公开(公告)号：KR1019950021304A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026304

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남산 ,  이희태 ,  박형호 ,  조경익

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명 투과전자 현미경을 통해 평면시료를 관찰하기 위한 반도체 재료의 평면시료 제작방법에 관한 것으로 특히 시료의 이온연마도중 생성된 찌꺼기들이 시료평면에 증착되는 것을 방지한 반도체 재료의 투과현미경 평면시료 제작방법에 관한 것으로, 관찰하고자하는 부위를 절단한 지름 3㎜의 원형시료를 유리원통에 부착한후 시료 두께가 100㎛에 이를때까지 연마하고 딤플(dimple)연마기를 사용하여 시료 두께 15㎛에 이를때까지 연마하는 기계적 연마공정과, 시료지지에서 시료지지판을 분리한후 시료지지판의 뒷면에 이 지지판의 구명을 접착제를 사용하여 소정크기의 금속박관으로 봉한후 이 시료지지판을 다시 시료지지대에 고정하는 시료지지판의 봉합공정과, 상기 기계적 연마공정을 마친 시료를 시료표면(박막)이 밑으로 가도록하여 상기 실 료지지판의 봉합공정을 거친 시료지지판(110)위에 부착하고 아르곤이나 요요드 이온을 이용항여 시료의 두께를 100㎚이하로 연마하는 이온연마 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100085932B1

公开(公告)日：1995-06-19

申请号：KR1019910018985

申请日：1991-10-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최치규 ,  박형호 ,  이중환 ,  권오준 ,  조경익

IPC: H01L21/20

公开(公告)号：KR100080390B1

公开(公告)日：1994-12-14

申请号：KR1019910022924

申请日：1991-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중화 ,  곽병화 ,  박형호 ,  권오준 ,  정성화

IPC: H01L21/324

公开(公告)号：KR1019940015506A

公开(公告)日：1994-07-21

申请号：KR1019920023350

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박형호 ,  곽병화 ,  권오준

IPC: G01N23/00

Abstract: 본 발명은 시료의 표면분석 장비에 관한 것으로 시료의 깊이분포 분석시 분석챔버내로 가스주입을 위한 샘 밸브와 상기 이온총 사이에 장착된 전기밸브와, 상기 전기밸브를 제어하는 제어수단을 포함한 것을 특징으로 하는 표면분석 장비의 가스주입 장치이다.

公开(公告)号：KR1019930008953A

公开(公告)日：1993-05-22

申请号：KR1019910018985

申请日：1991-10-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최치규 ,  박형호 ,  이중환 ,  권오준 ,  조경익

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 바이폴라 트랜지스터 혹은 BICMOS 트랜지스터 등과 같은 반도체장치에서 매입층(burried layer)으로 실리사이드(silicide)를 사용하여 에피택셜층(epitaxial layer)을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법은 실리콘 기판(1)상에 소정 두께의 금속막을 증착하고 열처리 하여 실리사이드층(6)을 형성시키거나, 금속과 실리콘을 실리사이드의 조성으로 동시에 증착시켜 열처리 함으로써 실리사이드 상(silicide phase)을 형성시키는 단계와; 실리콘과 실리사이드의 정합성장을 이용하여 상기 실리사이드층(6)의 표면에 실리콘을 증착하거나, 상기 실리사이드 상을 소정의 온도로 가열하여 정합실리콘 에피택셜층(7)을 형성시킨 후 그것을 결정성장의 핵으로 이용하여 실리콘을 증착시킴으로써 n
- 에피택셜층(5)을 형성시키는 단계 및; 트렌치(trench)를 형성한 후 격리층(8)을 주입시키는 단계를 포함하여 종래의 방법에 비해 전자의 이동속도를 10내지 100배 정도 빠르게 할 수 있어 고속동작 특성이 훨씩 뛰어나 반도체 장치를 제조할 수 있을 뿐만 아니라 아웃-도핑(out-doping) 현상을 제거함으로써 n
- 에피택셜층의 두께를 정확히 조절할 수 있으며 결정결함이 적은 에피택셜층의 형성이 가능하다.

公开(公告)号：KR100651036B1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：KR1020050121839

申请日：2005-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권동승 ,  강충구 ,  박형호

IPC: H04B7/04

公开(公告)号：KR100125410B1

公开(公告)日：1997-10-06

申请号：KR1019930026783

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상기 ,  박형호 ,  이희태 ,  조경익

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：KR1019970028615A

公开(公告)日：1997-06-24

申请号：KR1019950042594

申请日：1995-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이춘수 ,  백종태 ,  조문호 ,  박형호

IPC: G01N1/28

Abstract: 본 발명은 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로는, 본 발명은 X-선 회절분석용 시료를 대기로부터 밀폐하여 고정밀도로 X-선 회절분석을 수행할 수 있는 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대에 관한 것이다.
본 발명의 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대는 일면은 개방되고 타면에는 시료지지부(22)가 형성된 시료창(21)이 상부 중앙에 형성되어 시료를 지지하기 위한 시료지지판(20); 반원통체의 외주면 중앙부에 차단막 지지대(33)의 좌우로 띠 형태의 전면창(31)이 절개형성되고 전기한 전면 창(31)은 차단막(32)으로 차단되며, 전기한 반원통체의 평면 중앙부에는 관통구(34)가 형성되어 전기한 시료지지판(20) 상의 시료를 외부 대기로부터 밀폐하기 위한 시료지지판 덮개(30); 및 전기한 시료지지판(20) 상의 시료를 외부 대기로부터 밀폐하기 위한 시료지지판 덮개(30); 및 전기한 시료지지판(20)에 덮개(30)를 고정하기 위한 고정수단(40)으로 구성된다.

公开(公告)号：KR1019950008853B1

公开(公告)日：1995-08-08

申请号：KR1019910021079

申请日：1991-11-25

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 권광호 ,  박형호 ,  김보우

IPC: H01L27/108

Abstract: depositing a first polysilicon(9) , in which the impurity ions are implanted, on a silicon substrate(8); forming a residual film(10) by reactive ion etching of the first polysilicon(9); inserting a halide in a reactive chamber and applying RF power to the chamber to form a gas plasma; converting the residual film to a SiCxHyFz film by exposing it to the gas plasma; rapidly heat treating a SiCxHyFz film to form a SiC film(11) on the polysilicon(9); removing a carbon layer(12) remained on the SiC film(11) in the rapid heat treatment process; depositing an insulation film(13) on the SiC film(11); depositing a second polysilicon(14) on the insulation film(13) to form an upper electrode; defining a capacitor region using a photosensitive film(15); and removing the photosensitive film after etching the portion except capacitor region. Formation of the SiC film having a high dielectric efficiency provides a higher capacitance.

Abstract translation: 在硅衬底（8）上沉积其中注入杂质离子的第一多晶硅（9）; 通过所述第一多晶硅（9）的反应离子蚀刻形成残留膜（10）; 在反应室中插入卤化物并向室施加RF功率以形成气体等离子体; 通过将其暴露于气体等离子体将残余膜转化为SiC x H y F z膜; 快速热处理SiCxHyFz膜以在多晶硅（9）上形成SiC膜（11）; 在快速热处理过程中除去残留在SiC膜（11）上的碳层（12）; 在所述SiC膜（11）上沉积绝缘膜（13）; 在所述绝缘膜（13）上沉积第二多晶硅（14）以形成上电极; 使用感光膜（15）限定电容器区域; 并且在蚀刻除了电容器区域之外的部分时去除感光膜。 具有高介电效率的SiC膜的形成提供更高的电容。

公开(公告)号：KR1019950002174B1

公开(公告)日：1995-03-14

申请号：KR1019910018985

申请日：1991-10-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최치규 ,  박형호 ,  이중환 ,  권오준 ,  조경익

IPC: H01L21/20

Abstract: The method includes the steps of depositing a metal film of 300-500 angstrom thickness on a silicon substrate (1) to heat-treat the substrate at 750 degree C. to form a silicide layer (6) of 1000 angstrom thickness thereon, heating the silicide layer (6) at 900-1200 degree C. to form a matched silicon epitaxial layer(7) thereon by a solid phase epitaxy, using the layer (7) as a nucleus to form an n epitaxial layer (5) thereon, and forming a trench thereinto to fill the trench with an irolating layer (8), thereby using the epitaxial silicon as a nucleus for the epitaxial growth to reduce crystal defects.

Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在硅衬底（1）上沉积300-500埃厚度的金属膜，以在750℃下对衬底进行加热处理，以形成其厚度为1000埃的硅化物层（6），加热 硅化物层（6），在900-1200℃下通过固相外延形成匹配的硅外延层（7），使用该层（7）作为核，在其上形成n外延层（5），以及 在其中形成沟槽以用移动层（8）填充沟槽，从而使用外延硅作为外延生长的核以减少晶体缺陷。