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公开(公告)号：KR1020180128680A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：KR1020170064084
申请日：2017-05-24
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/3215 , H01L21/02 , H01L21/3205
Abstract: 본 발명은 다결정실리콘 승온소자 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 위에 제1 절연막과 비정질탄소막을 순차적으로 증착하는 단계; 상기 비정질탄소막을 노광 및 식각하여 트렌치 라인을 형성하는 단계; 전체표면 상부에 제2 절연막을 증착하는 단계; 상기 제2 절연막 위에 다결정실리콘을 증착 후 노광 및 식각하여 승온소자 의 패드부와 히터부를 형성하는 단계; 전체표면 상부에 제3 절연막을 증착 후 승온소자의 패드부와 히터부의 표면을 노출시키는 단계; 및 상기 히터부의 하부 비정질탄소막을 제거하여 빈공간을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101915219B1
公开(公告)日：2018-11-05
申请号：KR1020170071827
申请日：2017-06-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0216
Abstract: 본발명의일 관점에따르면, 실리콘광전소자의기판상에스핀코팅공정으로도펀트물질을함유하는층을형성하고패터닝함으로써제 1 웰(well)을형성하기위한영역을덮는상기도펀트물질을함유하는패턴을형성하는제 1 단계; 상기기판및 상기도펀트물질을함유하는패턴을덮는제 1 캐핑막을형성하는제 2 단계; 및상기제 1 캐핑막을제거하지않은상태에서제 1 어닐링공정을수행함으로써, 상기도펀트물질을함유하는패턴으로부터도펀트가상기기판밖으로확산되었다가상기기판중에서상기제 1 웰을형성하기위한영역이외의영역으로다시들어가는것을방지하면서, 상기도펀트물질을함유하는패턴으로부터상기기판내로도펀트를확산시켜상기제 1 웰을형성하는제 3 단계;를포함하는, 실리콘광전소자의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170074579A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150184020
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , G01J1/04 , G01J1/44
Abstract: 크로스톡현상을방지할수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판; 및하나의가이거모드아발란치포토다이오드구조체에서발생하는 2차광자가인접한가이거모드아발란치포토다이오드구조체로이동하는것을차단하도록, 상기복수개의가이거모드아발란치포토다이오드구조체각각과상기 IC 기판사이에개재되는차단막;을포함한다.
Abstract translation: 提供了可以防止串扰现象的硅光电子倍增传感器。 硅光电传感器是多个根据本发明的一个实施例中乘法盖革模式雪崩光电二极管的（盖革模式雪崩光电二极管; GAPD）结构; 盖革模式Avalanche光电二极管结构上的IC基板; 并且在该结构中自盖革模式雪崩啊，所述多个盖革模式的，所产生的盖革模式雪崩光电二极管相邻的次级光阻止的运动作为各和IC基板之间的光电二极管结构的雪崩光电二极管结构 并且在阻挡层之间插入阻挡层。
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公开(公告)号：KR101451250B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130007428
申请日：2013-01-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 스트립형 PN 접합구조를 갖는 실리콘 광전자증배관 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘 광전자증배관을 구성하는 각 마이크로셀의 PN 접합(PN junction)층을 형성함에 있어서, 통상의 CMOS 공정을 이용하여 p- 에피택셜층 상에 n+층을 형성하되, 상기 n+층을 p- 에피택셜층 상부에 띠 형태의 스트립(strip) 구조로 형성하여, 섬광체로부터 입사되는 가시광에 의해 p- 에피택셜층에서 발생한 전자가 스트립 구조로 형성된 n+층으로 집속되도록 구성함으로써, 정공보다 상대적으로 아발란치(전자사태, avalanche) 효율이 우수한 전자에 의한 아발란치 브레이크다운(Avalanche Breakdown)을 유도하여, 입사되는 광의 검출 효율을 높일 수 있는 스트립형 PN 접합구조를 갖는 실리콘 광전자증배관 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 다수개의 마이크로셀로 이루어지는 실리콘 광전자증배관(SiPM : Silicon Photomultiplier)에 있어서, 상기 실리콘 광전자증배관을 구성하는 다수개의 마이크로셀 각각은, p+ 웨이퍼 기판, 상기 p+ 웨이퍼 기판상에 형성되는 p- 에피택셜층 및 상기 p- 에피택셜층에 도핑되어, 상기 p- 에피택셜층 표면에 띠 형태의 스트립(strip) 구조로 형성되는 n+층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.-
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公开(公告)号：KR1020140094859A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020130007428
申请日：2013-01-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
Abstract: The present invention relates to a silicon photomultiplier with a strip-type P-N junction structure and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a silicon photomultiplier with a strip-type P-N junction structure, and a manufacturing method thereof which forms an n+ layer on a p- epitaxial layer using an ordinary CMOS process, but forms the n+ layer as a strip structure in a band shape on the top of the p- epitaxial layer when a P-N junction layer of each microcell forming the silicon photomultiplier is formed. The silicon photomultiplier with the strip-type P-N junction structure makes an electron generated in the p- epitaxial layer by visible light inserted from a scintillator to be concentrated to an n+ layer of the strip structure, induces avalanche breakdown by the electron having excellent avalanche efficiency than a hole, and enhances detection efficiency of incident light. For the purpose mentioned above, the silicon photomultiplier (SiPM) which is formed of a plurality of microcells is provided. Each of the microcells forming the silicon photomultiplier comprises; a p+ wafer substrate; the p- epitaxial layer formed on the p+ wafer substrate; and an n+ layer which is doped on the p- epitaxial layer and is formed on the surface of the p- epitaxial layer as a strip structure in a band shape.
Abstract translation: 本发明涉及具有带状PN结结构的硅光电倍增管及其制造方法，更具体地说，涉及具有带状PN结结构的硅光电倍增管及其形成n +层的制造方法 使用普通CMOS工艺的p-外延层，但是当形成硅光电倍增管的每个微小电极的PN结层形成时，在p-外延层的顶部上形成带状结构的n +层作为带状结构。 具有带状PN结结构的硅光电倍增管通过从闪烁器插入的可见光在p-外延层中产生电子，以将其集中到带状结构的n +层，由具有优异雪崩效率的电子引起雪崩击穿 比洞，提高入射光的检测效率。 为了上述目的，提供了由多个微单元形成的硅光电倍增管（SiPM）。 形成硅光电倍增管的每个微电池包括： p +晶片衬底; 形成在p +晶片衬底上的p-外延层; 以及n +层，其被掺杂在p外延层上并且形成在p外延层的表面上，作为带状结构。
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公开(公告)号：KR1020120124559A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042265
申请日：2011-05-04
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A method for forming a trench guard ring of a silicon photomultiplier and the silicon photomultiplier are provided to prevent a dark count phenomenon by suppressing the current leakage between avalanche photodiodes. CONSTITUTION: A P-type epitaxial layer(120) is formed on a silicon substrate(110). A respective P-type conductive layer(130) is formed on the P-type epitaxial layer. An oxide film is formed on the P-type epitaxial layer. A silicon nitride film is formed on the oxide film. A photoresist is spread on the silicon nitride film.
Abstract translation: 目的：提供一种形成硅光电倍增管的沟槽保护环的方法和硅光电倍增管，以通过抑制雪崩光电二极管之间的电流泄漏来防止暗计数现象。 构成：在硅衬底（110）上形成P型外延层（120）。 在P型外延层上形成相应的P型导电层（130）。 在P型外延层上形成氧化膜。 在氧化膜上形成氮化硅膜。 光致抗蚀剂铺展在氮化硅膜上。
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公开(公告)号：KR1020100019908A
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020080078663
申请日：2008-08-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/76802 , G03F9/7076 , G03F9/708 , H01L23/544 , H01L2223/54426
Abstract: PURPOSE: A wafer alignment method regardless of thickness and under-layer structure in 3-dimensional ic integration is provided to obtain direct economical effect by simplifying the steps of process. CONSTITUTION: A PMD oxide film is formed on a lower layer substrate by a chemical mechanical polishing(S601). The contact is formed through an etch back process(S603). The first metal wiring is formed in the front of the lower layer substrate(S605). The through via hole is formed in the front of the lower layer substrate(S609). The second metal wiring is formed in the front of the lower layer substrate(S611). The nitride film or the oxide film is laminated in the front of the lower layer substrate(S615). The lower layer substrate is bonded with the upper layer wafer(S617). The wafer alignment is formed on the upper layer wafer(S621). The upper layer wafer is patterned(S623). The three-dimensional integrated circuit is integrated(S625).
Abstract translation: 目的：提供三维IC集成中的厚度和下层结构的晶圆对准方法，通过简化工艺步骤获得直接的经济效果。 构成：通过化学机械抛光在下层基板上形成PMD氧化膜（S601）。 通过回蚀处理形成接触（S603）。 第一金属布线形成在下层基板的前面（S605）。 贯通孔形成在下层基板的前方（S609）。 第二金属布线形成在下层基板的前面（S611）。 氮化物膜或氧化膜层压在下层基板的前面（S615）。 下层基板与上层晶片接合（S617）。 在上层晶片上形成晶片对准（S621）。 对上层晶片进行图案化（S623）。 集成了三维集成电路（S625）。
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公开(公告)号：KR102042819B1
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：KR1020180040246
申请日：2018-04-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR101818654B1
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020150185327
申请日：2015-12-23
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은내시경프로브의케이블단부에배치되며, 병변의해부학적위치를파악하기위한영상카메라; 및병변의생화학적위치를파악하기위한감마선계측센서;를포함하는, 내시경기반융합의료영상기기를제공한다.
Abstract translation: 内窥镜探头技术领域本发明涉及一种内窥镜探头，该内窥镜探头包括：设置在内窥镜探头的电缆端的摄像机，用于检测病变的解剖位置; 以及用于检测病变的生物化学位置的伽马射线测量传感器。
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