 얻을 수 있다.
알루미늄, 징케이트, 관통형 전극, 에칭, 인터포저

公开(公告)号：KR100916771B1

公开(公告)日：2009-09-14

申请号：KR1020070101019

申请日：2007-10-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  김장현 ,  정근희 ,  장주희 ,  이용호 ,  김태성 ,  강치구

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 등에 관통형 전극을 형성하기 위한 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그 도금공정이 매우 짧은 시간 내에 진행될 수 있을 뿐만 아니라 기공율이 최소화된 관통형전극의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 관통형전극 형성방법은, 기판에 관통공을 형성시키는 관통공 형성단계; 상기 관통공의 내벽면에 원주방향으로 도전체재질의 측벽시드층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일면에 상기 관통공의 일단을 폐쇄하는 마감층을 형성하는 마감층 형성단계; 및 상기 측벽시드층으로부터 내경방향으로 도전체를 도금하여 성장시킴으로써 관통형 전극을 형성하는 관통형전극 형성단계를 포함한다.
기판, 배선, 접속, 관통형전극, 기공율, 시드층