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公开(公告)号：KR1020160121942A
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：KR1020150051835
申请日：2015-04-13
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/314 , H01L27/32
Abstract: 본발명의박막트랜지스터제조방법은기판의상면에게이트절연층을형성하는절연층형성단계, 상기게이트절연층의상면에열 원자증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방법을이용하여, 증착온도를연속적으로변화시키며액티브층을증착하는액티브층증착단계, 상기게이트절연층의하면에게이트전극을형성하는제 1 전극형성단계및 상기액티브층의상면에, 티타늄(Ti)을포함하는금속을증착하여소스전극및 드레인전극을상기액티브층과일부중첩되도록형성하는제 2 전극형성단계를포함하여마련된다. 상기의본 발명의박막트랜지스터제조방법에의해제조된박막트랜지스터는액티브층및 게이트절연층의결함밀도를줄일수 있으며, 높은전압의게이트바이어스에서도, 본발명의액티브층은 Vth의변동폭이낮으므로, 전기적안정성이종래의일반적인박막트랜지스터에비해개선되었다.
Abstract translation: 根据本发明的制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底的顶表面上形成绝缘层;通过使用原子层沉积（ALD）在栅绝缘层的顶表面上形成绝缘层， 在栅绝缘层上形成栅电极，并在有源层上沉积包括钛（Ti）的金属以在有源层上形成源电极和漏电极， 以及第二电极形成步骤，形成漏电极以部分地与有源层重叠。 通过的本发明制造的薄膜晶体管的薄膜晶体管的制造方法可以降低在有源层和栅极绝缘层中的缺陷密度，在高电压的栅极偏置，本发明的活性层，因为Vth变化的，是低的， 与常规薄膜晶体管相比，电稳定性得到改善。
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公开(公告)号：KR101537365B1
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140118752
申请日：2014-09-05
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , H01L31/054 , H01L31/18
Abstract: 본발명은적어도한 면에복수개의함몰부가형성된돌출부를적어도하나이상포함하는반도체층; 및상기함몰부에형성된금속나노파티클;을포함하는태양전지및 이의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 太阳能电池及其制造方法技术领域本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括：半导体层，包括在其至少一个表面上具有多个凹陷部分的至少一个突出部分; 和形成在凹陷部分上的金属纳米颗粒。 根据本发明的实施例，可以制造高效率的太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101426646B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020130021646
申请日：2013-02-28
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/324 , H01L29/7869
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a thin film transistor and, more specifically, to a manufacturing method of a thin film transistor using a self-aligned channel forming method, an in-plane gate forming method, a body metal contact forming technique, and an interlayer forming technique controlling a semiconductor/metal junction.
Abstract translation: 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法，更具体地说，涉及使用自对准沟道形成方法的薄膜晶体管的制造方法，面内栅极形成方法，体金属接触形成技术 以及控制半导体/金属结的中间层形成技术。
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公开(公告)号：KR101344230B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020130044458
申请日：2013-04-22
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/072 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a heterojunction solar cell, which includes the steps of: providing an N-type silicon substrate; manufacturing a P-type zinc oxide layer on the upper side of the N-type silicon substrate with an in-situ P-type doping method to inject a V group dopant to the zinc oxide layer formed on the N-type silicon substrate while performing a thermal process after the zinc oxide layer is deposited on the upper side of the N-type silicon substrate; and forming a PN junction between the N-type silicon substrate and the P-type zinc oxide layer. [Reference numerals] (1) N-type silicon substrate;(2) P-type zinc oxide layer;(3) Insulator film
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造异质结太阳能电池的方法，其包括以下步骤：提供N型硅衬底; 通过原位P型掺杂法在N型硅衬底的上侧制造P型氧化锌层，以将V族掺杂剂注入到形成在N型硅衬底上的氧化锌层上，同时执行 在氧化锌层沉积在N型硅衬底的上侧之后的热处理; 并在N型硅衬底和P型氧化锌层之间形成PN结。 [附图标记]（1）N型硅衬底;（2）P型氧化锌层;（3）绝缘膜
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15.发明授权
公开(公告)号：KR101318241B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020130044457
申请日：2013-04-22
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an aluminum oxide film for passivation of a single C-Si solar cell capable of controlling a negative fixed charge density is provided to improve the conversion efficiency of a solar cell by depositing a zinc oxide film on an interlayer. CONSTITUTION: A lower aluminum oxide film (2) is deposited on a silicon substrate (1). A zinc oxide film (3) is deposited on an interlayer. The thickness of the zinc oxide film is controlled by the nanometer. The zinc oxide film is used as the interlayer between the upper and the lower aluminum oxide film. The zinc oxide film is formed on the upper surface of the lower aluminum oxide film. [Reference numerals] (1) Silicon substrate; (2) Lower aluminum oxide thin film (BL); (3) Zinc oxide thin film (ML); (4) Upper aluminum oxide thin film (TL)
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造能够控制负固定电荷密度的单个C-Si太阳能电池钝化的氧化铝膜的方法，以通过在中间层上沉积氧化锌膜来提高太阳能电池的转换效率。 构成：在硅衬底（1）上沉积较低的氧化铝膜（2）。 氧化锌膜（3）沉积在中间层上。 氧化锌膜的厚度由纳米控制。 氧化锌膜用作上下氧化铝膜之间的中间层。 氧化锌膜形成在下部氧化铝膜的上表面上。 （附图标记）（1）硅基板; （2）下部氧化铝薄膜（BL）; （3）氧化锌薄膜（ML）; （4）上氧化铝薄膜（TL）
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公开(公告)号：KR102205405B1
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：KR1020190087741
申请日：2019-07-19
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L29/792 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L21/02 , H01L21/28
Abstract: 본발명의플래시메모리소자는반도체기판의채널영역상에형성된터널링절연막; 상기터널링절연막상에형성된, 다층구조를갖는전하저장층; 상기전하저장층상에형성된콘트롤게이트를구비한다. 상기전하저장층은전하트랩핑구조를갖는제1막; 및상기제1막보다높은유전율과낮은에너지레벨을갖는제2막을구비하고, 상기제1막과제2막의유전율을변화시켜상기전하저장층의전기장을제어하거나전도대에너지준위를조정할수 있다.
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