公开(公告)号：KR100651757B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020050121034

申请日：2005-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고현성 ,  박정우 ,  백용순

IPC: G01K7/01 ,  H01L33/00

Abstract: An apparatus for measuring the temperature of a semiconductor light emitting device is provided to precisely measure the temperature of an active region of a semiconductor light emitting device by using a temperature sensing diode integrated next to the semiconductor light emitting device. A light emitting device(220) is integrated on a semiconductor substrate(200). A temperature sensing diode(230) is integrated in parallel with the light emitting device. An insulator(240) electrically insulates the light emitting device from the temperature sensing diode, located between the light emitting device and the temperature sensing diode. A first electrode(210) is formed on the bottom side of the semiconductor substrate, used as a common electrode of the light emitting device and the temperature sensing diode. A second electrode is formed on the light emitting device and the temperature sensing diode. The light emitting device and the temperature sensing diode are separated by an etch method and the separated portion is filled with the insulator.

Abstract translation: 提供一种用于测量半导体发光器件的温度的设备，以通过使用集成在半导体发光器件旁边的温度感测二极管来精确测量半导体发光器件的有源区的温度。 发光器件（220）集成在半导体衬底（200）上。 温度感测二极管（230）与发光器件并联集成。 绝缘体（240）将发光器件与位于发光器件和温度感测二极管之间的温度感测二极管电绝缘。 第一电极（210）形成在半导体衬底的底侧上，用作发光器件和温度感测二极管的公共电极。 在发光器件和温度传感二极管上形成第二电极。 发光装置和温度感测二极管通过蚀刻方法分开，并且分离的部分被绝缘体填充。

公开(公告)号：KR1020050058630A

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020030090569

申请日：2003-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임영안 ,  백용순 ,  이철욱 ,  이동훈 ,  심재식 ,  고현성 ,  김기수

IPC: G02B6/12

Abstract: 본 발명은 전기 광학적 크로스토크 및 수율을 개선할 수 있는 트랜스미터 및 리시버를 포함하는 양방향 모듈 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 트랜스미터 및 리시버로 구성되는 양방향 모듈로서, 상기 트랜스미터는 외부 공동(external cavity)을 갖는 DFB(distributed feedback) 레이저 다이오드를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040098421A

公开(公告)日：2004-11-20

申请号：KR1020030030777

申请日：2003-05-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  박문호 ,  이지면 ,  이철욱 ,  김기수 ,  고현성 ,  박상기 ,  정영철 ,  김수현

IPC: H01S3/0941

CPC classification number: H01S5/06258 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1228

Abstract: PURPOSE: A widely tunable SG-DFB(Sampled Grating-Distributed FeedBack) laser diode oscillated according to a variation of refractive indexes of phase control regions is provided to enhance the optical efficiency by connecting directly optical waves of a gain region to an optical fiber without loss. CONSTITUTION: A widely tunable SG-DFB laser diode includes a first gain region and a second gain region. The widely tunable SG-DFB laser diode further includes a first SG-DFB structure and a second SG-DFB structure. The first SG-DFB includes a first sampled grating(34a) of a first period formed on the first gain region and a first phase control region(35a) formed between the first sampled gratings. The second SG-DFB includes a second sampled grating(34b) of a second period formed on the second gain region and a second phase control region(35b) formed between the second sampled gratings.

Abstract translation: 目的：提供根据相位控制区域的折射率变化而振荡的可广泛调整的SG-DFB（采样光栅分布反馈）激光二极管，以通过将增益区域的光波直接连接到光纤而不加 失利。 构成：广泛可调的SG-DFB激光二极管包括第一增益区和第二增益区。 广泛可调的SG-DFB激光二极管还包括第一SG-DFB结构和第二SG-DFB结构。 第一SG-DFB包括形成在第一增益区上的第一周期的第一采样光栅（34a）和形成在第一采样光栅之间的第一相位控制区（35a）。 第二SG-DFB包括形成在第二增益区上的第二周期的第二采样光栅（34b）和形成在第二采样光栅之间的第二相位控制区（35b）。

公开(公告)号：KR1020150043064A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：KR1020130122052

申请日：2013-10-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고현성 ,  박경현 ,  박정우 ,  한상필 ,  김남제 ,  문기원 ,  김대용

IPC: H01L31/09

CPC classification number: H01L31/08 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/18

Abstract: 광크로스토크를줄일수 있는어레이형광검출기를제조하는방법을제시한다. 제시된방법은도핑된기판을준비하는단계, 도핑된기판의일면상에부도체층을성장시키는단계, 부도체층의상면에광검출기어레이제조층을성장시키는단계, 광검출기어레이제조층을식각하여광검출기어레이를제조하되부도체층의일부에까지식각하는단계, 도핑된기판의타면에식각마스크를형성하는단계, 및식각마스크를통해도핑된기판의타면을식각하여도핑된기판의타면에혼 안테나역할을하는어퍼쳐어레이를형성하는단계를포함한다.

Abstract translation: 公开了一种能够减少光串扰的阵列型光检测器的制造方法。 制造阵列型光学检测器的方法包括以下步骤：制备掺杂的衬底; 在掺杂衬底的一个表面上生长非导电层; 在非导电层上生长光学检测器阵列制造层; 蚀刻光学检测器阵列制造层以制造光学检测器，蚀刻在非导电层的一部分上进行; 在掺杂衬底的另一表面上形成蚀刻掩模; 以及通过通过蚀刻掩模蚀刻掺杂衬底的另一表面，在掺杂衬底的另一表面上形成用作喇叭天线的孔径阵列。

公开(公告)号：KR101374321B1

公开(公告)日：2014-03-17

申请号：KR1020120109025

申请日：2012-09-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 류한철 ,  김남제 ,  한상필 ,  박경현 ,  고현성 ,  박정우

IPC: G01B11/06 ,  G01N21/35

Abstract: 본 발명에 따른 비접촉 두께 측정 장치는, 제 1 주파수의 제 1 레이저 광 및 상기 제 1 주파수와 다른 제 2 주파수의 제 2 레이저 광을 발생하는 레이저 발생 소자, 상기 발생된 제 1 및 제 2 레이저 광들을 결합하는 결합기, 상기 결합기로부터 출력된 제 1 광신호를 입력 받고, 상기 입력된 제 1 광신호와 인가된 바이어스에 의하여 테라헤르츠 연속파를 발생하는 테라헤르츠파 송신기, 상기 결합기로부터 출력된 제 2 광신호를 지연시키는 광지연라인, 및 시료를 투과한 상기 테라헤르츠 연속파를 수신하고, 상기 수신된 테라헤르츠 연속파 및 상기 지연된 제 2 광신호를 이용하여 호모다인 방식으로 광전류를 검출하는 테라헤르츠파 수신기를 포함하고, 상기 시료의 두께는 상기 광전류에 대응하는 값이다.

公开(公告)号：KR101165720B1

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：KR1020080114580

申请日：2008-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고현성 ,  허철 ,  김경현 ,  김완중 ,  김봉규 ,  성건용 ,  박선희

IPC: G01N33/53 ,  G01N33/50 ,  G01N21/00

CPC classification number: G01N21/31 ,  G01J3/4406 ,  G01J2003/2859 ,  G01N2201/0221

Abstract: 본 발명은 휴대형 광바이오 센서 측정 장치를 제공한다. 이 장치는 제1 선폭을 가진 광을 방출하는 광방출부, 광방출부의 출력광을 직접 또는 간접적으로 제공받는 광바이오 센서, 및 광바이오 센서의 반사광 또는 투과광에서 제2 선폭을 가지는 하나의 피크 파장을 검출하는 피크 파장 검출기를 포함하되, 제1 선폭은 제2 선폭보다 크고, 광바이오 센서는 항원-항체 반응에 따라 피크 파장을 제공한다.
광바이오센서, 피크 파장 검출기, 반사율, 투과율

公开(公告)号：KR1020120065808A

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：KR1020100127117

申请日：2010-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김남제 ,  박경현 ,  임영안 ,  고현성 ,  한상필 ,  이철욱 ,  이동훈

IPC: H01S1/00

CPC classification number: H01S5/06258 ,  G02F1/3534 ,  G02F2/002 ,  G02F2203/13 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/4087

Abstract: PURPOSE: A tera-herts wave generator is provided to enhance portability and reliability by providing a structure of being integrated on one chip. CONSTITUTION: A tera-herts wave generator(100) includes a double mode semiconductor laser device(110) and a photo mixer(120). The double mode semiconductor laser device provides mixed light of two different wavelengths to the photo mixer. The double mode semiconductor laser device generates two continuous wave laser beams having different wavelengths. The double mode semiconductor laser device is made of a device which is integrated with the photo mixer in one-chip. The photo mixer can be composed of a photoconductor(122) formed into a thin film on a substrate and antennas(124,125). Electrodes(126,127) for providing a bias can be further included in the antennas, respectively.

Abstract translation: 目的：提供tera-herts波发生器，通过提供集成在一个芯片上的结构来增强便携性和可靠性。 构成：泰勒波特发生器（100）包括双模半导体激光装置（110）和光混合器（120）。 双模半导体激光器件将两种不同波长的混合光提供给光电混合器。 双模半导体激光器件产生具有不同波长的两个连续波激光束。 双模半导体激光器件由与单片式光混合器集成的器件制成。 光混合器可以由形成在衬底上的薄膜的光电导体（122）和天线（124,125）组成。 用于提供偏置的电极（126,127）可以分别进一步包括在天线中。

公开(公告)号：KR1020100061602A

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：KR1020080120187

申请日：2008-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 허철 ,  김경현 ,  고현성 ,  김봉규 ,  김완중 ,  성건용 ,  박선희

IPC: H01L33/08

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to improve the field effect light emission efficiency by including a light emitting film containing the silicon particle and a light emitting supplementary film with the bigger energy band gap than the light emitting film. CONSTITUTION: A light emitting structure(110) includes a light emitting film and a light emitting supplementary film. The light emitting film contains silicon particles. The light emitting structure is interposed between a hole injection layer(100) and an electron injection layer(120). The light emitting structure comprises a first light emitting film(112), a second light emitting film(118), a light emitting supplementary film(114), and a third light emitting film(116).

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件，通过包括含有硅颗粒的发光膜和具有比发光膜更大的能带隙的发光辅助膜来提高场效应发光效率。 构成：发光结构（110）包括发光膜和发光辅助膜。 发光膜含有硅颗粒。 发光结构介于空穴注入层（100）和电子注入层（120）之间。 发光结构包括第一发光膜（112），第二发光膜（118），发光辅助膜（114）和第三发光膜（116）。

公开(公告)号：KR100818635B1

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：KR1020070054885

申请日：2007-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  고현성 ,  임영안 ,  전민용 ,  심은덕 ,  김성복

IPC: H01S3/0941

CPC classification number: H01S3/09415 ,  H01S3/10053 ,  H01S3/1127 ,  H01S5/06258

Abstract: A self oscillating laser diode is provided to develop a stable ultra short pulse laser by injecting an RF, and to develop an active ultra short pulse laser with a low cost by using a sub-harmonic RF locking structure. A self oscillating laser diode comprises a DFB(distributed feedback) sector(100), a gain sector(200), a phase adjusting sector(300), and an external RF inputting part(500). The DFB sector performs a role of a reflector. The gain sector is connected with the DFB sector, and an as-cleaved facet is formed in an end of the gain sector. The phase adjusting sector positioned between the DFB sector and the gain sector. The external RF inputting part injects an external RF signal to at least one sector of the DFB sector and the gain sector. The external RF inputting part is embodied by an impedance-matched module.

Abstract translation: 提供了一种自激振荡激光二极管，通过注射RF来开发稳定的超短脉冲激光器，并通过使用次谐波RF锁定结构开发低成本的有源超短脉冲激光器。 自振荡激光二极管包括DFB（分布式反馈）扇区（100），增益扇区（200），相位调整扇区（300）和外部RF输入部分（500）。 DFB扇区执行反射器的作用。 增益扇区与DFB扇区连接，并且在增益扇区的末端形成一个切割面。 相位调整扇区位于DFB扇区和增益扇区之间。 外部RF输入部分将外部RF信号注入DFB扇区和增益扇区的至少一个扇区。 外部RF输入部分由阻抗匹配模块实现。

公开(公告)号：KR1020060064466A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050042422

申请日：2005-05-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고현성 ,  오수환 ,  박상기 ,  이철욱 ,  박문호 ,  김기수

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S3/0675 ,  G02B6/29361 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/18397

Abstract: 파장 가변 레이저 다이오드의 파장과 광신호 채널을 일치시키기 위한 측정 시간을 감소시킬 수 있는 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 이를 이용한 측정방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템은, 파장 가변 레이저 다이오드에 전류를 공급하는 전류 공급부와, 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력을 측정하는 제 1 광출력 측정기 및 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력 중 아이티유 그리드(ITU-GRID)에서 제공되는 광신호 채널과 오차 범위내에서 일치하는 광 출력만을 필터링하여 측정하는 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기를 포함한다. 또한, 상기 제 1 광출력 측정기에서 측정된 광 출력과 상기 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기에서 측정된 광 출력을 비교하여 상기 전류 공급부의 전류 공급량을 제어하는 제어부를 포함한다.
파장 가변 레이저 다이오드, 에탈론