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公开(公告)号：KR101878934B1
公开(公告)日：2018-08-20
申请号：KR1020160008222
申请日：2016-01-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/66
Abstract: 전자소자를제공한다. 전자소자는, 기판상에순차적으로적층된제1 반도체층및 제2 반도체층과, 제2 반도체층상에배치된소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함한다. 전자소자는소스전극과전기적으로연결되며드레인전극방향으로연장하며드레인전극으로갈수록기판으로부터멀어지는필드플레이트를더 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170027257A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020160020723
申请日：2016-02-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은복수의비자성기판들이적층된제1 적층체; 비자성기판들중 적어도어느하나에배치된전자소자들; 상기전자소자가배치된상기비자성기판상에배치되어, 상기전자소자와연결되는제1 도전성패턴들; 상기제1 도전성패턴들의각각을연결되는적어도하나의제1 비아전극; 상기제1 적층체의일측에배치되고, 복수의자성시트들이적층된제2 적층체; 상기자성시트들중 적어도 2개에배치되는제2 도전성패턴들; 및상기제2 도전성패턴들의각각을연결하는적어도하나의제2 비아전극을포함하고, 상기제1 비아전극과상기제2 비아전극은서로연결되는전력변환장치에관한것이다.
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公开(公告)号：KR100593304B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040057043
申请日：2004-07-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: 본 발명은 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선택적 결정 성장법을 이용하여 도파로형 광검출기의 광흡수층 두께를 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터층 두께보다 두껍게 성장함과 아울러 반절연 InP 기판 상부에 도파로형 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 단일 칩으로 집적화함으로써, 광전변환 효율이 높고 초고속 특성을 갖는 도파로형 광검출기를 간단하게 구현할 수 있도록 한 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것이다.
광통신 시스템, 광전집적 수신회로, 도파로형 광검출기, 이종접합 바이폴라 트랜지스터, 절연층 패턴-
公开(公告)号：KR101851620B1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：KR1020160040357
申请日：2016-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/02 , H01L29/778 , H01L27/06 , H01L29/772
Abstract: 본발명은 Sense-FET를사용한안정화회로구조를제안한다. 본발명에따른전력반도체모듈은 D-Mode FET와상기 D-Mode FET와동일한구조를가지며면적을달리하는 Sense-FET를포함한다. 전력반도체모듈은 Sense-FET의구동을위해필요한 E-Mode FET 뿐만아니라, 저항, 커패시터, 인덕터, 또는다이오드등과같은회로소자를포함하는안정화회로를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170057114A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160067678
申请日：2016-05-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/872 , H01L29/778 , H01L41/08
Abstract: 본발명의실시예에따른하이브리드다이오드소자를제공한다. 하이브리드다이오드소자는기판상에배치되고, 제 1 전자가스층(2-Dimesional Electron Gas: 2DEG)을포함하는제 1 하부질화막, 상기제 1 하부질화막에서상기기판의외각으로연장되고, 제 2 전자가스층을포함하는제 2 하부질화막, 상기제 1 하부질화막상에배치되는제 1 상부질화막, 상기제 2 하부질화막상에배치되는제 2 상부질화막, 상기제 1 상부질화막상에배치되는제 1 캡(cap)층, 상기제 2 상부질화막상에배치되는제 2 캡층, 상기제 1 하부질화막및 상기제 1 캡층과연결되는제 1 전극구조체, 상기제 2 하부질화막과연결되고, 상기제 1 전극구조체와연결되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 2 하부질화막은동적인움직임에의해전기를생성한다.
Abstract translation: 提供了根据本发明实施例的混合二极管器件。 混合二极管器件布置在所述基板，第一电子气体层上：在第一下部氮化物膜延伸，含有（2-时二维电子气2DEG）在基板外壳第一下部氮化物膜中，两个电子气 设置在第一下氮化膜上的第一上氮化膜，设置在第二下氮化膜上的第二上氮化膜，设置在第一上氮化膜上的第一帽， 层，所述第二被连接到所述第二帽，第一下氮化物膜，并与第一盖层连接在所述第一电极结构，设置在所述第二上氮化物层上，并连接到第一电极结构中的第二下部氮化物膜， 并且第二电极结构，并且第二下氮化物膜通过动态运动而发电。
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公开(公告)号：KR1020170089390A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：KR1020160101508
申请日：2016-08-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/735 , H01L21/28 , H01L29/49 , H01L21/768
Abstract: 반도체소자는기판, 기판상의제1 반도체층및 제1 반도체층상의제2 반도체층을포함하는반도체구조체, 반도체구조체상에제공되는제1 패시베이션패턴, 및반도체구조체상에제공되고, 제1 패시베이션패턴으로부터이격되는제1 및제2 도전패턴들을포함한다.
Abstract translation: 一种半导体器件被提供在衬底上，半导体结构包括衬底上的第一半导体层和第一半导体层上的第二半导体层，设置在半导体结构上的第一钝化图案以及第一钝化图案 以及与第一和第二导电图案间隔开的第二和第二导电图案。
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公开(公告)号：KR1020170055394A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020160028960
申请日：2016-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/081
Abstract: 본발명의실시예에따른캐스코드스위치는입력전압을수신하는제1 드레인단자, 제1 게이트단자, 및제1 소스단자를포함하는제1 트랜지스터, 제1 소스단자와연결된제2 드레인단자, 제1 게이트단자와연결된제2 소스단자, 및외부장치로부터제어신호를수신하도록구성되는제2 게이트단자를포함하는제2 트랜지스터, 및제2 트랜지스터와병렬연결되고, 적어도하나의제너다이오드및 적어도하나의저항소자를포함하는보호회로를포함한다.
Abstract translation: 在根据本发明的一个实施方式的串叠开关，耦合到所述第一晶体管的第二漏极端子，其包括第一漏极端子，第一栅极端子的第一源极端子，mitje第一源端，用以接收一输入电压，第一 第二个是并联连接至所述晶体管，mitje第二晶体管，至少一个齐纳二极管和至少一个电阻元件和被配置为从第二源终端接收控制信号的第二栅极端，和外部设备连接到栅极端子 还有一个保护电路。
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公开(公告)号：KR1020170012861A
公开(公告)日：2017-02-03
申请号：KR1020160007195
申请日：2016-01-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/861 , H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 본발명의실시예에따른브릿지다이오드를제공한다. 브릿지다이오드는기판상에순차적으로적층되는제 1 하부질화막및 제 1 상부질화막을포함하는제 1 구조, 상기기판상에순차적으로적층되는제 2 하부질화막및 제 2 상부질화막을포함하는제 2 구조, 상기제 1 구조상에배치되는제 1 전극구조체및 상기제 2 구조상에배치되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 1 전극구조체는시계방향으로배열되는제 1 전극, 제 2 전극및 제 3 전극을포함하고, 상기제 2 전극구조체는시계방향으로배열되는제 4 전극, 제 5 전극및 제 6 전극을포함하고, 상기제 1 전극과상기제 6 전극및 상기제 3 전극과상기제 4 전극은서로연결되어외부회로와연결되고, 제 2 전극과제 5 전극은각각외부회로와연결된다.
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公开(公告)号：KR1020160107397A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150029809
申请日：2015-03-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L23/467 , H01L27/0211 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L27/20
Abstract: 본발명은반도체소자를제공한다. 반도체소자는동적인움직임으로냉각매체의흐름을발생시키는외팔보를갖는기판, 상기기판상에제공된활성영역, 상기기판상에상기활성영역과이격되어배치되는절연막, 상기절연막상에배치되는하부전극, 상기하부전극상에배치되는압전막및 상기압전막상에배치되는상부전극을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件。 半导体器件包括具有用于产生具有动态运动的冷却介质的流动的悬臂的衬底，在衬底上提供的有源区，布置成与衬底上的有源区间隔开的绝缘膜，布置成 在绝缘膜上，布置在下电极上的压电膜和布置在压电膜上的上电极。
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公开(公告)号：KR1020050063661A
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020040057043
申请日：2004-07-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L29/7302 , H01L29/737 , H01L31/105
Abstract: 본 발명은 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선택적 결정 성장법을 이용하여 도파로형 광검출기의 광흡수층 두께를 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터층 두께보다 두껍게 성장함과 아울러 반절연 InP 기판 상부에 도파로형 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 단일 칩으로 집적화함으로써, 광전변환 효율이 높고 초고속 특성을 갖는 도파로형 광검출기를 간단하게 구현할 수 있도록 한 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것이다.
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