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公开(公告)号：KR100954287B1
公开(公告)日：2010-04-23
申请号：KR1020080005252
申请日：2008-01-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전도성 카본 코팅장치 및 방법에 관한 것으로, 진공챔버와 피코팅제와 전원공급부를 구비한 전도성 카본 코팅장치에 있어서, 상기 진공챔버 내에서 서로 대향하여 배치되어 전도성 카본층을 합성하기 위한 제1 및 제2 타겟이 각각 장착된 제1 및 제2 마그네트론원, 피코팅재를 회전시켜 상기 제1 및 제2 타겟으로부터 방출된 타겟 재료에 의해 전도성 카본층이 상기 피코팅재 상에 합성되도록 하는 회전식 지그, 상기 전원공급부를 제어하여 상기 제1 및 제2 타겟에 동시 또는 어느 하나에만 직류 바이어스 전압이 공급되도록 제어함과 동시에 상기 회전식 지그에 직류 바이어스 전압이 공급되도록 제어하는 제어부 및 진공챔버내의 혼합된 반응 가스가 유입되도록 하고 혼합된 반응가스의 조성비율을 조절하는 반응가스 조절부를 포함하여 구성되며, 혼합가스 조성 비율, 플라즈마 변수제어, 나노구조 카본층의 도핑금속함량, 또는 바이어스 전압을 조절하여 전도성 특성이 우수한 나노 결정 구조 카본층을 형성하도록 한다.
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公开(公告)号：KR1020060118259A
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050040866
申请日：2005-05-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0018 , H01L21/0279 , H01L21/32136 , H01L51/56 , H01L2924/12044
Abstract: A method for etching a zinc oxide thin film using inductively coupled plasma is provided to improve productivity by processing selective etching for a zinc oxide thin film used as a transparent conductive electrode material based on the inductively coupled plasma. A method for etching a zinc oxide thin film using an inductively coupled plasma includes the steps of: preparing a substrate(28) on which a zinc oxide thin film or a metal-doped zinc oxide thin film is evaporated, and a photoresist for forming a pattern on the zinc oxide thin film is formed; installing the substrate on a side of a chamber which maintains a predetermined pressure; and providing a gas for forming a plasma in the chamber(10) by applying a first RF power to an inductive coil(24) installed on a position confronted with the substrate, and applying a second RF power to the substrate.
Abstract translation: 提供了使用电感耦合等离子体蚀刻氧化锌薄膜的方法，以通过对基于电感耦合等离子体的透明导电电极材料使用的氧化锌薄膜进行选择性蚀刻来提高生产率。 使用电感耦合等离子体蚀刻氧化锌薄膜的方法包括以下步骤：制备在其上蒸发氧化锌薄膜或金属掺杂的氧化锌薄膜的基板（28），以及用于形成 形成氧化锌薄膜上的图案; 将基板安装在保持预定压力的室的一侧上; 以及通过向安装在与所述基板相对的位置的感应线圈（24）施加第一RF功率并且向所述基板施加第二RF功率来提供用于在所述室（10）中形成等离子体的气体。
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公开(公告)号：KR101733658B1
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020160044160
申请日：2016-04-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 세포배양용전도성탄소필름, 및상기세포배양용전도성탄소필름을이용하는세포배양방법에관한것이다.
Abstract translation: 一种细胞培养用导电性碳膜，以及使用该导电性碳膜进行细胞培养的细胞培养方法。
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公开(公告)号：KR101529578B1
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020110004040
申请日：2011-01-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/205
Abstract: 본발명의일 측면에따른플라즈마기판처리장치는, 상기기판이수납되는챔버; 상기챔버의상부및 하부에서로나란하게각각배치된상부전극및 하부전극을포함하는주 전극; 상기주 전극사이에위치한가상의수평면을따라서서로나란하게배치된일자막대형상의제1 전극및 제2 전극을포함하는보조전극; 및상기주 전극및 상기보조전극에각각연결되어전력을공급하는주 전원및 보조전원을포함하는전력공급부를포함하고, 상기제1 전극과상기제2 전극사이의간격은상기기판의너비와같거나길게구비되고, 상기제1 전극및 상기제2 전극은상기하부전극보다상기상부전극과가까운위치에구비되며, 상기보조전원은상기주 전원에서공급되는전력의주파수보다높은극초단파영역주파수(UHF)의전력을공급한다.
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公开(公告)号：KR101306022B1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020110142117
申请日：2011-12-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 기능성 박막이 개시되며, 상기 기능성 박막은 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성되고, 가시광선 영역에서 투명 상태를 유지하는 산화물을 포함하는 투명 반도체층, 및 상기 투명 반도체층 상에 형성된 절연보호막을 포함하되, 상기 투명 반도체층의 면저항은 10MΩ/□ ~ 100MΩ/□이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130074195A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020110142117
申请日：2011-12-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01B5/14 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01B3/10
Abstract: PURPOSE: A functional film securing the transparency and a laminating method thereof are provided to be able to form a high definition transparent semiconductor layer at a low temperature by forming a transparent semiconductor layer through the sputtering method or the chemical vapor deposition method. CONSTITUTION: A transparent semiconductor layer (20) is formed on a transparent substrate (10) through the sputtering method or the chemical vapor deposition method. The transparent semiconductor layer includes oxides maintaining the transparent state in the visible light region. The resistance is controlled by conducting the n-type doping on the formed transparent semiconductor layer. An insulating protective layer (30) consisting of SiOx is formed on the transparent semiconductor layer. A fingerprint preventing film (40) is formed on the insulating protective layer. [Reference numerals] (10) Transparent substrate; (20) Transparent semiconductor layer; (30) Insulating protective layer; (40) Fingerprint preventing film
Abstract translation: 目的：提供一种确保透明度的功能膜及其层压方法，通过溅射法或化学气相沉积法形成透明半导体层，能够在低温下形成高分辨率透明半导体层。 构成：通过溅射法或化学气相沉积法在透明基板（10）上形成透明半导体层（20）。 透明半导体层包括在可见光区域保持透明状态的氧化物。 通过在形成的透明半导体层上进行n型掺杂来控制电阻。 在透明半导体层上形成由SiOx构成的绝缘保护层（30）。 在绝缘保护层上形成指纹防止膜（40）。 （附图标记）（10）透明基板; （20）透明半导体层; （30）绝缘保护层; （40）指纹防止膜
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公开(公告)号：KR1020120108254A
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020110025918
申请日：2011-03-23
Applicant: 주식회사 글라소울 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for forming an anti-fingerprinting film is provided to obtain a high contact angle by using a precursor including one of hexamethyldisilane, hexamethyldisilazane, and perfluorinated polyether. CONSTITUTION: A method for forming an anti-fingerprinting film comprises the steps of: mounting a substrate on a second electrode, supplying a precursor material including methyl group(CH3) or fluoro carbon group(CF3) with reactive gas to the inside of a chamber, applying power to a first electrode or the second electrode to create plasma between the first and second electrodes, and accelerating the plasma to deposit an anti-fingerprinting film on the surface of the substrate. [Reference numerals] (AA,CC,EE) Silicon oxide layer; (BB,DD,FF) Substrate; (GG) Plasma control
Abstract translation: 目的：提供一种形成防指纹膜的方法，通过使用包含六甲基二硅烷，六甲基二硅氮烷和全氟聚醚中的一种的前体来获得高接触角。 构成：形成防指纹膜的方法包括以下步骤：将基板安装在第二电极上，将包含甲基（CH 3）或氟碳基（CF 3））的前体材料与反应气体一起供应到室的内部 向第一电极或第二电极施加电力以在第一和第二电极之间产生等离子体，并且加速等离子体以在基板的表面上沉积防指纹膜。 （标号）（AA，CC，EE）氧化硅层; （BB，DD，FF）基材; （GG）等离子体对照
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公开(公告)号：KR1020090079347A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020080005252
申请日：2008-01-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: A device and a method for coating conductive carbon are provided to reduce the resistivity of the nano structure carbon by controlling the mole fraction of the mixing gas. A device for coating conductive carbon comprises: a first and a second magnetron circle having a first and a second target for synthesizing a conductive carbon layer on a material to be coated; a rotating jig rotating the coated material in the state where the direct current bias voltage is supplied from a power supply unit in order to synthesize the conductive carbon layer on the coated material with the target material emitted from the first and the second target; a control unit controlling the direct current bias voltage to be supplied to the rotating jig; and a reaction gas controlling unit controlling the mixed reaction gas to be flowed in into the vacuum chamber by controlling the reaction gas flow rate of the vacuum chamber.
Abstract translation: 提供一种用于涂覆导电碳的装置和方法，以通过控制混合气体的摩尔分数来降低纳米结构碳的电阻率。 一种用于涂覆导电碳的装置包括：具有第一和第二靶的第一和第二磁控管，用于在待涂覆的材料上合成导电碳层; 在从电源单元供给直流偏置电压的状态下旋转涂覆材料的旋转夹具，以便与从第一和第二靶材发射的靶材料合成涂覆材料上的导电碳层; 控制单元，控制供给到旋转夹具的直流偏置电压; 以及反应气体控制单元，其通过控制真空室的反应气体流量来控制要流入真空室的混合反应气体。
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公开(公告)号：KR1020080078115A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：KR1020070017716
申请日：2007-02-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05K3/00
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/20 , C23C14/562 , H01J37/3277 , H01J37/3405 , H05K1/028 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K2201/0317 , H05K2201/0338 , H05K2203/1476 , H05K2203/1545
Abstract: An apparatus and a method for manufacturing a stress-free flexible printed circuit board are provided to stack copper foils of predetermined thickness by removing stress of the copper foils only through a magnetron sputtering method. An apparatus for manufacturing a stress-free flexible printed circuit board includes a magnetron deposition source(70), a plurality of single magnetron deposition sources(10), and a plurality of dual magnetron deposition sources(20). The magnetron deposition source deposits a seed layer on a substrate(30). Each of the single magnetron deposition sources is arranged next to the magnetron deposition source and deposits a compressive stress thin film. Each of the dual magnetron deposition sources is arranged next to the single magnetron deposition source and deposits a tensile stress thin film. The substrate moves in front of the single magnetron deposition sources and the dual magnetron deposition sources. A plurality of pairs of single and dual magnetron deposition sources are alternately arranged to deposit the compressive stress thin films and the tensile stress thin films on the substrate sequentially.
Abstract translation: 提供一种用于制造无应力柔性印刷电路板的装置和方法，通过仅通过磁控溅射方法去除铜箔的应力来堆叠具有预定厚度的铜箔。 一种用于制造无应力柔性印刷电路板的装置包括磁控管沉积源（70），多个单个磁控管沉积源（10）和多个双重磁控管沉积源（20）。 磁控管沉积源将种子层沉积在基底（30）上。 每个单个磁控管沉积源设置在磁控管沉积源的旁边并沉积压应力薄膜。 每个双磁控管沉积源被布置在单个磁控管沉积源的旁边并且沉积拉伸应力薄膜。 衬底在单个磁控管沉积源和双重磁控管沉积源的前面移动。 交替布置多对单磁控管和双磁控管沉积源，以将压应力薄膜和拉伸应力薄膜依次沉积在基板上。
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公开(公告)号：KR100693080B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050040866
申请日：2005-05-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 디스플레이 등의 TCO(transparent conductive electrode) 소재로 이용 가능한 ZnO 박막 또는 금속이 도핑된 ZnO 박막의 식각 처리를 유도 결합 플라즈마 방법으로 처리할 수 있는 유도 결합형 플라즈마를 이용한 산화아연박막의 식각 방법에 관한 것이다.
본 발명은 일면에 ZnO 박막 또는 금속이 도핑된 ZnO 박막이 증착되고, 상기 ZnO 박막 위에 패턴 형성을 위한 포토레지스트가 형성된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판을 미리 설정된 압력이 유지되는 챔버의 일 측에 장착하는 단계; 및 상기 기판에 대향하는 위치에 설치된 유도 코일에 제 1RF 파워를 인가하고, 상기 기판에 제 2RF 파워를 인가하여, 상기 챔버에 플라즈마 형성을 위한 가스를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마를 이용한 산화아연박막의 식각 방법을 제공한다.
유도 결합형 플라즈마, ZnO, 박막, 식각
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