公开(公告)号：KR100599357B1

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：KR1020050002987

申请日：2005-01-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  송진동 ,  이정일 ,  신재철

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/00

Abstract: 본 발명은 양점점 구조를 가지는 반도체 소자 제조시, 낮은 양자점 성장온도에 의해서 생성된 결함을 유전층을 형성한 후 열처리를 실시하여 감소시키기 위한 양자점 구조를 가지는 반도체 소자를 제조하기 위한 발명에 관한 것으로써, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; d) 상기 양자점 상에 제 1 덮개층을 형성하는 단계; e) 상기 제 1 덮개층 상에 SiO
2 유전막을 형성하는 단계; 및 f) 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법을 제공함으로써 광특성을 향상시킬 수 있다.
양자점, 유전막, 열처리, 결함, 감쇠시간(decay time)

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有量子点结构的半导体器件的发明，该半导体器件通过在形成介电层之后进行热处理而在具有双边结构的半导体器件中形成由低量子点生长温度产生的缺陷， a）制备基底; b）在衬底上形成缓冲层; c）在缓冲层上形成量子点; d）在量子点上形成第一覆盖层; e）形成第一层SiO

公开(公告)号：KR1020060037033A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020040086139

申请日：2004-10-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 한일기 ,  이정일 ,  유영채

IPC: H01L33/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L33/0045

Abstract: 파장대역폭이 넓고 광출력이 큰 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이를 위해, 기판, 상기 기판 상에 형성되어 방출되는 광을 구속하는 제 1 클래딩층 및 제2 클래딩층, 상기 제1 클래딩층 및 제2 클래딩층 사이에 형성되어 사전설정된 적어도 두 파장의 광을 방출하는 CQD 양자점 구조의 활성층을 포함하는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
고휘도 발광소자, 파장 대역폭, 광출력, CQD (Chirped Quantum Dots), 활성층

公开(公告)号：KR1020040083753A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：KR1020030018348

申请日：2003-03-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 허두창 ,  한일기 ,  최원준 ,  박용주 ,  조운조 ,  송진동 ,  이정일

IPC: H01S3/0941

Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser diode having an asymmetric SCH(Separate-Confinement Hetero) structure and a fabricating method thereof are provided to improve a thermal characteristic and an optical characteristic by reducing internal loss due to inserting a p-InP layer. CONSTITUTION: An n-type cladding layer(220) is formed on a substrate. An n-type second SCH layer(218) is formed on the n-type cladding layer. The first n-type SCH layer(210) is formed on the second SCH layer. An active layer(212) is formed on the first n-type SCH layer. The first p-type SCH layer(208) is formed on the active layer. The first insertion layer(206) is formed on the p-type first SCH layer. A p-type second SCH layer(204) is formed on the first insertion layer. A p-type cladding layer(202) is formed on the p-type second SCH layer.

Abstract translation: 目的：提供具有不对称SCH（分离限制异质）结构的半导体激光二极管及其制造方法，通过减少由于插入p-InP层引起的内部损耗来改善热特性和光学特性。 构成：在基板上形成n型包覆层（220）。 在n型包覆层上形成n型第二SCH层（218）。 第一n型SCH层（210）形成在第二SCH层上。 在第一n型SCH层上形成有源层（212）。 第一p型SCH层（208）形成在有源层上。 第一插入层（206）形成在p型第一SCH层上。 在第一插入层上形成p型第二SCH层（204）。 p型覆层（202）形成在p型第二SCH层上。

公开(公告)号：KR1020000002227A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980022839

申请日：1998-06-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 곽주원 ,  이정일

IPC: C07K16/18

CPC classification number: C07K16/18 ,  C12N5/163

Abstract: PURPOSE: The monoclonal antibody mAbB55 and HmAbB128 which are produced by hybridoma strains H-mAbB55 and mAbB128 showing a superior binding specificity to human apolipoprotein B and can be used for diagnosing blood circulatory organ disease. CONSTITUTION: The human apolipoprotein B-100 antibodies are injected into a mouse for immunization of the pancreas and coalesced with myeloma cell for producing hybridoma strains. The binding specificity to apolipoprotein B-100 of monoclonal antibodies, which are produced by hybridoma strains, is analyzed by Western Blatting Method and enzyme immunoassay. The potency of monoclonal antibodies and the concentration of apolipoprotein B-100, which is bound to monoclonal antibodies, are measured by enzyme immune-assay.

Abstract translation: 目的：由杂交瘤菌株H-mAbB55和mAbB128产生的单克隆抗体mAbB55和HmAbB128显示出对人载脂蛋白B的优异结合特异性，可用于诊断血液循环器官疾病。 构成：将人载脂蛋白B-100抗体注射到小鼠中用于胰腺免疫并与骨髓瘤细胞聚结以产生杂交瘤菌株。 通过杂交瘤菌株产生的单克隆抗体载脂蛋白B-100的结合特异性通过Western Blatting Method和酶免疫测定法进行分析。 通过酶免疫测定法测量单克隆抗体的效力和与单克隆抗体结合的载脂蛋白B-100的浓度。

公开(公告)号：KR1020100091773A

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：KR1020090011125

申请日：2009-02-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  임주영 ,  최원준 ,  이정일 ,  한석희

IPC: H01L29/15 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: The manufacturing method of the self assembling half - quantum structure water diversifies the temperature of substrate and injection amount of non-metal. In that way the size of the half - quantum structure water and form and density can be controlled easily. CONSTITUTION: The half - quantum structure water having the band gap bigger in the top of the substrate than the band gap of substrate is formed. Metal and the non-metal comprising the compound semiconductor having the band gap biging than the band gap of substrate are respectively selected. The metal selected in pressure less than 1×10-9torr is injected into substrate and the metal droplet is formed.

Abstract translation: 目的：自组装半量子结构水的制造方法使基体的温度和非金属的注入量多样化。 以这种方式，可以容易地控制半量子结构水的尺寸和形状和密度。 构成：形成具有衬底顶部带隙大于衬底带隙的半量子结构水。 分别选择包含具有比基板的带隙大的带隙的化合物半导体的金属和非金属。 将压力小于1×10-9torr的金属注入衬底中，形成金属液滴。

公开(公告)号：KR100721479B1

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020060000244

申请日：2006-01-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 유성필 ,  최원준 ,  송진동 ,  이정일

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 양자점 구조를 가지는 반도체 장치 제작시, 저밀도 양자점 구조를 가지는 반도체 장치를 제작하기 위한 발명에 관한 것으로서, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 화합물 반도체의 구성 원소들을 원소별로 증착하고, 소정의 시간 동안 증착을 멈추고 대기하는 단계; d) 원하는 두께의 양자점 구조가 생성될 때까지 소정의 회수만큼 상기 단계 c)를 반복하는 단계; 및 e) 상기 양자점 상에 덮개층을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 구조를 가지는 화합물 반도체 장치의 제작 방법을 제공함으로써 저밀도 양자점을 갖는 반도체 장치를 구현할 수 있다.
저밀도 양자점, 화합물 반도체, InAs, MBE, 단일 광자 광원

Abstract translation: 本发明涉及在制造具有量子点结构的半导体器件中用于制造具有低密度量子点结构的半导体器件的发明，其包括以下步骤：a）准备衬底; b）在衬底上形成缓冲层; c）按元素沉积化合物半导体元件的组成元素，停止并等待沉积预定时间; d）重复步骤c）预定次数直至产生所需厚度的量子点结构; e）在量子点上形成盖层，通过提供一种制造具有量子点结构的化合物半导体器件的方法，可以实现具有低密度量子点的半导体器件。

公开(公告)号：KR100644970B1

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020050003016

申请日：2005-01-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  황성호 ,  송진동 ,  이정일

IPC: H01L31/00

Abstract: 본 발명은 양자점 성장시 생성되는 결함을 수소화 처리를 통하여 줄여서, 반도체 소자의 광특성 뿐만 아니라 전기적 특성을 향상시킬 수 있는, 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 소자 제조 방법은, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 도전층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; f) 상기 양자점을 덮는 덮개층을 형성하는 단계; g) 상기 덮개층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및 h) 수소화 처리를 실시하는 단계를 포함한다.
양자점, InAs, InGaAs, GaAs, 수소화 처리, 결함

公开(公告)号：KR1020060082495A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：KR1020050002871

申请日：2005-01-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  최원준 ,  이정일

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/3408 ,  H01L29/0688 ,  H01S5/2228 ,  H01S5/34333

Abstract: 본 발명은 양자점의 상·하에 비대칭적 반도체층들을 형성하여 광통신에 이용되는 1.3 내지 1.5 ㎛ 대역의 장파장을 얻을 수 있는, 양자점 상하에 비대칭 반도체 양자우물층을 구비하는 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판과, 기판 위에 형성되는 제 1 양자우물층과, 제 1 양자우물층 위에 형성되는 다수의 양자점과, 다수의 양자점을 덮으며 상기 제 1 양자우물층과 비대칭을 이루는 제 2 양자우물층을 포함하는 광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 양자점 상하에 비대칭 반도체층을 형성시킴으로써, 밴드갭 구조가 이상적인 0차원 양자점에 근접하게 된다. 또한 바람직한 구체적인 실시예로서, InAs 양자점 및 InGaAs 양자우물을 GaAs 기판에 성장시킨 경우, 본 발명은 InGaAs 양자우물층의 두께가 종래보다 얇게 되어 다층의 InAs 양자점을 성장시킬 수 있고, 이로 인해 광 이득이 증가되어 소자를 동작시키기 위한 전력을 감소시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 광통신에 이용되는 1.3 ㎛ 대역 이상의 장파장을 GaAs 기판으로부터 얻을 수 있다.
반도체 양자점, InGaAs, InAs, 장파장, 양자우물, 비대칭, 격자 부정합

公开(公告)号：KR100502884B1

公开(公告)日：2005-07-25

申请号：KR1020010088867

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  이정호

IPC: H01L29/15

Abstract: 본 발명은 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭을 조정하는 방법에 관한 것으로서, InGaAs/GaAs 양자점 기판을 성장하는 단계와, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 2중 유전체 덮개층을 성장하는 단계와, 2중 유전체 덮개층이 성장된 InGaAs/GaAs 양자점 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법을 제공한다. InGaAs/GaAs 양자점 기판에 유전체 덮개층으로 SiN
x 와 SiO
2 를 성장하고, 700℃에서 1 내지 4분간 열처리한 결과, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 국부적으로 다른 에너지 밴드갭이 형성되었고 공정 조건에 의존하여 에너지 밴드갭의 이동량이 변화하는 것을 관찰하며, 이와 함께 반치폭 값의 감소 현상과 스펙트럼 강도의 증가 현상을 관찰한다.

公开(公告)号：KR1020050041121A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：KR1020030076161

申请日：2003-10-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 한일기 ,  이정일 ,  조운조 ,  최원준 ,  허두창

IPC: H01S5/34

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/125 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373 ,  H01S2304/04

Abstract: 본 발명은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 다수의 압축 스트레인 우물층과 다수의 긴장 스트레인 장벽층으로 이루어진 스트레인 보상 다층양자우물을 갖는 에피 구조를 이용함으로써, 다층양자우물에서의 오제 재결합 발생 확률을 감소시키고, 다층양자우물의 온도 안정성을 더욱 향상시켜 양자 효율을 증가시키며, 최대 광출력 및 단일모드 광출력을 증가시킬 수 있는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.