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    CHIPBAUGRUPPE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER CHIPBAUGRUPPE
    11.
    发明专利
    CHIPBAUGRUPPE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER CHIPBAUGRUPPE 未知

    公开(公告)号：DE102013107787B4

    公开(公告)日：2016-03-24

    申请号：DE102013107787

    申请日：2013-07-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  KNABL MICHAEL ,  MEYER URSULA ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

    IPC: H01L23/46 ,  H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04

    Abstract: Chipbaugruppe (310), aufweisend: eine erste Verkapselungsstruktur (202); eine über der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildete erste Passivierungsschicht (224) und eine über der ersten Passivierungsschicht (224) gebildete erste elektrisch leitende Schicht (234); mindestens einen über der ersten elektrisch leitenden Schicht (234) und der ersten Passivierungsschicht (224) angeordneten Chip (242), wobei mindestens eine Chipkontaktstelle (243) die erste elektrisch leitende Schicht (234) kontaktiert; mindestens einen in der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildeten Hohlraum (2112), wobei der mindestens eine Hohlraum (2112) einen Abschnitt der die mindestens eine Chipkontaktstelle (243) bedeckenden ersten Passivierungsschicht (224) exponiert; eine auf der ersten Verkapselungsstruktur (202) aufgebrachte und den mindestens einen Hohlraum (2112) bedeckende zweite Verkapselungsstruktur (2116), wobei eine Kammerzone (2118) über der mindestens einen Chipkontaktstelle (243) durch den mindestens einen Hohlraum (2112) und die zweite Verkapselungsstruktur (2116) definiert wird; wobei die zweite Verkapselungsstruktur (2116) einen Einlass (2122) und einen Auslass (2124), die mit der Kammerzone (2118) verbunden sind, umfasst, wobei der Einlass (2122) und der Auslass (2124) einen Zufluss und einen Abfluss von wärmeableitendem Material in die und aus der Kammerzone (2118) steuern.

    Halbleiterbauelemente und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
    13.
    发明专利
    Halbleiterbauelemente und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen 未知

    公开(公告)号：DE102013111772A1

    公开(公告)日：2014-04-30

    申请号：DE102013111772

    申请日：2013-10-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  DIELACHER FRANZ ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

    IPC: H01L23/08 ,  H01L21/58 ,  H01L25/04

    Abstract: Ein Bauelement enthält ein Halbleitermaterial, das eine erste Hauptoberfläche, eine gegenüberliegende Oberfläche, die der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegt, und eine seitliche Oberfläche, die sich von der ersten Hauptoberfläche bis zur gegenüberliegenden Oberfläche erstreckt, aufweist. Das Bauelement enthält weiterhin ein erstes elektrisches Kontaktelement, das auf der ersten Hauptoberfläche des Halbleitermaterials angeordnet ist, und ein Glasmaterial. Das Glasmaterial enthält eine zweite Hauptoberfläche, wobei das Glasmaterial die seitliche Oberfläche des Halbleitermaterials kontaktiert und wobei die erste Hauptoberfläche des Halbleitermaterials und die zweite Hauptoberfläche des Glasmaterials in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sind.

    Glasstück und Verfahren zum Herstellen von Glasstücken und Halbleitervorrichtungen mit Glasstücken
    14.
    发明专利
    Glasstück und Verfahren zum Herstellen von Glasstücken und Halbleitervorrichtungen mit Glasstücken 未知

    公开(公告)号：DE102013102134A1

    公开(公告)日：2013-09-26

    申请号：DE102013102134

    申请日：2013-03-05

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VON KOBLINSKI CARSTEN

    IPC: C03B11/06

    Abstract: Ein Quellenmaterial, das auf einem Glas beruht, ist auf einer Arbeitsfläche (101) eines Formsubstrats (100) angeordnet. Das Formsubstrat (100) ist aus einem einkristallinen Material hergestellt. Ein Hohlraum (101, 103, 105, 107) ist in der Arbeitsfläche (101) gebildet. Das Quellenmaterial (200a) wird gegen das Formsubstrat (100) gepresst. Während des Pressens sind die Temperatur des Quellenmaterials (200a) und eine auf das Quellenmaterial (200a) ausgeübte Kraft gesteuert, um das Quellenmaterial (200a) zu verflüssigen. Das verflüssigte Quellenmaterial (200a) fließt in den Hohlraum (101, 103, 105, 107). Das wiederverfestigte Quellenmaterial bildet ein Glasstück (200) mit einem Vorsprung (201, 203, 205, 207), der sich in den Hohlraum (101, 103, 105, 107) erstreckt. Nach dem Wiederverfestigen kann das Glasstück (200) mit dem Formsubstrat (100) verbunden sein. Auf dem Glasstück (200) können Vorsprünge und Hohlräume mit Neigungswinkeln kleiner als 80 Grad, mit verschiedenen Neigungswinkeln, mit verschiedenen Tiefen und Breiten von 10 Mikrometer und mehr gebildet werden.

    Verfahren mit Stealth-Dicing-Prozess zur Herstellung von MEMS-Halbleiterchips
    15.
    发明专利
    Verfahren mit Stealth-Dicing-Prozess zur Herstellung von MEMS-Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102020109149B4

    公开(公告)日：2025-01-16

    申请号：DE102020109149

    申请日：2020-04-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  HELBIG STEPHAN ,  KOLLER ADOLF

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/04 ,  H01L21/301

    Abstract: Verfahren, umfassend:Erzeugen eines Halbleiterwafers (10), umfassend:mehrere MEMS-Halbleiterchips (12), wobei die MEMS-Halbleiterchips (12) MEMS-Strukturen (22) aufweisen, die bei einer ersten Hauptoberfläche (24) des Halbleiterwafers (10) angeordnet sind,eine bei der ersten Hauptoberfläche (24) angeordnete erste Halbleitermaterialschicht (20), undeine unter der ersten Halbleitermaterialschicht (20) angeordnete zweite Halbleitermaterialschicht (20), wobei eine Dotierung der ersten Halbleitermaterialschicht (20) größer ist als eine Dotierung der zweiten Halbleitermaterialschicht (20);Entfernen der ersten Halbleitermaterialschicht (20) in einem Bereich (36) zwischen benachbarten MEMS-Halbleiterchips (12); undAnwenden eines Stealth-Dicing-Prozesses von der ersten Hauptoberfläche (24) des Halbleiterwafers (10) und zwischen den benachbarten MEMS-Halbleiterchips (12).

    Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelemente
    16.
    发明专利
    Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelemente 未知

    公开(公告)号：DE102016116499B4

    公开(公告)日：2022-06-15

    申请号：DE102016116499

    申请日：2016-09-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUPP ROLAND ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KERN RONNY ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER

    IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498

    Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden von Halbleiterbauelementen, umfassend:Anbringen (10) einer Glasstruktur an einem Halbleiterwafer mit breitem Bandabstand, umfassend eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen;Bilden (20) von zumindest einer Anschlussflächenstruktur, die mit zumindest einer Dotierungsregion eines Halbleitersubstrats des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand elektrisch verbunden ist, durch Bilden von elektrisch leitfähigem Material innerhalb zumindest einer Öffnung, die sich durch die Glasstruktur erstreckt;Anbringen einer weiteren Glasstruktur an einer Rückseite des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand; undBilden von zumindest einer elektrisch leitfähigen Struktur, die mit einer Rückseite des Halbleitersubstrats elektrisch verbunden ist, durch Bilden von elektrisch leitfähigem Material innerhalb zumindest einer Öffnung, die sich durch die weitere Glasstruktur erstreckt,wobei die Halbleiterbauelemente der Mehrzahl von Halbleiterbauelementen jeweils ein Halbleitersubstrat, das Teil eines Halbleitersubstrats des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand ist, und eine Glasteilstruktur der Glasstruktur umfassen, wobei die Glasteilstruktur mit einer vertikalen Oberfläche eines Randes des Halbleitersubstrats in Kontakt ist.

    Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
    17.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102018132447A1

    公开(公告)日：2020-06-18

    申请号：DE102018132447

    申请日：2018-12-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KNABL MICHAEL ,  PICCIN MATTEO ,  DENIFL GÜNTER ,  KERN RONNY

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78

    Abstract: Vorgesehen werden ein Hilfsträger (680) und ein Siliziumcarbid-Substrat (700). Das Siliziumcarbid-Substrat (700) enthält eine Hilfsschicht (760) und eine Vorrichtungsschicht (750) zwischen einer Hauptoberfläche (701) an einer Vorderseite des Siliziumcarbid-Substrats (700) und der Hilfsschicht (760). Die Vorrichtungsschicht (750) enthält eine Vielzahl lateral getrennter Vorrichtungsgebiete (650), wobei sich jedes Vorrichtungsgebiet (650) von der Hauptoberfläche (701) zur Hilfsschicht (760) erstreckt. Der Hilfsträger (680) ist mit dem Siliziumcarbid-Substrat (700) an der Vorderseite strukturell verbunden. Die Hilfsschicht (760) wird entfernt. Eine Ausformungsstruktur (400) wird ausgebildet, die eine gitterförmige Vertiefung (770) füllt, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral trennt. Die Vorrichtungsgebiete (650) werden getrennt, wobei Teile der Ausformungsstruktur (400) Rahmenstrukturen (480) bilden, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral umgeben.

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