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公开(公告)号：KR100160908B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950052659
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H51/00
Abstract: 본 발명은 리드형 자기구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판을 이방성 에칭을 통해 수백 ㎛를 수직에칭한 후, 절연을 위한 열 산화막을 형성하고 질화막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 위에 아래 코일 전극을 형성하기 위한 금속을 증착하고 패턴화한 다음, 절연을 위한 산화막을 증착하는 제2단계와; 상기 제2단계의 산화막 위에 아래 자성체 코아를 무전해 도금으로 형성시키고 중간 산화막과 희생층으로서 제거될 아래 폴리이미드를 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 중간 산화막과 폴리이미드 상부에 윗 자성체 코아와 윗 폴리이미드를 증착한 후 패턴하고, 코일 지지대로서의 산화막을 증착하는 제4단계와; 상기 희생층인 아래 폴리이미드를 제거하고 식각구멍으로 산화막을 건식식각으로 패턴화하는 제5단계와; 코일을 측면으로 둘러싸기 위해 건식식각으로 아래 코일전극까지 채널을 형성시킨 후 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채운 후, 상기 윗 코일전극을 건식식각하는 제6단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 ㎑정도의 빠른 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 반도체 제조시설을 통항 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019980050573A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069404
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 반도체 장치 제조 방법에 관한 것으로, 각 속도 측정 장치의 제조에 있어서 종래의 방법인 기판 가공 기술은 식각시 정확한 수적구조를 구현할 수 있는 문제점을 해결하기 위해 결정면이 110 방향인 실리콘 웨이퍼를 기판 접합 기술에 의해 하부 전극이 제조된 실리콘 웨이퍼 위에 부착한 후, 표면 가공 기술을 이용하여 가로세로비가 크고 정확한 구조의 구현에 의해 안정된 미세 구조체의 제조를 통하여 고감도, 저전압 구동형 마이크로 자이로스코프의 구현이 가능하며, 저응력 미세 구조체의 제조과 주변 회로와의 접속을 위한 금속 전극의 제조가 용이한 마이크로 자이로스코프 제조 방법이 제시된다.
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公开(公告)号：KR1019980050455A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069278
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B27/10
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광학계용 비접촉식 렌즈 정점 위치 및 기울기 측정장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
단 렌즈의 위치와 기울기 오차를 비접촉식으로 효과적으로 측정하며, 상기 오차를 보상할 수 있는 수단을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
장치 하부에 배치되어 빛을 방출하는 광원; 상기 광원의 빛을 집속시켜 광학계 상부에 정렬된 단렌즈 표면에 결상시키는 대물렌즈; 상기 대물렌즈와 상기 광원 사이에 배치되며, 두개의 프리즘으로 구성되어, 반사된 상기 단렌즈 표면의 상기 결상을 단렌즈의 광축과 직각 방향으로 전환시켜 조사하는 광속분할기; 상기 광속분할기로부터 조사된 광 결상의 광량 및 위치를 측정하는 검지부; 상기 구성품을 소정 위치에 지지 고정하는 가대; 및 상기 가대에 연결되어 그의 상하 변위를 측정하는 거리 측정부를 포함하여 이루어진 광학계용 렌즈 정점 위치 및 기울기 측정장치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
상기와 같이 구성된 본 발명은 다수의 렌즈로 구성된 정밀 광학계의 조립에 용이하게 적용될 수 있으며, 구성 렌즈와 접촉 없이도 상기 렌즈들의 정점 위치 및 기울기를 효율적으로 측정할 수가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970076059A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019960015619
申请日：1996-05-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 고해상도 마스크 제조방법에 관한 것으로서 종래의 부가적 방법과 삭감적 방법에 의한 마스크 제조방법이 패턴 형성시 여러 가지 단점으로 인해 미세선폭의 정의가 어려웠던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 이 방법들을 통합하여 부가적 방법에 의해 제2흡수체층의 패턴을 먼저 부가적 방법으로 형성한 후, 이 제2흡수체층을 건식식각 마스크로 사용하여 제1흡수체층의 패턴을 건식식각하는 고해상도 마스크 제조방법을 제공한다.
이와같은 본 발명은 전자빔 셀 투사형 마스크 또는 이온빔 마스크를 제조하는데 이용할 수가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970054597A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950049249
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L43/00
Abstract: 본 발명은 랫칭형 열구동 마이크로 릴레이 소자에 관한 것으로, 특히 반도체 기판의 벌크내에 형성되는 릴레이 소자에 관한 것이다. 본 발명의 랫칭형 마이크로 릴레이 소자는 소정의 체적을 가지며 그 내부의 공기를 가열하는 히터(12)가 설치되어 있는 능동저장고(10)와, 상기 능동저장고(10)와 소정간격으로 이격되어 그 내부에 히터(42)가 설치되어 있으며 동일한 체적을 갖는 수동저장고(40)와, 상기 능동저장고(10)와 수동저장고(40) 사이에 공간으로 연장되어 접점금속인 액체금속(50)의 이동로로서 역할을 하는 채널(20)과, 서로 이격되어 상기 채널(20)의 소정영역에서 각각 채널의 내부에 일단이 삽입되어 외부로 진행하는 제1신호전극(30)과, 상기 제1신호전극(30)과 일정간격으로 이격되어 동일한 형상으로 형성되어 있는 제2신호전극(32)과, 상기 채널의 내부에 실장되어 제1신호전극(30)과, 제2신호전극(32)의 접점으로서 역할을 하는 액체 금속(50)과, 반도태 기판(100)의 상,하 측면에 접합 어 있는 상,하부 유리기판(120,130)을 포함하여 구성된다
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970051604A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052682
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 랫칭형 자기력 구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판의 바닥면에 습식 식각에서 마스크로 사용하기 위한 열산화막과 질화막을 순차적으로 형성한 후, 구조체 형태로 건식 식각하는 제1단계와; 상기 제1단계의 수행 후, 비등방성 용액으로 십 ㎛ 정도로 습식 식각을 하고 상기 구조체 부분의 절연을 위해 산화막을 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 마이크로 릴레이의 전극을 만들기 위해 얇은 금속층을 입힌 후, 전기도금으로 후막의 전극을 형성하고, 건식 식각으로 나머지 얇은 금속층을 제거하는 제3단계와; 상기 제3단계의 전기도금 방법으로 코일을 형성한 다음, 폴리이미드를 덮은 후 패턴을 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계의 수행 후, 상기 구조 위에 자기코아와 희생층을 각각 올린 후, 패턴을 형성하는 제5단계와; 상기 자기 코아의 절연과 저장고의 제작을 위해 폴리이미드를 올리고 상기 희생층 제거를 위한 구멍을 제작한 후, 자기 코아의 전극을 전기도금으로 제작하고 상기 희생층을 제거하여 틈을 만드는 제6단계와; 상기 제6단계의 수행 후, 실리콘 기판 뒷면의 질화막과 산화막을 건식 식각한 후 비등방성 습식 식각을 이용하여 수은 주입구를 제작하는 제7단계와; 상기 제7단계의 수행 후, 밀봉과 절연을 위해 폴리이미드를 올리고 코일을 제작한 후, 릴레이 구조체에 압력을 이용하여 수은을 주입한 다음 글라스를 실리콘 기판에 자외선 접착제로 밀봉하는 제8단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 MHz에서 반복 스위칭 동작과 함께 액체 접점으로 인해 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019970051558A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052658
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H1/00
Abstract: 본 발명은 자기력 구동 마이크로 릴레이 구조체 및 그 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 기판의 상부면과 바닥면에 절연을 위해 열 산화막을 올린 후, 상기 바닥면 위에 도금의 전극이 될 얇은 금속층을 형성하는 제1단계와; 상기 금속층 위에 폴리이미드를 입혀 패턴을 전사하여 다수의 소정 부분의 금속층이 나타나도록 건식식각하는 제2단계와; 상기 나타난 금속층을 전극으로 하여 구리를 전해 및 무전해 도금으로 코일 바닥면을 제작하는 제3단계와; 상기 코일부분을 제외한 금속층을 제거한 후 산화막 또는 폴리이미드를 덮어 코일 부분인 구리를 보호하는 제4단계와; 후막의 자성체 코아를 형성하기 위해 마스크로 사용할 기판 상부면의 열 산화막을 코아의 패턴 형태로 건식식각한 후 습식 식각방법에 의해 소정 깊이 이상을 식각하는 제5단계와; 상기 제5단계의 식각된 코아 형성부분에 금속층을 입힌 후 자성체를 전기도금으로 제작하는 제6단계와; 상기 도금 전극으로 사용한 금속층을 건식식각으로 제거하고, 절연을 위해 상기 형성된 코아 상부에 소정크기의 산화막을 형성하는 제7단계와; 상기 기판 밑면의 구리코일을 웨이퍼 윗면으로 연결배선하기 위해 습식식각에서 마스크로 사용할 산화막을 건식식각한 후, 비등방성 식각을 하여 밑면의 구리코일 배선이 나타날 때까지 식각하고, 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채우는 제8단계와; 상기 제5단계와 제6단계의 수행 후에 형성된 후막의 분리된 자성체 상부에 형성된 산화막을 식각한 후 밑면 전극이 될 금을 리프트 오프 방법으로 제작하고, 후막의 알루미늄 또는 폴리이미드를 채워 넣은 희생층을 형성하여 전극접점 부위를 형성하는 제9단계와; 상기 희생층 위에 릴레이의 윗면 전극이 될 금과 전기적 절연을 위한 산화막을 올리는 제10단계를 포함하여 이루어지며 실리콘 웨이퍼의 벌크 마이크로 머시닝 기술, 전기도금 기술 및 반도체 공정기술을 이용하여 기존의 릴레이보다 소형이고, 집적회로 공정과 호환성이 있는 자기 구동 마이크로 릴레이 구조체 구조에 관한 것으로, 수백 ㎒에서 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이(array)구성이 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019970048636A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052657
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B27/00
Abstract: 본 발명은 모아레 무늬를 이용한 광학계 성능 측정장치 및 측정방법에 관한 것이다.
본 발명의 광학계 성능 측정장치는 기준격자(1)와, 시편격자(2)와, 조명광원(3)과, 광검출기(5)와, 로타리 스테이지(6)를 포함한다.
아울러, 본 발명의 광학계 성능 측정방법은, 광학계의 상 위치에 기준격자(1)을 광축에 수직되게 위치시키는 단계; 시편격자(2)를 광학계(4)의 물체위치에 위치시키는 단계; 조명광원(3)을 비추어 시편격자(2)가 광학계(4)에 의해 상 위치에 결상되게 하여 결상된 시편격자(2)의 상과 기준격자(1)에 의해 모아레무늬를 생성하는 단계; 상기한 모아레무늬의 강도분포를 광검출기(5)를 이용하여 측정하는 단계; 기준격자(1)가 놓인 로타리 스테이지(6)를 이동하면서 각 지점에서의 모아레무늬의 밝은 부분 강도와 어두운 부분의 강도를 측정하여 모아레무늬에 대한 강도분포의 차이가 최대인 지점을 찾는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1019970048457A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950047433
申请日：1995-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01C19/00
Abstract: 본 발명은 원판 진동형 마이크로 자이로스코프 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마이크로 자이로스코프는, 원판형 진동체(2)를 지지하기 위한 지지대(3); 상부 구동전극(4)과의 정전력에 의해 가진되어 회전시 공진주파수를 2개의 서로 다른 근접한 주파수로 천이시키기 위한 원판형 진동체(2); 원판형 진동체(2)와의 정전용량 변화에 의해 자이로스코의 회전 각속도를 검출하기 위한 하부 검출전극(5); 및 상기한 원판형 진동체(2)를 구동시키기 위한 상부 구동전극(4)을 포함한다.
또한, 본 발명의 마이크로 자이로스코프 제조방법은, 실리콘 기판(1) 상에 절연층(6)을 증착시키고, P형 또는 N형 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 전기한 절연층(6) 위에 증착시키고, 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 소정 부분을 제외한 나머지 부분을 제거하여 신호검출을 위한 하부 검출전극(5)을 형성하는 공정; 하부 희생층(8)으로서 상기 공정에서 얻어진 구조의 전 표면에 산화막을 PECVD법에 의해 증착하고, 하부 검출전극(5) 간의 절연층(6)이 노출되도록 하부 희생층(8)을 건식 식각에 의해 형성하는 공정; 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 하부 희생층(8) 상에 증착하고, 지지대(3) 및 원판형 진동체(2)를 제외한 부분을 건식 식각하는 공정; 산화막의 하부 희생층(8)을 PECVD법에 의해 상기한 지지대(3) 및 원판형 진동체(2) 상에 증착하고 공정; 패턴을 형성하고 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 상부 희생층(7) 상에 증착하는 공정; 및, 상기한 상부 희생층(7) 및 하부 희생층(8)을 습식 식각하는 공정을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1019970023753A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950034137
申请日：1995-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 반도체 제조공정에서 플라즈마 표면처리를 이용한 배선금속박막의 평탄화 장비에 관한 것으로 증착된 금속박막과 접속창 및 비아구멍의 플라즈마에 의한 표면처리로 기판 또는 박막표면의 불순물과 산화물의 제거가 가능하고, 정밀한 온도제어가 가능하며, 금속박막증착 후의 가열에 의한 리플로우(reflow) 열처리와 접촉창과 비아의 전처리 공정을 하나의 반응로 내에서 동시 또는 순차적으로 수행 가능하기 위하여 반응로의 상부에 장착되며, 이온화율이 높고 플라즈마 포텐셜이 낮아 반응로로 부터의 오염물질이 적고, 웨이퍼로 입사되는 이온에너지가 작아 접촉창과 비아구멍의 손상을 최소화 할 수 있는 TCP(Transformer Coupled Plasma)를 플라즈마원으로 사용하는 플라즈마 세정 모듈과; 외선 램프와 반사효율 및 온도 균일도를 위한 반사경에 의해 웨이퍼홀더 어셈블러를 가열하여 간접가열방식에 의해 기판의 열처리가 가능하도록 기판가열모듈과; 반응로의 진공유지를 위한 반응로 일측의 진공배기구를 포함하는 진공모듈과; 웨이퍼 홀더 구동기구와 구동축 및 벨로오즈를 구성요소로 하는 웨이퍼 반송모듈로 구성됨을 특징으로 하는 것임.
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