곡면형 압전장치
    14.
    发明公开
    곡면형 압전장치 有权
    弯曲压电装置

    公开(公告)号:KR1020160145348A

    公开(公告)日:2016-12-20

    申请号:KR1020150081799

    申请日:2015-06-10

    CPC classification number: H01L41/113

    Abstract: 본발명은곡면기판의일면또는양면상에압전물질이구비되는구조를제시함과함께곡면기판과압전물질의두께, 단면적및 탄성계수를제어하여중립면(neutral plane)의위치가곡면기판내부에위치되도록함으로써외부의기계적응력에대응한압전물질의전기적포텐셜(electrical potential)을최대화할수 있는곡면형압전장치에관한것으로서, 본발명에따른곡면형압전장치는곡면기판; 및상기곡면기판의일면또는양면상에구비된압전물질을포함하여이루어지며, 응력인가시압축응력과인장응력이균형을이루는중립면은곡면기판내부에위치하며, 상기중립면의위치는아래식 1 또는식 2의 y와 y에의해결정되며, 상기중립면의위치는, 곡면기판과압전물질각각의두께(d), 단면적(A), 탄성계수(E)의조절에의해제어가능한것을특징으로한다. (식 1),(여기서,) (y은곡면기판의중심선과중립면사이의거리, y는압전물질의중심선과중립면사이의거리, d은곡면기판의두께, d는압전물질의두께, E은곡면기판의탄성계수, E는압전물질의탄성계수) (식 2),(여기서,) (y은곡면기판의중심선과중립면사이의거리, y는압전물질의중심선과중립면사이의거리, d은곡면기판의두께, d는압전물질의두께, E은곡면기판의탄성계수, E는압전물질의탄성계수, A은곡면기판의단면적, A는압전물질의단면적)

    거대 결정 입자를 갖는 금속 산화물 박막 및 그 제조방법
    15.
    发明公开
    거대 결정 입자를 갖는 금속 산화물 박막 및 그 제조방법 无效
    具有大理石颗粒的金属氧化物薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160112348A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:KR1020150037964

    申请日:2015-03-19

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른거대결정을갖는금속산화물박막제조방법은기판상에비정질시드층을형성하는단계및 상기비정질시드층상에상기비정질시드층의두께에대응되는크기의결정립을갖는금속산화물층을형성하는단계를포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案,具有大块晶粒的金属氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤:在基板上形成非晶种晶层; 以及在所述非晶态种子层上形成金属氧化物层,所述非晶种子层的晶粒尺寸对应于所述无定形籽晶层的厚度。

    백금족 박막의 원자층 증착방법
    16.
    发明授权
    백금족 박막의 원자층 증착방법 有权
    铂族金属薄膜的原子层沉积

    公开(公告)号:KR101651512B1

    公开(公告)日:2016-08-29

    申请号:KR1020150077138

    申请日:2015-06-01

    Abstract: 본발명은 HS 또는 NH를기판상에전처리하는단계및 상기기판상에백금족박막을형성하는단계를포함하는것을특징으로하는백금족박막의원자층증착방법을개시한다.

    Abstract translation: 公开了铂族金属薄膜的原子层沉积方法。 铂族金属薄膜的原子层沉积方法包括:在衬底上预处理H 2 S或NH 3的步骤; 以及在基板上形成铂族金属薄膜的工序。 因此,本发明通过控制铂族纳米颗粒的尺寸和分布能够连续沉积薄膜。

    하이브리드 에너지 발생 장치
    17.
    发明公开
    하이브리드 에너지 발생 장치 有权
    用于产生混合动力的装置

    公开(公告)号:KR1020150139282A

    公开(公告)日:2015-12-11

    申请号:KR1020140067694

    申请日:2014-06-03

    Abstract: 본발명은이종(異種)의에너지발생수단들을결합하여하이브리드에너지를생성하는에너지발생장치에관한것이다. 본발명에따른하이브리드에너지발생장치는, 압전물질을포함하는적어도하나의압전부를구비한제 1 층및 정전물질을포함하는적어도하나의정전부를구비한제 2 층을포함하고, 제 1 층에가해지는외력에의한압력에따라압전부는압전에너지를생성하고, 외력에의한제 1 층과제 2 층의접촉및 분리에따라정전부는정전에너지를생성하는하이브리드에너지발생장치.

    Abstract translation: 本发明涉及通过耦合不同类型的能量产生装置产生混合能量的装置。 根据本发明,用于产生混合能量的装置包括具有至少一个包括压电材料的压电部件的第一层和具有至少一个包括静电材料的静态部分的第二层。 压电部件通过施加到第一层的外力根据压力产生压电能量,并且静电部分通过外力通过第一层和第二层之间的接触或分离而产生静电能。

    복합형 One-Chip 기체센서 어레이
    18.
    发明公开
    복합형 One-Chip 기체센서 어레이 无效
    集成的单芯片气体传感器阵列

    公开(公告)号:KR1020150119603A

    公开(公告)日:2015-10-26

    申请号:KR1020140045147

    申请日:2014-04-16

    Abstract: 본발명은복합형어레이기체센서에관한것으로, 기판; 상기기판의상면에균일하게형성된히터; 상기히터와연결되어상기히터를구동시키는히터전극; 상기히터및 히터전극을감싸며상기기판상부에형성된절연층; 상기절연층상면에서로일정한간격으로이격되어형성되는복수개의감지전극및 감지전극어레이; 및상기복수개의감지전극위에각각형성되는복수개의기체감지부를포함하고, 상기복수개의기체감지부는산화물박막센서모듈, 나노구조체센서모듈, 금속촉매가형성된박막센서모듈, 및금속촉매가형성된나노구조체모듈로이루어진군에서선택된서로다른 2개이상의모듈인, 복합형 One-Chip 기체센서어레이를제공한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种混合阵列气体传感器,并提供一种混合式单片式气体传感器阵列,其包括:基板; 均匀地形成在所述基板的上表面上的加热器; 加热器电极,连接到用于操作加热器的加热器; 绝缘层,其覆盖所述加热器和所述加热器电极,并且形成在所述基板的上部单元上; 多个感测电极和感测电极阵列,其通过在绝缘层的上表面上以一定间隔隔开形成; 以及分别形成在感测电极上的多个气体检测单元。 气体检测单元是选自由氧化物薄膜传感器模块,纳米结构传感器模块,具有金属催化剂的薄膜传感器模块和具有金属催化剂的纳米结构模块组成的组中的两个或更多个模块。

    적층세라믹캐패시터 및 그 제조방법
    19.
    发明授权
    적층세라믹캐패시터 및 그 제조방법 有权
    多层陶瓷电容器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101522666B1

    公开(公告)日:2015-05-26

    申请号:KR1020130156283

    申请日:2013-12-16

    Abstract: 본발명은내부전극층과유전체나노시트가교번적층된적층세라믹캐패시터를구현함에있어서수직방향으로이웃하는내부전극층들을서로연결되도록함으로써별도의외부전극이요구되지않는적층세라믹캐패시터및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른적층세라믹캐패시터는내부전극층과유전체나노시트가교번하여반복적층된구조를이루며, 홀수번째적층된내부전극층은제 1 내부전극층, 짝수번째적층된내부전극층은제 2 내부전극층이며, 제 1 내부전극층의일부는유전체나노시트의제 1 방향으로외부로노출되고, 제 2 내부전극층의일부는유전체나노시트의제 2 방향으로외부로노출되며, 노출된제 1 내부전극층들각각, 노출된제 2 내부전극층들각각은수직방향으로서로전기적으로연결되는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 多层陶瓷电容器及其制造方法技术领域本发明涉及一种多层陶瓷电容器及其制造方法,其不需要额外的外部电极,通过连接内层电极层和电介质纳米片层叠的多层陶瓷电容器,在垂直方向上连接内部电极层 交替。 根据本发明的多层陶瓷电容器被构造成:电容器具有交替重复地层叠内电极层和电介质纳米片的结构; 层叠了奇数次的内部电极层是第一内部电极层,层叠了多次的内部电极层是第二电极层; 第一内部电极层的一部分在电介质纳米片的第一方向上暴露于外部,并且第二内部电极层的一部分在电介质纳米片的第二方向上暴露于外部; 并且暴露的第一内部电极层和第二内部电极层中的每一个在垂直方向上彼此电连接。

    레이저 리프트 오프 방법을 이용한 산화물 박막 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된 산화물 박막 소자
    20.
    发明授权
    레이저 리프트 오프 방법을 이용한 산화물 박막 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된 산화물 박막 소자 有权
    通过激光切割制造氧化物薄膜装置的方法和由其制造的氧化物薄膜装置

    公开(公告)号:KR101337515B1

    公开(公告)日:2013-12-05

    申请号:KR1020120063205

    申请日:2012-06-13

    Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing an oxide thin film device by laser lift-off method and an oxide thin film device manufactured thereby. The method of the present invention includes the steps of: forming an oxide thin film on a growth substrate; bonding a temporary substrate on the oxide thin film; irradiating laser on the growth substrate to separate the oxide thin film on which the temporary substrate has been bonded; bonding a device substrate on the thin film on which the temporary substrate has been bonded; and forming an upper electrode film on the oxide thin film. According to the present invention, it is possible to overcome problems caused by a defective layer by transferring oxide thin film printed on a polymer-based temporary substrate to a device substrate without using an interface on which a defective layer formed due to oxygen diffusion during application of the laser lift-off. [Reference numerals] (AA) Laser beam

    Abstract translation: 本发明涉及通过激光剥离法制造氧化物薄膜器件的方法和由此制造的氧化物薄膜器件。 本发明的方法包括以下步骤:在生长衬底上形成氧化物薄膜; 将临时衬底粘结在氧化物薄膜上; 在生长衬底上照射激光以分离已经结合了临时衬底的氧化物薄膜; 将器件衬底接合在已经结合有临时衬底的薄膜上; 以及在所述氧化物薄膜上形成上电极膜。 根据本发明,可以通过将印刷在基于聚合物的临时衬底上的氧化物薄膜转印到器件衬底上而不使用在施加期间由于氧扩散而形成的缺陷层的界面来克服由缺陷层引起的问题 的激光剥离。 (附图标记)(AA)激光束

Patent Agency Ranking