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公开(公告)号：WO2023080505A1
公开(公告)日：2023-05-11
申请号：PCT/KR2022/016135
申请日：2022-10-21
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F3/00 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 유기금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 화학기상증착 또는 용액공정을 통하여 박막을 제조함에 있어, 열적 안정성과 휘발성이 개선되고, 낮은 온도에서 쉽게 양질의 금속 박막 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있는 유기금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2013165212A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003866
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F3/003 , C07F3/00 , C23C16/18 , C23C16/409 , C23C16/44 , C23C16/45525
Abstract: 본 발명은 베타디케톤네이트 화합물을 포함하는 신규의 스트론튬 전구체에 관한 것으로, 상기 스트론튬 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 스트론튬 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含β-二酮化合物的新型锶前体，其中由于其热稳定性和高挥发性，锶前体可以形成高品质的锶薄膜。
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公开(公告)号：WO2013118937A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/KR2012/002054
申请日：2012-03-22
IPC: H01L21/365
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 아연 및 주석 전구체를 사용하여 화학 기상 증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)으로 아연주석 산화물 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 TFT(thin film transistors) 소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 아연주석 산화물 박막의 제조방법은 주석과 아연의 조성제어가 가능하며, 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 삼차원 구조의 기재 상에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수 있고 제조된 주석 산화물은 높은 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 가지고 있어 TFTs의 채널재료로 적용할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）形成使用锌和锡前体的氧化锌锡薄膜的方法，以及制造薄膜晶体管（TFT）的方法， 元素使用该方法。 根据本发明的制造锌锡氧化物薄膜的方法能够在低温下控制和加工锡锌组合物。 根据本发明的方法，可以制造具有均匀厚度的薄膜，即使在具有三维结构的基底上。 这样制造的氧化锡具有高的场效应迁移率，并且可以用作TFT通道的材料。
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公开(公告)号：WO2013002605A3
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/KR2012/005194
申请日：2012-06-29
Abstract: 본 발명은 태양전지 광활성층용 복합입자및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게，본 발명에 따른 복합입자는 M 1 A X (M은 11족 금속에서 하나 또는 둘 이상 선택된 것이며， A는 칼코젠 원소이며， X 는 1내지 2를 만족하는 실수)을 만족하는 11족 금속 칼코젠화합물이 매질에 혼재된 태양전지 광활성층용 복합입자이다.
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公开(公告)号：WO2020116770A1
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：PCT/KR2019/013698
申请日：2019-10-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 본 발명은 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 화합물은 열적으로 안정하고 휘발성이 우수하고 저장안정성이 높아, 이를 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 4족 전이금속함유 박막 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017082541A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/KR2016/011359
申请日：2016-10-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02 , C07F5/00
CPC classification number: C07F5/00 , C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 열적 안정성과 휘발성이 개선된 신규한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체를 이용하여 낮은 온도에서 우수한 성장 속도로, 쉽게 양질의 금속 산화물 박막을 제조하는 방법 및 이를 통해 제조된 박막을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 这
本发明涉及具有热稳定性和挥发性改进前体，使用金属前体来制备高的生长速度，在低温下容易质量金属氧化物薄膜的方法的新的金属 而由此产生的薄膜。
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公开(公告)号：WO2015056944A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/KR2014/009606
申请日：2014-10-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C14/5813 , C07F11/005 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: 본 발명은 몰리브데넘 화합물 또는 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 높아 이를 이용하여 몰리브데넘 칼코게나이드 또는 텅스텐 칼코게나이드를 포함하는 양질의 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及钼化合物或钨化合物。 该化合物是热稳定的和高挥发性的，因此可以通过使用该化合物获得包含硫族化钼或硫属钨的高质量薄膜。
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公开(公告)号：WO2014178686A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/KR2014/003959
申请日：2014-05-02
Applicant: 한국화학연구원 , 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/44 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/305 , H01G9/2022 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 a) 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계; b) 상기 기판 상에 원자층 증착법으로 화학식 1로 표시되는 니켈 전구체를 흡착하는 단계; c) 상기 흡착된 니켈 전구체를 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계; d) 상기 증착 챔버 내로 황 원을 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 니켈전구체와 교환 반응시켜 상기 기판 상에 황화 니켈 박막을 형성하는 단계; 및 e) 상기 황화 니켈 박막을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계;를 포함하는 원자층 증착법을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 의하여 황화 니켈 박막을 제조하는 경우, 금속층 두께의 조절이 용이하면서도 균일한 금속층을 형성하고, 기판 상에 금속층을 형성하는 온도를 상대적으로 낮출 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积方法制造硫化镍薄膜的方法，包括以下步骤：a）将衬底装载到沉积室中; b）通过原子层沉积法在基板上吸收由化学式1表示的镍前体; c）除去吸附在基材上的镍前体除去副产物; d）将硫源引入沉积室，并使硫源与吸收在衬底上的镍前体进行交换反应，以在衬底上形成硫化镍薄膜; 和e）除去除了硫化镍薄膜之外的副产物。 在利用本发明的原子层沉积方法制造硫化镍薄膜的方法制造硫化镍薄膜的情况下，可以形成均匀的金属层，其厚度可以容易地调整 并且相对降低在基板上形成金属层的温度。
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公开(公告)号：WO2011028011A2
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：PCT/KR2010/005898
申请日：2010-09-01
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2002/72 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 박막형 화합물 태양전지의 광 흡수층 물질인 CI(G)S(CuIn x Ga 1-x Se 2 0＜x≤1)의 나노입자를 저온 하에서 수계 반응하여 제조하는 방법에 관한 것이다. 자세하게는 적어도 구리 화합물과, 카르복시산 유도체 또는 고분자전해질을 수계용매하에서 반응하여 착물을 형성하고, 제조된 용액에 인듐 화합물 및 셀레늄화합물에서 하나 이상 선택된 이종원소 화합물을 투입하여 저온 하에서 CI(G)S 나노입자를 생성하는 단계를 포함하는 저온 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract translation:
本发明是CI（G）的薄膜型化合物太阳能电池S的光吸收材料（的CuIn <子> X GA <子> 1-x 硒<子> 2 <0>
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公开(公告)号：WO2022169232A1
公开(公告)日：2022-08-11
申请号：PCT/KR2022/001606
申请日：2022-01-28
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 화합물은 열적으로 안정하고 휘발성이 우수하고 저장안정성이 높아, 이를 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 4족 전이금속함유 박막 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
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