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公开(公告)号：KR1020170043472A
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：KR1020160133143
申请日：2016-10-13
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B01J21/00 , B01J23/00 , H01B1/04 , H01B5/14 , C01B32/186
Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用聚合物介导的石墨烯沉积方法制造其上具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板的方法; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定这增加了含有金属的层的表面能（上）石墨烯薄膜的含有金属的层的金属表面状况，并且确定用于含金属层改变到金属表面上确定的状态的条件。
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Patent Agency Ranking12.发明公开금속 산화물 함유 금속층 상에서 금속 산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법 审中-实审一种在减少含金属氧化物的金属层上的金属氧化物含量的同时形成碳基钝化膜的方法
公开(公告)号：KR1020170034780A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020160120991
申请日：2016-09-21
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은금속산화물및/또는금속수산화물함유금속층과의계면에서금속산화물및/또는금속수산화물함량을저감시키면서탄소계패시베이션막을형성시키는방법; 이를이용하여금속층및 상기금속층상에형성된탄소계패시베이션막을구비한금속전극; 및이를이용하여용액공정으로유기소자를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른어닐링조건에서탄소계패시베이션막을금속산화물및/또는금속수산화물함유금속층표면에형성시키는경우, 금속표면에이미존재하는산화막및/또는수산화막을환원시키고더 이상의산화및 부식이일어나지않도록금속표면을보호할수 있을뿐만아니라, 계면저항이낮아서금(Au)과같이자연산화막이형성되지않는금속전극으로활용할수 있다.
Abstract translation: 如何实现本发明，同时减少在使用包含金属氧化物和/或金属氢氧化物，以形成基于碳的钝化膜的金属层的界面上的金属氧化物和/或金属氢氧化物的内容; 金属电极，具有金属层和形成在金属层上的碳基钝化膜; 以及使用其的溶液法制造有机器件的方法。 当根据本发明的用于形成含有金属表面的碳基钝化膜的金属在退火条件氧化物和/或金属氢氧化物，金属表面艾米存在氧化物和/或金属的氢氧化物，使得减少和另外的氧化和腐蚀发生膜表面 不仅被保护，可以使用，因为这是一个自然氧化膜不形成作为界面电阻低，金（Au）的金属电极。
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公开(公告)号：KR1020150002972A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020130074870
申请日：2013-06-27
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: G01B7/16 , G01L1/20 , G01N27/308 , G01N27/4111 , G01N27/4146
Abstract: The present invention relates to a bipolar strain sensor having a carbon nanotube (CNT) network film on a flexible substrate and a manufacturing method thereof. The bipolar strain sensor of the present invention can electrically detect and measure the size and orientation of the strain by applying metallic carbon nanotubes and the semiconducting carbon nanotubes, which are randomly arranged and connected, on one surface of the flexible substrate. Moreover, the bipolar strain sensor of the present invention has an advantage of being mass-manufactured at low cost through an easy and simple process and of being used as a chemical sensor capable of electrically detecting the presence and concentration of certain chemicals.
Abstract translation: 本发明涉及一种在柔性基板上具有碳纳米管（CNT）网状膜的双极应变传感器及其制造方法。 本发明的双极应变传感器可以通过在柔性基板的一个表面上施加金属碳纳米管和随机排列和连接的半导体碳纳米管来电检测和测量该应变的尺寸和取向。 此外，本发明的双极应变传感器具有通过简单且简单的方法以低成本批量制造并且用作能够电检测某些化学品的存在和浓度的化学传感器的优点。
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公开(公告)号：KR1020120055227A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：KR1020100116840
申请日：2010-11-23
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: G01N27/30 , B82B3/00 , C01B32/16 , G01N27/327 , G01N27/4146
Abstract: PURPOSE: A carbon nano tube electrode manufacturing method and a carbon nano tube electrode manufactured by the same are provided to manufacture an electrode by degrading a polymer resin having a light-functional group so that a process of a vacuum evaporation is not necessary. CONSTITUTION: A carbon nano tube(5) electrode manufacturing method is as follows. A bottom electrode is formed on the upper part of a substrate(1) made of insulating materials. A catalyst layer(4) is formed on the bottom electrode. The carbon nano tubes are placed on the substrate where the catalyst layer is formed. The substrate is made of insulating materials selected from a group including the silicon, quartz, sapphire, pyrex glass and alumina. The bottom electrode is formed into the carbon material including a deterioration carbon, graphene, a carbon nanotube film, a activated carbon, a diamond thin film, and graphite.
Abstract translation: 目的：提供一种碳纳米管电极的制造方法和由其制造的碳纳米管电极，通过降低具有光官能团的聚合物树脂来制造电极，从而不需要真空蒸发的过程。 构成：碳纳米管（5）电极的制造方法如下。 底部电极形成在由绝缘材料制成的基板（1）的上部。 催化剂层（4）形成在底部电极上。 将碳纳米管放置在形成有催化剂层的基板上。 基板由选自包括硅，石英，蓝宝石，发泡玻璃和氧化铝的组的绝缘材料制成。 底部电极形成为包含劣化碳，石墨烯，碳纳米管膜，活性炭，金刚石薄膜和石墨的碳材料。
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公开(公告)号：KR101049798B1
公开(公告)日：2011-07-19
申请号：KR1020090086501
申请日：2009-09-14
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 나노 전자소자 및 화학센서, 바이오센서 기타에 응용될 수 있는 단일겹 탄소 나노튜브 트랜지스터의 대량생산 방법에 관한 것이다.
변형된 퍼니스 및 필오프과정을 이용한 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법은 SiO2층으로 절연된 실리콘 기판 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 형성하여 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴을 제작하는 1단계; 상기 실기콘 기판위의 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴에 Fe/Mo 촉매를 도포하고 건조하는 2단계; Fe/Mo 촉매위에 PDMS를 덮어준다음 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층 위에 형성된 Fe/Mo 촉매를 필오프하는 3단계; 상기 Fe/Mo촉매와 반응한 실리콘 기판을 아세톤 용액에 담가 상기 폴리메틸메타크릴레이트를 리프트오프하여 제거하는 4단계; 퍼니스속에서 단일겹 탄소나노튜브를 성장시키는 5단계; 및 성장된 단일겹 탄소나노튜브에 전극을 형성하는 6단계;를 포함하고, 전 기판면적에 균일한 탄소 나노튜브의 성장이 가능한 퍼니스를 사용하고, 상기 Fe/Mo 촉매의 위치 선택적 도포가 가능한 것을 특징으로 한다.
단일겹 탄소나노튜브, 열증착법, 탄소나노튜브트랜지스터, 퍼니스구조, 필오프, 선택적 탄소 나노튜브 성장Abstract translation: 本发明涉及碳纳米管晶体管的单层大量生产方法可以应用于纳米电子器件和化学传感器，生物传感器等。
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公开(公告)号：KR1020110028872A
公开(公告)日：2011-03-22
申请号：KR1020090086501
申请日：2009-09-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H01L29/72 , B82B3/00 , C01B32/158 , C01B2202/02
Abstract: PURPOSE: A mass production method of single layer carbon nanotube transistor is provided to mass produce the transistor of high performance which can be used as sensor with high sensitivity by enabling the selective growth of the carbon nano tube. CONSTITUTION: The polymethyl methacrylate layer is formed on a silicon substrate. The Fe/Mo catalyst is spread on the polymethyl methacrylate layer. The Fe/Mo catalyst formed on the polymethyl methacrylate layer is peeled off. The polymethyl methacrylate layer is removed by dipping the silicon substrate reacted with the Fe/Mo catalyst in the acetone solution.
Abstract translation: 目的：提供单层碳纳米管晶体管的批量生产方法，大量生产高性能晶体管，可以通过实现碳纳米管的选择性生长，将其用作具有高灵敏度的传感器。 构成：聚甲基丙烯酸甲酯层形成在硅基板上。 Fe / Mo催化剂铺展在聚甲基丙烯酸甲酯层上。 在聚甲基丙烯酸甲酯层上形成的Fe / Mo催化剂被剥离。 通过将与Fe / Mo催化剂反应的硅衬底浸入丙酮溶液中来除去聚甲基丙烯酸甲酯层。
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