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    INTEGRATED CIRCUIT HAVING PAIRS OF PARALLEL COMPLEMENTARY FINFETS
    11.
    发明申请
    INTEGRATED CIRCUIT HAVING PAIRS OF PARALLEL COMPLEMENTARY FINFETS 审中-公开
    集成电路具有平行互补鳍状件对

    公开(公告)号：WO2005004206A3

    公开(公告)日：2005-02-17

    申请号：PCT/US2004021279

    申请日：2004-06-30

    Applicant: IBM ,  BRYANT ANDRES ,  CLARK WILLIAM F ,  FRIED DAVID M ,  JAFFE MARK D ,  NOWAK EDWARD J ,  PEKARIK JOHN J ,  PUTNAM CHRISTOPHER S

    Inventor： BRYANT ANDRES ,  CLARK WILLIAM F ,  FRIED DAVID M ,  JAFFE MARK D ,  NOWAK EDWARD J ,  PEKARIK JOHN J ,  PUTNAM CHRISTOPHER S

    IPC: H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/76

    CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  Y10S438/947

    Abstract: A method and structure for an integrated circuit structure that utilizes complementary fin-type field effect transistors (FinFETs) is disclosed. The invention has a first-type of FinFET which includes a first fin (100), and a second-type of FinFET which includes a second fin (102) running parallel to the first fin (100). The invention also has an insulator fin positioned between the source/drain regions (130) of the first first-type of FinFET and the second-type of FinFET. The insulator fin has approximately the same width dimensions as the first fin (100) and the second fin (102), such that the spacing between the first-type of FinFET and the second-type of FinFET is approximately equal to the width of one fin. The invention also has a common gate (106) formed over channel regions of the first-type of FinFET and the second-type of FinFET. The gate (106) includes a first impurity doping region adjacent the first-type of FinFET and a second impurity doping region adjacent the second-type of FinFET. The differences between the first impurity doping region and the second impurity doping region provide the gate with different work functions related to differences between the first-type of FinFET and the second-type of FinFET. The first fin (100) and the second fin (102) have approximately the same width.

    Abstract translation: 公开了一种利用互补鳍型场效应晶体管（FinFET）的集成电路结构的方法和结构。 本发明具有包括第一鳍片（100）的第一类型FinFET以及包括平行于第一鳍片（100）延伸的第二鳍片（102）的第二类型FinFET。 本发明还具有位于第一第一类型FinFET的源极/漏极区域（130）与第二类型FinFET之间的绝缘体鳍状物。 绝缘体鳍状物具有与第一鳍状物（100）和第二鳍状物（102）大致相同的宽度尺寸，使得第一类型的FinFET和第二类型的FinFET之间的间隔大致等于一个 鳍。 本发明还具有在第一类型FinFET和第二类型FinFET的沟道区上形成的共同栅极（106）。 栅极（106）包括与第一类型FinFET相邻的第一杂质掺杂区域和与第二类型FinFET相邻的第二杂质掺杂区域。 第一杂质掺杂区域和第二杂质掺杂区域之间的差异为栅极提供与第一类型的FinFET和第二类型的FinFET之间的差异有关的不同的功函数。 第一翅片（100）和第二翅片（102）具有大致相同的宽度。

    DELAMINATION AND CRACK RESISTANT IMAGE SENSOR STRUCTURES AND METHODS
    13.
    发明专利
    DELAMINATION AND CRACK RESISTANT IMAGE SENSOR STRUCTURES AND METHODS 未知

    公开(公告)号：CA2719684A1

    公开(公告)日：2009-12-10

    申请号：CA2719684

    申请日：2009-06-04

    Applicant: IBM

    Inventor： JAFFE MARK D ,  GAMBINO JEFFREY P ,  LEIDY ROBERT K ,  MUSANTE CHARLES F ,  RASSEL RICHARD J

    IPC: H01L27/00

    Abstract: A plurality of image sensor structures and a plurality of methods for fabricating the plurality of image sensor structures provide for inhibited cracking and delamination of a lens capping layer (22) with respect to a planarizing layer (18) within the plurality of image sensor structures. Particular image sensor structures and related methods include at least one dummy lens layer (20') of different dimensions than active lens layer (20) located over a circuitry portion (Rl) of a substrate within the particular image sensor structures. Additional particular image sensor structures include at least one of an aperture (A) within the planarizing layer and a sloped endwall of the planarizing layer located over a circuitry portion (Rl) within the particular image sensor structures.

    Schaltbare Filter und Entwurfsstrukturen
    15.
    发明专利
    Schaltbare Filter und Entwurfsstrukturen 未知

    公开(公告)号：DE102013200215A1

    公开(公告)日：2013-07-25

    申请号：DE102013200215

    申请日：2013-01-10

    Applicant: IBM

    Inventor： CANDRA PANGLIJEN ,  DUNBAR THOMAS J ,  JAFFE MARK D ,  STAMPER ANTHONY K ,  WOLF RANDY L ,  GAMBINO JEFFREY P ,  ADKISSON JAMES W

    IPC: H03H9/64 ,  H01L41/08 ,  H03H3/08

    Abstract: Hierin werden schaltbare und/oder abstimmbare Filter, Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen offenbart. Das Verfahren zum Bilden der Filter schließt das Bilden mindestens einer piezoelektrischen Filterstruktur ein, die eine Vielzahl von Elektroden aufweist, die auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet sind. Das Verfahren schließt außerdem das Bilden einer feststehenden Elektrode mit einer Vielzahl von Fingern auf dem piezoelektrischen Substrat ein. Das Verfahren schließt zudem das Bilden einer beweglichen Elektrode mit einer Vielzahl von Fingern über dem piezoelektrischen Substrat ein. Das Verfahren schließt außerdem das Bilden von Betätigungselementen ein, die mit einem oder mehreren von der Vielzahl von Fingern der beweglichen Elektrode ausgerichtet sind.

    Schaltbare Filter und Entwurfsstrukturen
    18.
    发明专利
    Schaltbare Filter und Entwurfsstrukturen 未知

    公开(公告)号：DE102012223979A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：DE102012223979

    申请日：2012-12-20

    Applicant: IBM

    Inventor： ADKISSON JAMES W ,  CANDRA PANGLIJEN ,  DUNBAR THOMAS J ,  GAMBINO JEFFREY P ,  JAFFE MARK D ,  STAMPER ANTHONY K ,  WOLF RANDY L

    IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L41/04 ,  H03H9/25

    Abstract: Hierin werden schaltbare und/oder abstimmbare Filter, Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen offenbart. Das Verfahren zum Bilden der Filter schließt das Bilden mindestens einer piezoelektrischen Filterstruktur ein, die eine Vielzahl von Elektroden aufweist, die auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet sind. Das Verfahren schließt außerdem das Bilden einer mikro-elektromechanischen Struktur (MEMS) ein, die einen MEMS-Balken aufweist, der über dem piezoelektrischen Substrat und an einer Stelle angeordnet ist, an welcher der MEMS-Balken bei Betätigung die piezoelektrische Filterstruktur kurzschließt, indem er mit mindestens einer der Vielzahl von Elektroden in Kontakt kommt.

    Interface-Einheit mit integrierter Solarzelle/intergrierten Solarzellen zur Stromgewinnung
    19.
    发明专利
    Interface-Einheit mit integrierter Solarzelle/intergrierten Solarzellen zur Stromgewinnung 未知

    公开(公告)号：DE112011101076T5

    公开(公告)日：2013-01-03

    申请号：DE112011101076

    申请日：2011-03-23

    Applicant: IBM

    Inventor： JAFFE MARK D ,  RANKIN JED H ,  ANDERSON BRENT A

    IPC: G06F3/042 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

    Abstract: Hierin werden Ausführungsformen einer Interface-Einheit (100, 200) (z. B. eines Bildschirms, eines Touchpads, eines berührungsempfindlichen Bildschirms usw.) mit integrierten Stromgewinnungsfunktionen offenbart. In einer weiteren Ausführungsform können eine Solarzelle (110, 210) oder eine Solarzellenmatrix innerhalb eines Substrats (10) an einer ersten Oberfläche (11) angeordnet werden und eine Matrix (120, 220) von Interface-Elementen kann ebenfalls innerhalb des Substrats (10) an der der ersten Oberfläche (11) angeordnet werden, sodass Teile der Solarzelle/n (110, 210) die einzelnen Interface-Elemente (121, 221) oder deren Gruppen seitlich umgeben. Gemäß einer weiteren Ausführungsform können eine Solarzelle (110, 210) oder eine Solarzellenmatrix (120, 220) innerhalb des Substrats (10) an einer ersten Oberfläche (11) angeordnet werden und eine Matrix von Interface-Elementen (120, 220) kann innerhalb des Substrats (10) an einer der ersten Oberfläche (11) gegenüber (d. h. der Solarzelle oder der Solarzellenmatrix gegenüber) liegenden zweiten Oberfläche (12) angeordnet werden. Gemäß noch einer weiteren Ausführungsform kann sich eine Matrix von Dioden, die entweder als Solarzellen (110, 210) oder als Sensorelemente fungieren können, innerhalb eines Substrats (10) an einer ersten Oberfläche (11) angeordnet und so verdrahtet sein, dasmodus oder in einem Sensormodus betrieben werden können.

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