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公开(公告)号：KR101009727B1
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：KR1020080096896
申请日：2008-10-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/82 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/66984 , H01L29/7785
Abstract: 본 발명은 게이트 전압에 따라 채널 내의 전위 기울기를 음과 양의 값으로 용이하게 조절할 수 있는 스핀 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 스핀 트랜지스터는, 2차원 전자가스 구조의 채널층과 상기 채널층의 상하에 각각 배치된 상부 클래딩층 및 하부 클래딩층을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 채널층의 길이 방향으로 서로 이격 배치된 강자성체 소스 및 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하도록 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 상기 하부 클래딩층과 채널층 사이에 배치되어 상기 채널층에 캐리어(carrier)를 공급하는 제1 전하 공급층; 및 상기 상부 클래딩층과 채널층 사이에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하는 제2 전하 공급층;을 포함한다.
스핀 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020090041062A
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：KR1020070106577
申请日：2007-10-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02439 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L29/205
Abstract: A method for manufacturing In(As)Sb semiconductor on a lattice mismatched substrate and a semiconductor device using the same are provided to reduce the defect due to the lattice mismatch between the semiconductor layer and the semiconductor substrate by using a quantum dot layer. An oxide film formed in a surface of the semiconductor substrate(10) for preventing the oxidation is removed. The semiconductor substrate removing the oxide film is provided to a vacuum chamber. The semiconductor substrate is fixed in a holder inside the vacuum chamber. Before forming the quantum dot layer on the semiconductor substrate, a buffer layer(20) made of the same material as the semiconductor substrate is formed on the semiconductor substrate. The temperature of a semiconductor substrate maintains the optimum growth temperature of each semiconductor substrate material in forming a buffer layer. The quantum dot layer(30) is formed on the semiconductor substrate.
Abstract translation: 提供了在晶格失配衬底上制造In（As）Sb半导体的方法和使用其的半导体器件，以通过使用量子点层来减少由于半导体层和半导体衬底之间的晶格失配引起的缺陷。 形成在用于防止氧化的半导体衬底（10）的表面中的氧化膜被去除。 去除氧化膜的半导体衬底被提供到真空室。 半导体衬底固定在真空室内的保持器中。 在半导体衬底上形成量子点层之前，在半导体衬底上形成由与半导体衬底相同材料制成的缓冲层（20）。 半导体衬底的温度在形成缓冲层时保持每个半导体衬底材料的最佳生长温度。 量子点层（30）形成在半导体衬底上。
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公开(公告)号：KR1020060105949A
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：KR1020050027805
申请日：2005-04-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 나노 크기의 선(nano wire)을 스핀전달체로 활용하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 강자성체로부터 스핀분극된 캐리어를 반도체 나노선에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 및 스핀축적효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 반도체 나노선 기반 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터 제조기술에 관한 것이다.
이에, 본 발명은 기판 상에 분산된 나노선과; 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 소스 영역; 상기 소스 영역으로부터 주입된 스핀이 나노선을 통과한 후, 스핀이 검출되는 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 드레인 영역을 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자를 제시한다. 또한, 본 발명은 기판 위에 캐리어가 이동하는 채널 역할의 나노선을 형성하는 단계와; 상기 나노선 채널 위에 자성체 또는 자성반도체의 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 자기장을 가하면서 열처리하는 단계를 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 제조방법을 제시한다.
스핀주입소자, 반도체 나노선, 자성체/반도체 구조, 자기저항, 스핀밸브, 스핀분극 전계효과 트랜지스터Abstract translation: 本发明涉及利用纳米线作为旋转载体的混合型磁性/半导体纳米线旋转装置及其制造方法。 更具体地，涉及从能够半导体的铁磁材料自旋极化载流子的纳米线为基础的自旋注入装置和施加到存储器和从旋转阀和自旋累积效应的逻辑元件的自旋场效应晶体管的制造技术是由注入到半导体纳米线而获得。
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公开(公告)号：KR100511077B1
公开(公告)日：2005-08-30
申请号：KR1020030016170
申请日：2003-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01F10/1936 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/193 , H01F41/308 , H01L29/66984
Abstract: 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 캐리어를 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020020093355A
公开(公告)日：2002-12-16
申请号：KR1020010032074
申请日：2001-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B29C47/10
CPC classification number: B29C47/1081 , B29C47/40 , B29C47/522
Abstract: PURPOSE: A short metal fiber feeding apparatus is provided to obtain high-polymer composite material by feeding the short metal fiber to a feeding hopper of an extruder with preventing a bundle of the short metal fiber from being tangled. CONSTITUTION: A short metal fiber feeding apparatus(50) includes a plurality of upper rolls(51,52,53,54,55) at an inner portion thereof. A plurality of first needles(57) is formed in the upper rolls(51,52,53,54,55). The upper rolls(51,52,53,54,55) are rotated by means of driving devices(51',52',53',54',55'), respectively. A guide plate and a storing box are installed below the short metal fiber feeding apparatus(50). A lower roll formed with a plurality of second needles is formed below the storing box. A cam is installed at a lateral part of the lower roll. A plurality of pins is installed above the lower roll in perpendicular to a length direction of the lower roll.
Abstract translation: 目的：提供一种短金属纤维喂入装置，通过将短金属纤维喂入挤压机的进料斗，以防止短金属纤维束缠结，从而获得高分子复合材料。 构成：短金属纤维馈送装置（50）在其内部包括多个上辊（51,52,53,54,55）。 多个第一针（57）形成在上辊（51,52,53,54,55）中。 上辊（51,52,53,54,55）分别通过驱动装置（51'，52'，53'，54'，55'）旋转。 在短金属纤维供给装置（50）的下方设置有引导板和收纳箱。 形成有多个第二针的下辊形成在储存箱的下方。 凸轮安装在下辊的侧面部分。 多个销垂直于下辊的长度方向安装在下辊上方。
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Patent Agency Ranking16.发明公开
公开(公告)号：KR1020000041707A
公开(公告)日：2000-07-15
申请号：KR1019980057661
申请日：1998-12-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C21/02
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a hyper-eutectic Al-Si forging alloy is provided to enhance abrasion resistance and a coefficient of thermal expansion by modifying the weak point of a hyper-eutectic Al-Si alloy. CONSTITUTION: An alloy consists of 9.0-11.0wt% of Si, 1.5-2.0wt% of Cu, 0.5-1.3wt% of Mg, 0.1-0.3wt% of Mn, 0.3-0.5wt% of Ce, not more than 0.3wt% of each Zn and Fe, not more than 0.2wt% of incidental impurities such as Cr, Zr and Ti and the rest of aluminium. A molten metal having the same composition is obtained. The molten metal is mixed with 0.02-0.03% of an Al-Ti-B group compound and 0.7-1.0% of mischmetal. After that, a billet is manufactured from a DC(direct chill) caster and processed at a temperature of 500-520°C for 2-5 hours. The obtained billet is heated at a temperature of 460-480°C for 0.5-2 hours and extruded to have reduction rate of a sectional area over 4.
Abstract translation: 目的：提供一种制造超共晶Al-Si锻造合金的方法，以通过改变超共晶Al-Si合金的弱点来增强耐磨性和热膨胀系数。 构成：合金由9.0-11.0重量％的Si，1.5-2.0重量％的Cu，0.5-1.3重量％的Mg，0.1-0.3重量％的Mn，0.3-0.5重量％的Ce组成，不大于0.3 每个Zn和Fe的重量％，不大于0.2重量％的偶氮杂质如Cr，Zr和Ti以及其余的铝。 得到具有相同组成的熔融金属。 熔融金属与0.02-0.03％的Al-Ti-B族化合物和0.7-1.0％的混合稀土混合。 之后，由直流（直接冷却）连铸机制造坯料，并在500-520℃的温度下加工2-5小时。 将得到的坯料在460〜480℃的温度下加热0.5-2小时，挤出成型，其截面积为4倍以上。
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公开(公告)号：KR102060383B1
公开(公告)日：2019-12-30
申请号：KR1020180022204
申请日：2018-02-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8258 , H01L27/06 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/778
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公开(公告)号：KR101959378B1
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：KR1020160109437
申请日：2016-08-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L21/8252 , H01L21/324
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公开(公告)号：KR101711524B1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150100581
申请日：2015-07-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/516 , H01L29/41775 , H01L29/42364 , H01L29/42372 , H01L29/66984 , H01L43/00
Abstract: 위상절연체를포함하는트랜지스터를제공한다. 트랜지스터는, i) 기판, ii) 기판위에위치한위상절연체층, iii) 위상절연체층위에위치한드레인전극, iv) 드레인전극과이격되고, 위상절연체층위에위치하며, 강자성체를포함하는소스전극, v) 소스전극위에위치한터널접합층, 및 vi) 터널접합층위에위치한게이트전극을포함한다. 위상절연체층의스핀방향이그 표면에흐르는전류에의해고정되고, 게이트전극에인가되는전압에따라소스전극의스핀방향이기설정된방향으로변한다.
Abstract translation: 公开了包括拓扑绝缘体的晶体管。 晶体管包括：衬底; 设置在基板上的拓扑绝缘体; 设置在拓扑绝缘体上的漏电极; 与所述漏电极分离的源电极，设置在所述拓扑绝缘体上，并且包含铁磁性物质; 设置在源电极上的隧道结层; 以及设置在隧道结层上的栅电极。 拓扑绝缘体的自旋方向由流过其表面的电流固定，并且通过施加到栅电极的电压将源极的自旋方向改变到预定方向。
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公开(公告)号：KR1020170009109A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150100581
申请日：2015-07-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/516 , H01L29/41775 , H01L29/42364 , H01L29/42372 , H01L29/66984 , H01L43/00
Abstract: 위상절연체를포함하는트랜지스터를제공한다. 트랜지스터는, i) 기판, ii) 기판위에위치한위상절연체층, iii) 위상절연체층위에위치한드레인전극, iv) 드레인전극과이격되고, 위상절연체층위에위치하며, 강자성체를포함하는소스전극, v) 소스전극위에위치한터널접합층, 및 vi) 터널접합층위에위치한게이트전극을포함한다. 위상절연체층의스핀방향이그 표면에흐르는전류에의해고정되고, 게이트전극에인가되는전압에따라소스전극의스핀방향이기설정된방향으로변한다.
Abstract translation: 提供了包括相位绝缘体的晶体管。 Iv）源电极，其与漏电极隔开并位于相绝缘体层上，源电极包括铁磁材料; v）位于相绝缘体层上方的源电极; 位于源电极之上的隧道结层，以及vi）位于隧道结层之上的栅电极。 相绝缘体层的自旋方向由其表面上流动的电流固定，并且源电极的自旋方向根据施加到栅电极的电压在设定方向上改变。
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