公开(公告)号：KR101471670B1

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：KR1020080068683

申请日：2008-07-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시모토스스무 ,  마츠바라히데키

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2009

Abstract: 본발명은공공(空孔)의배열을갖는포토닉결정구조를포함하는반도체레이저를제작하는방법으로서, 기판(W2)을성장로(13)에세트하여, 캐리어가스(질소)를흘리면서성장로(13)의온도를성장온도(T)까지상승시킨다. 이승온중에패턴형성된 InGaN층(17a)의개구(17b)가영향을받아, 개구(17b)에서의 AlGaN 성장및 이동이 AlGaN의표면에비해억제된다. 질화갈륨계반도체층(23)(예컨대 GaN층)을 InGaN층(17a) 상에형성한다. 질화갈륨계반도체층(AlGaN)(23)은개구(17b)에대응하는공공(25)을형성하도록성장한다. 이에따라, 이차원포토닉결정의이차원회절격자(26)가형성된다.

公开(公告)号：KR1020090129461A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：KR1020097020953

申请日：2008-01-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사이토히로히사 ,  마츠바라히데키

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/18 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014

Abstract: A photonic crystal laser (100) is provided with an n-type substrate (111), an n-type clad layer (112), an active layer (113), a p-type clad layer (116), a photonic crystal layer (115), a p-type electrode (118), an n-type electrode (119) and a mounting member (120). The n-type clad layer (112) is formed on a first surface (111a) of the n-type substrate (111). The active layer (113) is formed on the n-type clad layer (112). The p-type clad layer (116) is formed on the active layer (113). The photonic crystal layer (115) is formed between the n-type clad layer (112) and the active layer (113) or between the active layer (113) and the p-type clad layer (116), and includes a photonic crystal section (115a). The p-type electrode (118) is formed on the photonic crystal section (115a). The n-type electrode (119) is formed on a second surface (111b), and is composed of a light transmitting section (119a) arranged at a position facing the photonic crystal section (115a), and an outer circumference section (119b) having a light transmittance lower than that of the light transmitting section (119a).

Abstract translation: 光子晶体激光器（100）设置有n型衬底（111），n型覆盖层（112），有源层（113），p型覆盖层（116），光子晶体层 （115），p型电极（118），n型电极（119）和安装部件（120）。 n型覆盖层（112）形成在n型衬底（111）的第一表面（111a）上。 有源层（113）形成在n型覆层（112）上。 p型覆盖层（116）形成在有源层（113）上。 光子晶体层（115）形成在n型覆盖层（112）和有源层（113）之间或有源层（113）与p型覆盖层（116）之间，并且包括光子晶体 （115a）。 p型电极（118）形成在光子晶体部（115a）上。 n型电极（119）形成在第二面（111b）上，由配置在面向光子晶体部（115a）的位置的透光部（119a）和外周部（119b）构成， 透光率低于透光部（119a）的透光率。

公开(公告)号：KR101414911B1

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020097020953

申请日：2008-01-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사이토히로히사 ,  마츠바라히데키

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/18 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014

Abstract: 포토닉 결정 레이저(100)는 n형 기판(111)과 n형 클래드층(112)과 활성층(113)과 p형 클래드층(116)과 포토닉 결정층(115)과 p형 전극(118)과 n형 전극(119)과 실장 부재(120)를 포함하고 있다. n형 클래드층(112)은 n형 기판(111)의 제1 표면(111a) 위에 형성된다. 활성층(113)은 n형 클래드층(112) 위에 형성된다. p형 클래드층(116)은 활성층(113) 위에 형성된다. 포토닉 결정층(115)은 n형 클래드층(112)과 활성층(113) 사이, 또는 활성층(113)과 p형 클래드층(116) 사이에 형성되고, 포토닉 결정부(115a)를 포함한다. p형 전극(118)은 포토닉 결정부(115a) 위에 형성된다. n형 전극(119)은 제2 표면(111b) 위에 형성되고, 포토닉 결정부(115a)와 대향하는 위치에 배치된 광 투과부(119a)와, 광 투과부(119a)보다 광의 투과율이 낮은 외주부(119b)를 포함한다.
포토닉 결정 레이저

公开(公告)号：KR1020130098156A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020127029950

申请日：2011-11-10

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  세키유키 ,  우에마츠고지 ,  야마모토요시유키 ,  마츠바라히데키 ,  후지와라신스케 ,  요시무라마사시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 본 GaN계 막의 제조 방법은, 주면(11m)내의 열팽창계수가 GaN 결정의 a축 방향의 열팽창계수에 비교해서 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 단결정막(13)이 단결정막(13)의 주면(13m)에 수직인 축에 대하여 3회 대칭성을 갖는 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 복합 기판(10)에 있어서의 단결정막(13)의 주면(13m)상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정을 포함한다. 이로써, 주면의 면적이 크고 휘어짐이 작은 GaN계 막을 제조하는 것이 가능한 GaN계 막의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020090038028A

公开(公告)日：2009-04-17

申请号：KR1020097004358

申请日：2007-05-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마츠바라히데키 ,  사이토히로히사 ,  나카니시후미타케 ,  마츠카와신지

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/18369 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/173

Abstract: A method for manufacturing a surface emitting laser element (1) comprises a step of preparing conductive GaN composite region substrate including a high-dislocation density high-conductivity region (10a), a low-dislocation density high-conductivity region (10b), and low-dislocation density low-conductivity region (10c) as a conductive GaN substrate (10), a semiconductor layer multilayer-body fabricating step of fabricating III-V group compound semiconductor layer multilayer bodies (20) including a light-emitting layer (200) on the substrate, and an electrode forming step of forming a semiconductor-side electrode (15) and a substrate-side electrode (11). The method is characterized in that the semiconductor layer and the electrodes are so formed that the light-emitting region (200a) which is formed in the light-emitting layer (200) and into which carriers flows is in the upper portion of the low-dislocation density high-conductivity region (10b). Thus, a surface emitting laser element where light emission from the light-emitting region is uniform can be produced with high production yield.

Abstract translation: 一种制造表面发射激光器元件（1）的方法包括制备包括高位错密度高导电性区域（10a），低位错密度高导电性区域（10b）的导电性GaN复合区域基板的工序，以及 作为导电性GaN衬底（10）的低位错密度低导电区域（10c），制造包括发光层（200）的III-V族化合物半导体层多层体（20）的半导体层多层体制造工序 ）和形成半导体侧电极（15）和基板侧电极（11）的电极形成工序。 该方法的特征在于，形成半导体层和电极，使得形成在发光层（200）中并且载流子流入的发光区域（200a）位于低通滤波器的上部， 位错密度高导电区域（10b）。 因此，能够以高的制造成品生产发光区域的发光均匀的表面发射激光元件。