끝단이 날카로운 탄소나노섬유 및 팔라듐 촉매를 이용한 탄소나노섬유의 성장방법
    11.
    发明授权
    끝단이 날카로운 탄소나노섬유 및 팔라듐 촉매를 이용한 탄소나노섬유의 성장방법 有权
    具有尖端结构的碳纳米纤维和使用钯催化剂的碳纳米纤维生长方法

    公开(公告)号:KR101626936B1

    公开(公告)日:2016-06-02

    申请号:KR1020140136903

    申请日:2014-10-10

    CPC classification number: D01F9/127

    Abstract: 본발명은 (S1) 실리콘기판상에알루미나층을증착하는단계; (S2) 상기알루미나층상에팔라듐을증착하여팔라듐촉매층을형성하는단계; 및 (S3) 상기팔라듐촉매층상에화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)법으로탄소나노섬유를성장시키는단계;를포함하는탄소나노섬유의성장방법및 알루미나층이증착된실리콘기판상에서수직성장된탄소나노섬유로서, 끝단의곡률반경은 5 nm 이하이고, 지름은 50 nm 이하이며, 성장길이는 1 mm 이상이고, 성장길이와지름의종횡비는 50,000 이상인것을특징으로하는탄소나노섬유에관한것이다.

    단일층 양자점 전자수송층을 가진 역구조 유기 태양전지소자 및 제작방법
    12.
    发明授权
    단일층 양자점 전자수송층을 가진 역구조 유기 태양전지소자 및 제작방법 有权
    在电子转移层中含有量子点单层的倒置的有机太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101495764B1

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:KR1020140033339

    申请日:2014-03-21

    CPC classification number: Y02E10/549 H01L51/44

    Abstract: 반도체 양자점을 단일층으로 형성하여 전자수송층 및 광흡수를 증가시키는 태양전지 및 제조방법을 제공한다. 역구조 유기 태양전지는 기판상에 순차 적층된 제1 전극, 전자수송층, 광활성층, 정공수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 전자수송층은 양자점을 갖는 반도체를 특징으로 하여 광전변환효율을 증가시켜 우수한 역구조 유기 태양전지를 제공할 수 있다

    Abstract translation: 提供能够通过形成量子点单层来增加光吸收的有机太阳能电池和电子转移层及其制造方法。 倒置的有机太阳能电池包括依次形成在基板上的第一电极,电极转移层,光活性层,空穴传输层和第二电极。 电子转移层由具有量子点的半导体制成,从而提高光电转换效率并提供反向有机太阳能电池。

    호기성 질병진단 시스템과 3D 영상기반의 설진시스템을 포함하는 하이브리드 의료 진단 시스템
    13.
    发明授权
    호기성 질병진단 시스템과 3D 영상기반의 설진시스템을 포함하는 하이브리드 의료 진단 시스템 有权
    具有基于3D图像的神经病毒诊断系统和TONGUE诊断系统的混合医学诊断系统

    公开(公告)号:KR101468121B1

    公开(公告)日:2014-12-05

    申请号:KR1020130126793

    申请日:2013-10-23

    Abstract: 본 발명은, 피검자의 날숨에 의한 가스를 분석하는 센서 어레이를 이용하여 호기성 질병을 진단하는 호기성 질병진단 시스템 및, 피검자 혀의 사진을 촬영하여 3D 이미지를 합성하고, 3D 이미지를 이용하여 질병을 진단하는 3D 영상기반의 설진시스템을 포함하는 하이브리드 의료 진단 시스템이다.

    Abstract translation: 提供了一种混合医疗诊断系统,其包括有氧疾病诊断系统,其通过使用传感器阵列来诊断有氧疾病,所述传感器阵列基于被检测者的期满来分析食物,并且基于拍摄所述照相机的三维图像的舌头诊断系统 被试者的舌头,合成3D图像,并通过使用3D诊断疾病。

    메틸렌디포스폰산의제조방법
    14.
    发明授权
    메틸렌디포스폰산의제조방법 失效
    亚甲基二膦酸的制备方法

    公开(公告)号:KR100281827B1

    公开(公告)日:2001-04-02

    申请号:KR1019980038443

    申请日:1998-09-17

    Abstract: 본 발명은 유기 아민의 아실화 방법에 있어서, 아실화제로서 다음 화학식 1을 갖는 N,N-디아실이미다졸론 유도체를 사용하는 아실화 방법을 제공한다:
    화학식 1.

    식 중에서,
    R
    1 과 R
    2 는 같거나 다르고, 메틸, 에틸 또는 C
    3 -C
    19 의 직쇄 또는 치환된 알킬기, 페닐, 헤테로 사이클릭 화합물, 알콕시기 및 유기산 치환기로 이루어진 군 중에서 선택되며;
    R
    3 와 R
    4 는 같거나 다르고, 수소 원자, 메틸 또는 에틸, 페닐, 치환된 페닐 및 알콕시카보닐기로 이루어진 군 중에서 선택되거나, R
    3 와 R
    4 는 이들이 결합되어 있는 탄소 원자와 함께 다음 구조를 갖는 R 치환 벤젠 고리를 형성함

    (여기서, R은 수소 원자, 카르복실기 또는 설폰산기임).

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