公开(公告)号：KR101280498B1

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020110039370

申请日：2011-04-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 김종규 ,  윤석진 ,  장호원 ,  황선용 ,  권현아

IPC: G01N27/407 ,  B82B3/00

Abstract: 본 발명은 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서는, 기판; 상기 기판 상부에 형성된 제1전극; 상기 제1전극의 상부에 구비되고, 나노 구조를 가지며 감지 대상의 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 금속산화물반도체로 이루어지고, 경사각 증착법을 통해 형성된 가스감지층; 다공성 구조를 가지며, 상기 금속산화물반도체의 상부에 형성된 제2전극; 및 상기 제1ㆍ제2전극을 통해 소정의 전류를 흘려 상기 가스감지층의 전기전도도를 측정함으로써 상기 가스를 감지하는 제어부;를 포함한다.
본 발명에 의하면, 제2전극이 감지 대상의 가스가 출입할 수 있도록 다공성 구조로 구비됨으로써, 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 가스센서의 가스감지층을 경사각 증착법을 이용하여 나노 구조로 형성할 수 있고, 이에 따라 가스감지층의 제조가 용이해지며, 그 나노 구조의 형상도 가스와의 반응을 극대화할 수 있는 형상으로 자유롭게 형성할 수 있으므로, 나노 구조의 금속산화물반도체를 한 쌍의 전극 사이에 개재되는 가스감지층으로 활용하면서도 나노 구조의 금속산화물반도체가 갖는 가스와의 반응성 극대화 등의 장점을 그대로 살릴 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110117362A

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：KR1020100036773

申请日：2010-04-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  서상희 ,  송진동 ,  윤석진 ,  장호원 ,  김광천

IPC: H01L31/0445 ,  H01L21/205

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0445 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 실리콘 기판위에 단결정 카드늄텔루라이드 (CdTe) 박막을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명에 따른 제조 방법은 1) 실리콘 기판 위에 자연산화막을 제거하는 단계; 2) 자연산화막이 제거된 상기 실리콘 기판위에 이종 화합물의 완충층을 두께를 조절하여 증착하는 단계; 3) 상기의 완충층 위에 CdTe 단결정을 성장하는 단계를 포함하는, 우수한 물성을 가지는 단결정의 CdTe 단결정 웨이퍼를 저가의 실리콘 기판위에 제조하는 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110098395A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020100017988

申请日：2010-02-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장호원 ,  윤석진 ,  김진상 ,  강종윤 ,  최지원 ,  문희규

IPC: G01N27/12 ,  H01L21/20 ,  C23C14/00

Abstract: 본 발명은 실리콘 반도체 소자 제조 공정에 적용이 가능한 고신뢰성의 대면적 고감도 세라믹 가스 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 산화물 박막 가스 센서는 그 동작 원리가 간편하고 동작전압이 낮으며 부피가 작은 장점 때문에 여러 가지 다른 방식의 가스 센서를 대체할 수 있을 것으로 큰 기대를 모으고 있으나, 감지막의 박막화에 따른 감응도의 저하 문제가 상용화에 걸림돌이 되어왔다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기존에 고분자 미세 구형체를 이용하여 공허 반구체 형태의 3차원구조 세라믹 박막을 제조하는 방법이 제시되어 있으나, 실리콘 반도체 공정에 적용이 가능할 만한 수준의 고신뢰성 공정이 개발되지 않았다는 문제점이 있었다. 본 발명에서는 간단한 플라즈마 표면처리와 스핀 코팅을 통해 실리콘 반도체 공정에 적용가능한 고신뢰성의 대면적 미세구형체 템플릿 제조공정을 확립하였다.

公开(公告)号：KR101249262B1

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：KR1020110015507

申请日：2011-02-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최지원 ,  윤석진 ,  최원국 ,  김진상 ,  강종윤 ,  장호원 ,  정근

IPC: H01B1/08 ,  H01B5/14 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08

Abstract: 본 발명은 투명도전 조성물 및 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 하기 화학식의 조성을 포함하는 투명도전 조성물 및 박막용 타겟, 상기 타겟을 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 하기 화학식으로 표시되는 특정의 조성을 포함하여 우수한 도전성(낮은 저항률) 및 높은 광투과율을 갖는다. 특히, 상온에서 증착되었음에도 불구하고 10
-3 Ω·cm 이하의 낮은 저항률과 90% 이상의 높은 광투과율을 가져 미래의 핵심 디스플레이 산업이라고 할 수 있는 연성전자소자에도 매우 유용하게 적용될 수 있다.
[화학식]
Al
x Zn
1
-
x O
위 화학식에서, x는 0.04 ≤ x ≤ 0.063이다.

公开(公告)号：KR1020120122491A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：KR1020110040673

申请日：2011-04-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장호원 ,  윤석진 ,  김진상 ,  최지원 ,  강종윤 ,  심영석

IPC: G01N27/12 ,  H01L21/28 ,  G01N27/30

Abstract: PURPOSE: A gas sensor including a transparent oxide electrode and a manufacturing method thereof are provided to constitute a sensing electrode as a transparent conductive oxide thin film, thereby lowering the cost of a gas sensor. CONSTITUTION: A gas sensor comprises a substrate(10), a sensing electrode(20), and a gas inductor layer(30). The sensing electrode is formed on the substrate. The gas inductor layer is formed on the sensing electrode. The sensing electrode is a transparent conductive oxide thin film.

Abstract translation: 目的：提供一种包含透明氧化物电极的气体传感器及其制造方法，以构成作为透明导电氧化物薄膜的感测电极，从而降低气体传感器的成本。 构成：气体传感器包括基底（10），感测电极（20）和气体感应层（30）。 感测电极形成在基板上。 气敏电感层形成在感应电极上。 感测电极是透明导电氧化物薄膜。

公开(公告)号：KR3006384720000S

公开(公告)日：2012-03-30

申请号：KR3020110004949

申请日：2011-02-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Designer： 장호원 ,  윤석진 ,  우덕하 ,  백동수 ,  장중식 ,  김철수

公开(公告)号：KR101098248B1

公开(公告)日：2011-12-23

申请号：KR1020090121617

申请日：2009-12-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  윤석진 ,  강종윤 ,  최지원 ,  장호원

IPC: H01L35/24 ,  H01L21/205 ,  B82B3/00

Abstract: 본발명은화합물열전반도체의제조방법에관한것으로, 금속유기화학기상증착법으로나노구조의열전반도체를제조함으로써열전성능을높이고자하는것으로구체적으로본 발명에따른제조방법은 1) 반응관내에서전구체를사전반응시켜나노사이즈의파티클을형성하는단계 2) 상기나노사이즈의파티클을기판상에증착시키는단계를포함하여, 간단하고경제적인방법으로나노구조의결정립을가지는열전반도체를제조함으로우수한열전성능을가지는화합물열전반도체를제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020130091378A

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020120012585

申请日：2012-02-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  장호원 ,  강종윤 ,  윤석진 ,  최지원 ,  최원철

IPC: H01L35/34

CPC classification number: H01L35/34 ,  H01L35/02

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a film type thermoelectric device is provided to improve thermoelectric properties by transferring a thermoelectric film on a substrate. CONSTITUTION: A sacrificial layer (12) is formed on a supporter (10). Thermoelectric films (300,300') are formed on the sacrificial layer. A polymer film (400) is formed on the thermoelectric film. The supporter and the thermoelectric film are separated. The separated thermoelectric film is transferred on a substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜型热电元件的制造方法，通过在基板上转印热电膜来提高热电性能。 构成：在支撑件（10）上形成牺牲层（12）。 在牺牲层上形成热电膜（300,300'）。 聚合物膜（400）形成在热电膜上。 支撑体和热电膜分离。 将分离的热电膜转移到基板上。

公开(公告)号：KR1020130090593A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：KR1020120011844

申请日：2012-02-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장호원 ,  윤석진 ,  우덕하 ,  김진상 ,  권효진 ,  강종윤 ,  최지원

IPC: B82Y30/00 ,  H02S30/00 ,  B82B1/00 ,  G02B1/113

CPC classification number: H01L31/02327 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/42 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/73 ,  C03C2217/76 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02366 ,  H02S40/10 ,  Y02E10/50 ,  Y10S977/755 ,  Y10T428/24355 ,  B82B1/008 ,  G02B1/113 ,  H02S30/00

Abstract: PURPOSE: A hydrophobic reflection preventing substrate, a manufacturing method thereof, and a solar cell module including the same are provided to obtain a super hydrophobic property of a large water dropping contact angle. CONSTITUTION: A hydrophobic reflection preventing substrate includes a substrate (10), a nanostructure layer (20), and a hydrophobic coating film (30). The substrate includes a supporting force. The nanostructure layer includes a nanostructure unit (22) formed on the substrate and a nano void unit (24) formed between the nanostructure unit. The hydrophobic coating film is formed on the nanostructure unit. The size of the nanostructure unit and the nano void unit includes the size of 0.5nm-300nm which are smaller than visible ray wavelength. [Reference numerals] (AA) Metalizing; (BB) Surface modification

Abstract translation: 目的：提供疏水反射防止基板及其制造方法以及包括该防水基板的太阳能电池模块，以获得大的降水接触角的超疏水性。 构成：疏水反射防止基板包括基板（10），纳米结构层（20）和疏水涂膜（30）。 基板包括支撑力。 纳米结构层包括形成在基底上的纳米结构单元（22）和形成在纳米结构单元之间的纳米空隙单元（24）。 在纳米结构单元上形成疏水涂膜。 纳米结构单元和纳米空隙单元的尺寸包括小于可见光线波长的0.5nm-300nm的尺寸。 （附图标记）（AA）金属化; （BB）表面改性

公开(公告)号：KR101260933B1

公开(公告)日：2013-05-06

申请号：KR1020110011824

申请日：2011-02-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장호원 ,  윤석진 ,  우덕하 ,  백동수 ,  주한용 ,  김신근

IPC: F21S9/03 ,  H05B37/02 ,  H04Q9/00 ,  F21Y101/02

Abstract: 본발명은조명시스템에관한것으로, 더상세하게는, 기존의전력선을사용하지않고 100% 자가발전이가능한태양광을이용한조명시스템에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른조명시스템은, 태양에너지를전기에너지로변환하는태양전지; 상기태양전지를수용하는태양전지패널; 상기태양전지패널이태양을향하도록상기태양전지패널을회전시키는태양광추적기; 상기태양전지에서변환한전기에너지를축적하는 2차전지; 상기 2차전지또는상기태양전지로부터의전기에너지를이용하여점등하는조명부; 상기태양전지에서상기 2차전지로축적되는전기에너지를제어하며, 상기태양광추적기의구동을제어하고, 상기조명부의점등을제어하는제어부; 및외부와무선통신을수행하여, 상기제어부로외부의제어신호를입력시키거나, 상기제어부가제어하는부품들의동작상태정보를외부로발신하는안테나를포함한다.