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公开(公告)号：KR100703843B1
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：KR1020040065201
申请日：2004-08-18
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01M10/05
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/133 , H01M10/0525 , H01M10/0565 , H01M10/0567
Abstract: 본 발명은 리튬이차전지용 비수전해액에 관한 것으로, 보다 상세하게는 0.8 내지 2 M의 리튬염 및 할로겐화 비닐렌카보네이트 0.1 내지 10중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 비수전해액에 관한 것이다.
상기 비수전해액은 음극 표면에 안정한 SEI를 형성함으로서 고온 및 상온에서 리튬이차전지의 수명특성을 향상시킨다.
비수전해액, 리튬이차전지, 할로겐화 비닐렌카보네이트-
公开(公告)号：KR1020060132070A
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：KR1020050052170
申请日：2005-06-17
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: Anti-reflective hardmask composition including aromatic ring-containing polymer is provided to exhibit excellent anti-reflection useful for short-wavelength lithography, endow optical and mechanical properties and etch selectivity, and confer coatable property using spin-on application by comprising the aromatic ring-containing polymer. The composition comprises: (a) 1-20wt.% of at least two aromatic ring-containing polymer containing a compound represented by the formula(1), wherein n ranges from 1 to 190, R1 and R2 are hydrogen or methyl group, R3 and R4 include hydrogen or reactive or chromophore member reacting with cross-linking component, and OH group is one of ortho-, meta- or para type, and another compound represented by the formula(2); (b) 0.1-5wt.% of cross-linking component; (c) 0.001-0.05wt.% of acid catalyst; and the balance of organic solvent or surfactant. The polymer represented by the formula(1) has weight average molecular weight ranging from 500 to 30,000.
Abstract translation: 提供包括含芳环聚合物的抗反射硬掩模组合物以表现出对短波长光刻有优异的抗反射性，具有光学和力学性能以及蚀刻选择性，并且通过使用旋涂应用赋予可涂覆性， 含聚合物。 该组合物包含：（a）1-20重量％的含有式（1）表示的化合物的至少两个含芳环的聚合物，其中n为1至190，R 1和R 2为氢或甲基，R 3 和R4包括与交联组分反应的氢或反应性或发色团成员，OH基是邻 - ，间 - 或对 - 型之一，以及由式（2）表示的另一种化合物。 （b）0.1-5重量％的交联组分; （c）0.001-0.05重量％的酸催化剂; 和有机溶剂或表面活性剂的平衡。 由式（1）表示的聚合物的重均分子量为500至30,000。
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公开(公告)号：KR100643631B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050106944
申请日：2005-11-09
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 슬러리에 중합금지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 정극에 관한 것이다. 본 발명에 따른 리튬이차전지용 정극의 구성에 의하면 정극을 제조할 때 발생할 수 있는 슬러리(Slurry)의 겔화(gelation)를 방지함으로써 정극의 접착성을 증가시켜 코팅성을 향상시키고, 코팅의 용이성 또한 향상킬 수 있다.
중합금지제, 리튬이차전지, 정극, 슬러리, 겔화-
公开(公告)号：KR100595361B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040056104
申请日：2004-07-19
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01M4/58
Abstract: 본 발명은 리튬 이차전지용 양극활물질, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지에 관한 것으로, 보다 상세히, Li
a Ni
1-vwxyz Mn
v Co
w M
x M'
y M"
z O
2 (상기식에서 M, M', M"은 Al, Mg, Sr, Ca, P, Pb, Y 및 Zr로 이루어진 군으로부터 선택되며, 0.9 ≤a≤1.05, 0.1 ≤v ≤0.4, 0.01≤w ≤0.2, 0≤x+y+z ≤0.05 이다.)로 나타내어지는 리튬-니켈 복합산화물로서, 비수계 전해질의 리튬 이차 전지용 양극활물질에 관한 것이다.
본 발명에 따른 양극활물질은 비수계 전해질의 리튬 이차 전지에 적용할 경우, 고온 열안정성이 높으므로 그 결과 전해액과의 반응성을 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 전지를 고온에 방치 했을 때 전지의 부풀림이 현저하게 감소한다.-
15.发明授权
公开(公告)号：KR101583225B1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020120158167
申请日：2012-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 열에의해분해될수 있는보호기로보호되어있는열염기발생제를포함하는실리카계절연층형성용조성물을제공한다. 상기실리카계절연층형성용조성물은고온에서산화반응에의해치밀한실리카글래스로전환되었을때, 기재의수축률및 실리카계절연층의수축률을감소시키고, 보관안정성을개선시킬수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140087644A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020120158167
申请日：2012-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01B3/46 , C08L83/08 , H01L21/02123
Abstract: Provided is a composition for forming a silica-based insulating layer which comprises a thermal base generator protected by a protective group decomposed by heat. The composition for forming a silica-based insulating layer reduces a shrinkage factor of a base material and reduces a shrinkage factor of the silica-base insulating layer, and improves the storage stability, when substituted to a dense silica glass by an oxidation reaction at a high temperature.
Abstract translation: 提供了一种用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，其包含由热分解的保护基保护的热碱发生体。 用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物降低了基材的收缩率并降低了二氧化硅基绝缘层的收缩率，并且当通过氧化反应代替致密二氧化硅玻璃时，提高了储存稳定性 高温。
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公开(公告)号：KR101354637B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020090134325
申请日：2009-12-30
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11
Abstract: 본 발명에서는 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위 10 내지 40 몰%를 포함하는 유기실란계 축중합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 ORG의 정의는 명세서에 기재한 바와 같다.
이로써, 본 발명은 저장안정성 및 내에칭성이 우수한 레지스트 하층막을 제공하여 우수한 패턴을 전사할 수 있는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법을 제공할 수 있다.
레지스트 하층막, 유기실란계 축중합물, 저장안정성, 내에칭성-
公开(公告)号：KR101344795B1
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020090136179
申请日：2009-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 이로써, 본발명은저장안정성및 내에칭성이우수한레지스트하층막을제공하여우수한패턴을전사할수 있는레지스트하층막용조성물및 이를이용한반도체집적회로디바이스의제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 因此，本发明可以提供一种贮存稳定性和耐蚀刻性是用于制造设置成优异的转印图案的抗蚀剂采用相同的组合物的下层膜和下层抗蚀剂膜优异的半导体集成电路器件的方法。
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19.发明公开실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，用于制造基于二氧化硅的绝缘层的组合物的方法，基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020120080383A
公开(公告)日：2012-07-17
申请号：KR1020110001802
申请日：2011-01-07
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08G77/54 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L28/40
Abstract: PURPOSE: A composition for forming a silica-based insulation layer is provided to remarkably reduce defects in the silica based insulation layer, thereby capable of improving gap-fill performance, insulative performance required for the silica-based insulation layer. CONSTITUTION: A composition for forming a silica-based insulation layer comprises hydrogenated polysiloxazane comprising a moiety in chemical formula 1, and a moiety in chemical formula 2, and has chlorine content of 1 ppm or less. In chemical formulas R1-R7 is respectively hydrogen, a substituted or unsubstituted C1-30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3-30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6-30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7-30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C1-30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted carbonyl group, hydroxy group, or combinations thereof, and at least one of R1-R7 is hydrogen.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，以显着减少二氧化硅基绝缘层的缺陷，从而能够提高二氧化硅基绝缘层所需的间隙填充性能，绝缘性能。 构成：用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物包含氢化聚硅氧氮烷，其包含化学式1的部分和化学式2的部分，并且氯含量为1ppm以下。 在化学式中，R 1 -R 7分别是氢，取代或未取代的C 1-30烷基，取代或未取代的C 3-30环烷基，取代或未取代的C 6-30芳基，取代或未取代的C 3-30芳基烷基， 取代或未取代的C1-30杂烷基，取代或未取代的C2-30杂环烷基，取代或未取代的C2-30烯基，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的羰基，羟基或其组合 ，R 1 -R 7中的至少一个为氢。
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公开(公告)号：KR1020110079195A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136179
申请日：2009-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , G03F7/091
Abstract: PURPOSE: A resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using the same are provided to easily control the surface of a hydrophilic characteristic or the hydrophobic characteristic by increasing the content of silicon without a silane compound. CONSTITUTION: A resist sublayer composition includes a solvent and an organic silane-based polycondensate containing a structural unit represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the ORG is selected from a group including C6 to C30 functional group containing substituted or non-substituted aromatic ring, C1 to C12 alkyl group, and Y-(Si(OR)_3)_a. The R is C1 to C6 alkyl group. The Y is linear or branched substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene group, or substituted alkylene group. The a is 1 or 2. The Z is selected from a group including hydrogen and C1 to C6 alkyl group.
Abstract translation: 目的：提供抗蚀剂亚层组合物和使用其的半导体集成电路的制造方法，通过增加不含硅烷化合物的硅含量，容易地控制亲水性特性或疏水性表面。 构成：抗蚀剂亚层组合物包含溶剂和含有由化学式1表示的结构单元的有机硅烷类缩聚物。在化学式1中，ORG选自含有取代或未取代的C6〜C30官能团的基团， 取代芳环，C1〜C12烷基，Y-（Si（OR）_3）_a。 R为C1至C6烷基。 Y是直链或支链取代或未取代的C1至C20亚烷基或取代的亚烷基。 a为1或2.Z选自包括氢和C 1至C 6烷基的基团。
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