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公开(公告)号：KR1020130124702A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020120048023
申请日：2012-05-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/194 , B44C1/227 , C08G77/04
Abstract: The present invention relates to a direct transferring method of graphene, more specifically the direct transferring method of the graphene which is synthesized on a catalyst metal on a substrate. The direct transferring method, as seen in a drawing 1, comprises the following steps: preparing the graphene synthesized on the catalyst metal (S10); coating a polymer on the substrate for transferring the graphene by spinning (S20); hardening the substrate with the polymer (S30); flipping the graphene on the catalyst metal, and attaching the surface with the graphene to the surface of the substrate with the polymer (S40); etching the catalyst metal for producing the graphene (S50); and washing and drying the substrate with the graphene (S60). [Reference numerals] (S10) Step of preparing the graphene synthesized on the catalyst metal;(S20) Step of coating a polymer on the substrate for transferring the graphene by spinning it;(S30) Step of hardening the polymer-coated substrate;(S40) Step of flipping the graphene on the catalyst metal, and attaching the surface with the graphene to the surface of the substrate with the polyme;(S50) Step of etching the catalyst metal for producing the graphene;(S60) Step of washing and drying the substrate with the graphene
Abstract translation: 本发明涉及石墨烯的直接转移方法，更具体地说，涉及在基板上的催化剂金属上合成的石墨烯的直接转移方法。 直接转印法如图1所示，包括以下步骤：制备在催化剂金属上合成的石墨烯（S10）; 在基材上涂覆聚合物以通过旋转转移石墨烯（S20）; 用聚合物硬化基材（S30）; 在催化剂金属上翻转石墨烯，并用石墨烯将表面与聚合物粘合到基材表面（S40）; 蚀刻用于制造石墨烯的催化剂金属（S50）; 并用石墨烯洗涤和干燥基材（S60）。 （S10）制备在催化剂金属上合成的石墨烯的步骤;（S20）通过纺丝将聚合物涂布在基板上以转印石墨烯的步骤;（S30）将聚合物涂布的基材硬化的步骤（ S40）将所述石墨烯翻转在所述催化剂金属上，并用所述聚合物将所述石墨烯的表面与所述基板表面贴合;（S50）蚀刻用于制造所述石墨烯的所述催化剂金属的工序;（S60） 用石墨烯干燥基板
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公开(公告)号：KR101252759B1
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020100061330
申请日：2010-06-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 교류 전원 제어 장치 및 방법이 개시된다. 개시된 교류 전원 제어 장치는 외부로부터 공급되는 교류 입력 전원을 초음파 장치로 인가하기 위한 교류 전원 제어 장치로서, 상기 교류 입력 전원의 파형을 검출하는 파형 검출부; 상기 검출된 파형과 기준 파형을 비교하는 파형 비교부; 및 상기 검출된 파형과 상기 기준 파형의 비교 결과에 기초하여 교류 전원을 상기 초음파 장치로 출력하는 전원 출력부를 포함하되, 상기 전원 출력부는 상기 검출된 파형과 상기 기준 파형이 일치하지 않는 경우, 상기 검출된 파형을 상기 기준 파형의 형태로 변환하고, 상기 변환된 파형을 갖는 상기 교류 전원을 상기 초음파 장치로 출력한다. 본 발명에 따른 교류 전원 제어 장치 및 방법은 초음파 장치로 일정하고 안정된 파형을 갖는 교류 전원을 출력할 수 있는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR101199471B1
公开(公告)日：2012-11-09
申请号：KR1020100118431
申请日：2010-11-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: B23K20/12
Abstract: 본 발명은 마찰교반 접합 시 접합부의 최고온도 및 피접합재의 냉각속도를 조절할 수 있는 마찰교반 접합장치 및 마찰교반 접합방법에 관한 것으로, 접합 시에는 접합부에 가해지는 열을 접촉 플레이트로 흡수하고 냉각기로 냉각시킴으로써 접합 시 최고온도를 낮추어 상변태가 일어나는 것을 막고, 접합 후에는 피접합재의 냉각속도를 조절함으로써 상변태가 일어날 수 있는 재료의 상변태를 조절하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020120000860A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：KR1020100061345
申请日：2010-06-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A circuit board assembly using an electrode bar laminating and a manufacturing method thereof are provided to minimize heat generation which is generated in the high density mounting process of the circuit boards by laminating more than two circuit boards into a multilayer at high density. CONSTITUTION: A circuit board assembly(200) includes more than two circuit boards(210, 220) and one or more electrode bars(230). A circuit or semiconductor chips(211, 221) are formed in each circuit board. The printed circuit board can be a printed circuit board with a printed circuit. Lateral electrodes(212, 222) are formed in the side of each circuit board. The lateral electrode is connected to the output terminal of the circuit or a semiconductor chip. The lateral electrode is formed in the four sides of each circuit board. The lateral electrode is used for electrically connecting two different circuit boards.
Abstract translation: 目的：提供使用电极棒层压的电路板组件及其制造方法，以通过将多于两个的电路板以高密度层压成多层，来最小化在电路板的高密度安装工艺中产生的发热。 构成：电路板组件（200）包括多于两个的电路板（210,220）和一个或多个电极棒（230）。 在每个电路板中形成电路或半导体芯片（211,221）。 印刷电路板可以是具有印刷电路的印刷电路板。 侧电极（212,222）形成在每个电路板的侧面。 横向电极连接到电路的输出端子或半导体芯片。 横向电极形成在每个电路板的四个侧面。 横向电极用于电连接两个不同的电路板。
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公开(公告)号：KR100896127B1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020070072652
申请日：2007-07-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/11 , H01L2224/13 , H01L2224/13155 , H01L2224/16 , H01L2924/15747 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 본 발명은 도금된 범프가 사용된 칩과 기판의 접합 성능을 개선시키기 위하여 칩, 기판 또는 칩과 기판 양측에 소정 두께 이하의 칩 또는 기판 접속용 솔더가 코팅된 범프를 형성하는 방법과, 상기와 같은 범프가 형성된 칩 또는 기판을 열 압착 방식으로 접합하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 상부 기판 또는 하부 기판 또는 상부 기판과 하부 기판 모두의 범프 상에 0.5 ㎛ 두께 이하의 주석 또는 주석합금 솔더를 코팅하여 솔더와 범프를 복합구조로 형성시킨 후, 천이 액상 확산 접합법을 사용하여 새로운 설비 투자 없이 기존의 접합 장치로도 고신뢰성 범프 간 직접 접합이 가능한 접합 방법을 제공한다.
플립칩, 범프, 솔더, 주석, 금속간 화합물, 천이 액상 확산 접합Abstract translation: 提供其中涂覆焊料的电镀凸块和使用其的倒装芯片接合方法，通过使用液体扩散接合方法直接接合凸块，从而降低制造成本并提高接合强度和信号传输能力。 导电薄膜（18）形成在基板（10）上。 除了形成凸点（14）的位置之外，在导电薄膜的上部形成光致抗蚀剂或干膜。 通过使用电镀或化学镀或溅射或蒸发，在导电薄膜上形成凸块。 通过使用电镀或无电镀或溅射或蒸发在凸块上形成小于0.5微米的焊料。 光致抗蚀剂或干膜的高度大于凸点的高度。 焊料由锡或锡合金制成，其熔点为450℃以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100871067B1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：KR1020070070499
申请日：2007-07-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: The bonding strength of the solder bump can be improved by extending the role of UBM without an additional process. A step is for forming the thin conductive film on the substrate. A step is for forming a photoresist or the dry film in the region except for the bump(14) on the thin conductive film. A step is for forming a bump on the thin conductive film by uisng the electro or electroless plating. A step is for removing photoresist or the dry film. A step is for forming the solder bump by forming the solder(16) on the bump. A step is for performing a reflow process to make the spheric solder bump.
Abstract translation: 通过在没有额外的工艺的情况下扩展UBM的作用，可以提高焊料凸点的结合强度。 在衬底上形成薄导电膜的步骤。 在除了薄导电膜上的凸起（14）之外的区域中形成光致抗蚀剂或干膜的步骤。 通过利用电化学镀或非化学镀来在薄导电膜上形成凸点的步骤。 步骤是去除光致抗蚀剂或干膜。 步骤是通过在凸块上形成焊料（16）来形成焊料凸块。 步骤是进行回流处理以制造球形焊料凸块。
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公开(公告)号：KR102221010B1
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：KR1020190172091
申请日：2019-12-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은초음파접합신뢰성평가장치및 방법에관한것으로서, 본발명에따른초음파접합신뢰성평가장치는상하로적층되는하부피접합재와상부피접합재의하부를지지하는지그; 상기상부피접합재의상측에배치되고, 하부피접합재와상부피접합재의접합부위에초음파접합을위한진동을제공하는초음파혼; 상기초음파혼의상측에서가압력을제공하여상기접합부위에미리설정된가압하중을제공하는가압부; 및상기상부피접합재와하부피접합재의초음파접합전,후의두께변화를측정하는측정부;를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101281949B1
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：KR1020110078897
申请日：2011-08-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 ENEPIG 표면 처리에 있어서 팔라듐 함유량에 따른 신뢰성의 변화에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 ENEPIG 표면 처리시 최적의 팔라듐 함유량에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 팔라듐의 함유량이 솔더 볼의 중량 대비 0.04wt% 이하인 경우에 최고의 신뢰성을 나타내었다.
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公开(公告)号：KR1020110097329A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100017124
申请日：2010-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 Pb를 포함하지 않으면서, 낮은 Ag 함량을 갖는 주석-은-세륨(Sn-Ag-Ce) 3원계 무연솔더합금 조성물에 관한 것으로서, 상기 3원계 무연솔더합금 조성물을 제공함으로써, 환경오염 등의 문제점을 근본적으로 해결하고, 합금의 고온 신뢰성을 향상시키며, Ag의 과다 사용에 따른 비용 증가 문제를 해결할 수 있으며, 제조가 용이하여 생산비용을 크게 절감할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090055880A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070122740
申请日：2007-11-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: A manufacturing method of open-celled metal hollow sphere is provided to connect inner wall and outer wall networks to pores formed within the copper base and circulate gas and liquid materials. A manufacturing method of open-celled metal hollow sphere comprises: a step for manufacturing slurry which is made of metal oxide powder, low melting point metal, solvent, and binder; a step for coating the manufactured slurry on the surface of a polymer ball or a paraffin ball; a step for evaporating solvent by drying the coated polymer ball or the coated paraffin ball; and a step for reducing metal oxide by heating the metal oxide under the hydrogen atmosphere. The low melting point metal is made of zinc and is added from 0.01 to 50 weight% based on the slurry total weight. The diameter of the metal oxide powder is 1/50 or less of the metal hollow sphere diameter. The solvent is made of water, alcohol or acetone.
Abstract translation: 提供开孔金属中空球的制造方法，将内壁和外壁网络连接到铜基底内形成的孔，并循环气体和液体材料。 开孔金属中空球的制造方法包括：制造由金属氧化物粉末，低熔点金属，溶剂和粘合剂构成的浆料的工序; 将制造的浆料涂布在聚合物球或石蜡球的表面上的步骤; 通过干燥涂覆的聚合物球或涂覆的石蜡球来蒸发溶剂的步骤; 以及通过在氢气氛下加热金属氧化物来还原金属氧化物的工序。 低熔点金属由锌制成，并且以浆料总重计为0.01〜50重量％。 金属氧化物粉末的直径为金属中空球体直径的1/50以下。 溶剂由水，酒精或丙酮制成。
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