公开(公告)号：KR100621914B1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：KR1020040063890

申请日：2004-08-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  양택승 ,  조원태 ,  장홍석 ,  전형탁 ,  김석훈

IPC: C01G27/02

Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 하프늄 선구 물질 Hf(mp)
4 [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV)]를 하프늄의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 1) Hf(mp)
4 를 하프늄 원으로 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 하프늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 하프늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 하프늄 함유 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 반응을 일으키는 단계, 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 얻을 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及由下式（1）表示的铪前体Hf（mp）

公开(公告)号：KR1020060091392A

公开(公告)日：2006-08-21

申请号：KR1020050011920

申请日：2005-02-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  장홍석

IPC: C07C215/10 ,  C07C215/12

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 삼차 아민을 포함하는 디올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 삼차 아민을 포함하는 디올 화합물은 금속과 결합되어 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]

상기 식에서, R
1 은 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기, 또는 이며; R
2 는 서로 동일하거나 상이하며 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기 또는 알킬실릴기이고; R
3 는 각각 동일하거나 상이하며 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기이고 n은 0 내지 5이다.
삼차 아민, 디올 화합물

Abstract translation: 另外，本发明，根据本发明的具有金属稳定和挥发性含有叔胺的二醇化合物偶联到一种用于由二醇化合物和含有由通式（1）表示的叔胺该空气气氛的水溶液生产 提供改进的金属醇盐配合物，并且可以制备高质量的金属或金属氧化物薄膜。

公开(公告)号：KR100544355B1

公开(公告)日：2006-01-23

申请号：KR1020030032469

申请日：2003-05-22

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  장홍석

IPC: C07F7/00

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 산화물 선구 물질 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 산화물 선구 물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 향상되어 양질의 4족 전이 금속 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있다.
M[OCR
2 (CH
2 )
m Y]
x (NR"
2 )
(4-x)

상기 식에서, M은 티타늄, 지르코늄 또는 하프늄이고, R은 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬이고, Y는 -OR' 또는 -NR'
2 (여기서, R'은 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴이고, R"은 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴이고, m은 1 내지 3 범위의 정수이며, x는 1 내지 4 범위의 정수이다.

公开(公告)号：KR100544353B1

公开(公告)日：2006-01-23

申请号：KR1020030010148

申请日：2003-02-18

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  이선숙 ,  오영우 ,  장홍석

IPC: C07F7/00

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 지르코늄 산화물 전구체에 관한 것으로, 상기 지르코늄 산화물 전구체는 열적으로 안정되고 휘발성이 향상되어 양질의 지르코늄 산화막을 형성할 수 있다:

상기 식에서,
R은 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C
1-4 의 알킬기이고, R'은 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C
1-4 의 알킬기 또는 SiR"
3 (여기서, R"은 C
1-4 의 알킬기임)이다.

公开(公告)号：KR100634814B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020050030475

申请日：2005-04-12

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  장홍석

IPC: C07F7/28

Abstract: An organo-titanium compound is provided to be thermally stable and high volatile, thereby being used for high quality titanium oxide film. The organo-titanium compound is represented by the formula(1) and prepared by reacting an amido compound of titanium represented by the formula(2), Ti(NR'_2)4, with an alcohol compound represented by the formula(3), HOCR^1R^2R^3, or by reacting titanium chloride represented by the formula(4), TiCl4, with an alkali metal salt of alcohol represented by the formula(5), M'OCR^1R^2R^3. In the formulae(1) to (5), each R^1, R^2 and R^3 is independently C1-4 linear or branched alkyl, provided that not all the R^1, R^2 and R^3 are methyl, R' is methyl or ethyl, and M' is Li, Na or K.

Abstract translation: 有机钛化合物提供热稳定性和高挥发性，由此用于高质量氧化钛膜。 有机钛化合物由式（1）表示并通过使由式（2）表示的钛的酰氨基化合物Ti（NR'2）4与由式（3）表示的醇化合物反应而制备， （4）表示的氯化钛TiCl 4与由式（5）表示的醇的碱金属盐M'OCR 1 R 2 R 3 3反应。 在式（1）至（5）中，每个R 1，R 2和R 3独立地为C 1-4直链或支链烷基，条件是不是所有R 1，R 2和R 3是 甲基，R'是甲基或乙基，并且M'是Li，Na或K.

公开(公告)号：KR100576946B1

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：KR1020040000080

申请日：2004-01-02

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  김인정 ,  윤종욱 ,  장홍석 ,  김민찬

IPC: C07C215/08

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 전자 주개로 기능화된 아미노알코올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화된 아미노알코올 화합물은 금속과 결합되어 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.

상기 식에서,
R
1 은 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기, 또는 Y(CH
2 )
m CH(R
* )-(여기에서, Y는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알콕시기 또는 디(C
1 -C
4 알킬)아민이고, R
* 는 수소, 또는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기이며, m은 1 내지 3의 정수이다) 이고,
R
2 는 수소, 또는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기이며,
R'는 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또 는 분지형 C
1 -C
4 알킬기 또는 알킬실릴기이다.

公开(公告)号：KR1020060014550A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：KR1020040063129

申请日：2004-08-11

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  양택승 ,  장홍석

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02181 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV) [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), Hf(mp)
4 ]를 단일 선구 물질로 사용하여 금속 유기물 화학 증착법 (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 선구 물질은 기존의 Hf(O
t Bu)
4 (hafnium tetra-
tert -butoxide)와 견줄 때 증기압이 높아 MOCVD 공정에 적합하고 안정성이 더 뛰어나 보관과 사용에 유리하며 산소 원을 따로 공급하지 않고 이를 단독으로 사용하여 질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 제조하는 데에 유용하다.

Abstract translation: 本发明式（I）四由以下表示的铪（3-甲基-3-戊氧基）（IV）[四（3-甲基-3-戊氧基）铪（IV），铪（MP）

公开(公告)号：KR1020040100208A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020030032469

申请日：2003-05-22

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  장홍석

IPC: C07F7/00

CPC classification number: C07F7/006 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45525

Abstract: PURPOSE: Precursors of group IV transition metal oxide and a preparing method thereof are provided, which precursors are easily stored due to its less sensitivity to water, and has improved volatility, so that they are useful as precursors for production of an oxide thin layer. CONSTITUTION: The precursors of group IV transition metal oxide represented by formula (1) of M(OCR2(CH2)mY)x(NR'2)(4-x), is provided, wherein M is titanium, zirconium or hafnium; R is optionally fluor containing C1-C4 alkyl; Y is -OR' or -NR'2 in which R' is C1-C4 alkyl or C1-C4 alkylsilyl; m is an integer from 1 to 3; and x is an integer from 1 to 4. The method for preparing the precursors of group IV transition metal oxide of formula (1) comprises reacting group IV transition metal complex of formula (2) of M(NR'2)4, with an alcohol compound of formula (3) of HOCR2(CH2)mY.

Abstract translation: 目的：提供IV族过渡金属氧化物的前体及其制备方法，由于其对水的敏感性较低，前体容易储存，并且具有改善的挥发性，因此它们可用作生产氧化物薄层的前体。 构成：提供由M（OCR2（CH2）mY）x（NR'2）（4-x）的式（1）表示的IV族过渡金属氧化物的前体，其中M是钛，锆或铪; R是任选的含氟的C 1 -C 4烷基; Y是-OR'或-NR'2，其中R'是C 1 -C 4烷基或C 1 -C 4烷基甲硅烷基; m为1〜3的整数; 式（1）的IV族过渡金属氧化物的前体的制备方法包括将M（NR'2）4的式（2）的IV族过渡金属络合物与 HOCR2（CH2）mY的式（3）的醇化合物。

公开(公告)号：KR1020040079279A

公开(公告)日：2004-09-14

申请号：KR1020030014383

申请日：2003-03-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  장홍석 ,  김민찬 ,  이진욱

IPC: C07C219/16 ,  C07F19/00

Abstract: PURPOSE: An aminoalcohol compound, its preparation method, a metal complex prepared by using the compound, its preparation method and a method for growing a metal or metal oxide thin film by using the complex as a precursor are provided, to improve the thermal stability and volatility of a metal complex, thereby enhancing the quality of a thin film obtained by using the complex. CONSTITUTION: The aminoalcohol compound is represented by the formula 1 or 2, wherein Rs are independently an alkyl or alkoxyalkyl group of C1-C4 containing or not containing F; R' is an alkyl group of C1-C4 containing or not containing F, Si(CH3)3 or H; R''s are independently an alkyl group of C1-C4 containing or not containing F; and m and n are a number of 1-3. The metal complex is represented by M(OR)y, wherein M is a metal selected from the group consisting of an alkaline earth metal, a transition metal and a lanthanide metal; R is an alkyl or alkoxyalkyl group of C1-C4 containing or not containing F; and y is a number of 2-6.

Abstract translation: 目的：提供氨基醇化合物及其制备方法，通过使用该化合物制备的金属络合物及其制备方法和通过使用络合物作为前体来生长金属或金属氧化物薄膜的方法，以提高热稳定性和 金属络合物的挥发性，从而提高通过使用复合物获得的薄膜的质量。 构成：氨基醇化合物由式1或2表示，其中R 5独立地是含有或不含有F的C 1 -C 4的烷基或烷氧基烷基; R'是含有或不含有F，Si（CH 3）3或H的C 1 -C 4的烷基; R'独立地是含有或不含有F的C 1 -C 4的烷基; m和n为1-3的数。 金属络合物由M（OR）y表示，其中M是选自碱土金属，过渡金属和镧系金属的金属; R是含有或不含有F的C 1 -C 4的烷基或烷氧基烷基; y为2-6。