公开(公告)号：DE102009002065B4

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE102009002065

申请日：2009-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  GOERLICH JENS ,  GUTH KARSTEN ,  HOHLFELD OLAF

IPC: B23K35/28 ,  B23K35/26 ,  H01L23/488

Abstract: Lot umfassend ein Weichlot mit einem Schmelzpunkt von weniger als 450°C, in das eine Anzahl von Teilchen (408) eingebettet ist, die jeweils eine Länge (l408) größer 50 µm aufweisen und die in ihrer Gesamtheit einen Anteil von mindestens 20 Vol% aber von weniger als 60 Vol% des Lotes (600) ausmachen, wobei die Teilchen (408) aus einer intermetallischen Phase gebildet oder mit einer intermetallischen Phase beschichtet sind.

公开(公告)号：DE102016101694A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016101694

申请日：2016-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： UHLIG JOHANNES ,  HOHLFELD OLAF ,  BOLOWSKI DANIEL ,  HARTUNG HANS

IPC: H01L23/26 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28

Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Elektronikmodul mit einem Modulgehäuse (7) und einer in dem Modulgehäuse (7) befindlichen Schutzmasse (5). Die Schutzmasse (5) weist eine Matrix (50) auf, sowie einen in der Matrix (50) verteilten Reaktionspartner (51), der dazu ausgebildet ist, einen aus Schwefel bestehenden oder einen Schwefel aufweisenden chemischen Schadstoff, der in einen Innentraum des Modulgehäuses (7) eindringt, chemisch umzusetzen und dadurch zu verhindern, dass der Schwefel eine Korrosion von einem zu schützenden Bestandteil (1, 3, 12, 21) des Elektronikmoduls (100) bewirkt.

公开(公告)号：DE102015118664A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：DE102015118664

申请日：2015-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO ,  FUERGUT EDWARD ,  GRUBER MARTIN ,  ESCHER-PÖPPEL IRMGARD ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L21/60

Abstract: Zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls wird ein Schaltungsträger (2) mit einem Halbleiterchip (1) und mit einem elektrisch leitenden Kontaktelement (3) bestückt. Nach dem Bestücken werden der Halbleiterchip (1) und das Kontaktelement (3) in eine dielektrische Einbettmasse (4) eingebettet, und das Kontaktelement (3) wird freigelegt. Außerdem wird eine elektrisch leitende Basisschicht (5) erzeugt, die das freigelegte Kontaktelement (3) elektrisch kontaktiert und die auf der Einbettmasse (4) und dem freigelegten Kontaktelement (3) aufliegt. Auf die Basisschicht (5) wird mittels einer elektrisch leitenden Verbindungsschicht (6) eine vorgefertigte Metallfolie (7) aufgebracht.

公开(公告)号：DE102015210587A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102015210587

申请日：2015-06-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/14 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Halbleitermodul (100). Dieses weist einen ersten Halbleiterschalter (1) und einen zweiten Halbleiterschalter (2) auf, von denen jeder einen ersten Lastanschluss (11, 21) und einen zweiten Lastanschluss (12, 22) aufweist, zwischen denen eine Laststrecke ausgebildet ist. Die Laststrecken des ersten und zweiten Halbleiterschalters (1, 2) sind zwischen einem ersten Schaltungsknoten (71') und einem zweiten Schaltungsknoten (72') elektrisch in Reihe geschaltet. Weiterhin enthält das Halbleitermodul (100) eine Schaltungsträgeranordnung (3), die aufweist: einen dielektrischen ersten Isolationsträgerabschnitt (301) mit einer ersten Oberseite (301t) und einer dieser entgegengesetzten ersten Unterseite (301b); einen dielektrischen zweiten Isolationsträgerabschnitt (302) mit einer zweiten Oberseite (302t) und einer dieser entgegengesetzten zweiten Unterseite (302b); eine erste obere Metallisierungsschicht (311), die auf die erste Oberseite (301t) aufgebracht ist; eine zweite obere Metallisierungsschicht (312) und eine dritte obere Metallisierungsschicht (313), die auf die zweite Oberseite (302t) aufgebracht sind; eine erste untere Metallisierungsschicht (321), die auf die erste Unterseite (301b) aufgebracht ist; eine zweite untere Metallisierungsschicht (322), die auf die zweite Unterseite (302b) aufgebracht ist; und eine nicht-keramische, dielektrische Isolationsschicht (4), die auf die erste untere Metallisierungsschicht (321) und auf die zweite untere Metallisierungsschicht (322) aufgebracht ist und die eine der ersten unteren Metallisierungsschicht (321) und der zweiten unteren Metallisierungsschicht (322) abgewandte Unterseite (4b) aufweist, die eine Wärmeableitkontaktfläche des Halbleitermoduls (100) bildet.

公开(公告)号：DE102015104518B3

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：DE102015104518

申请日：2015-03-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsträgeranordnung. Dabei wird ein Träger (1) bereitgestellt, der einen durch ein Aluminiumsiliziumkarbid-Metallmatrixkompositmaterial gebildeten Oberflächenabschnitt (1t) aufweist. Ebenfalls bereitgestellt wird ein Schaltungsträger (2), der einen Isolationsträger (20) mit einer Unterseite (20b) aufweist, auf die eine untere Metallisierungsschicht (22) aufgebracht ist. Auf dem Oberflächenabschnitt (1t) wird einer Haftschicht (3) erzeugt, die ein Glas enthält. Zwischen der Haftschicht (3) und dem Schaltungsträger (2) wird mittels einer Verbindungsschicht (4) eine stoffschlüssige Verbindung hergestellt.

公开(公告)号：DE102014116383A1

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：DE102014116383

申请日：2014-11-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  HÖGERL JÜRGEN ,  KESSLER ANGELA ,  HOIER MAGDALENA

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

Abstract: Ein Halbleitergehäuse umfasst ein erstes Halbleitermodul, das eine Vielzahl von Halbleiter-Transistorchips und eine erste Verkapselungsschicht oberhalb der Halbleiter-Transistorchips angeordnet umfasst, und ein zweites Halbleitermodul, das oberhalb des ersten Halbleitermoduls angeordnet ist. Das zweite Halbleitermodul umfasst eine Vielzahl von Halbleiter-Treiberkanälen und eine zweite Verkapselungsschicht, die oberhalb der Halbleiter-Treiberkanäle angeordnet ist. Die Halbleiter-Treiberkanäle sind ausgebildet, um die Halbleiter-Transistorchips anzusteuern.

公开(公告)号：DE102009002992B4

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：DE102009002992

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40 ,  H01L25/07

Abstract: Leistungshalbleitermodulsystem mit einem Leistungshalbleitermodul (1) und einem Kühlkörper (2), sowie mit wenigstens einem Befestigungsmittel (7), mittels dem das Leistungshalbleitermodul (1) fest mit dem Kühlkörper (2) verbunden werden kann, wobei das Leistungshalbleitermodul (1) eine Unterseite (12) mit einer ersten Wärmekontaktfläche (13) aufweist; der Kühlkörper (2) eine Oberseite (21) mit einer zweiten Wärmekontaktfläche (23) aufweist; das Leistungshalbleitermodul (1) eine Anzahl von N1 ≥ 1 erster Positionierelemente (14, 15a, 15b, 15c, 16a, 16b, 16c, 17a, 17b, 17c, 18, 19) und der Kühlkörper (2) eine Anzahl von N2 ≥ 1 zweiter Positionierelemente (24, 25a, 25b, 25c, 26a, 26b, 26c, 27a, 27b, 27c, 28, 29) aufweist, wobei jedes der ersten Positionierelemente mit einem der zweiten Positionierelemente korrespondiert und mit diesem ein Paar ((14, 24); (15a, 25a); (15b, 25b); (15c, 25c); (16a, 26a); (16b, 26b); (16c, 26c); (17a, 27a); (17b, 27b); (17c, 27c); (18, 28); (19; 29)) bildet; das Leistungshalbleitermodul (1) und der Kühlkörper (2) so zueinander anordenbar sind, dass die beiden Positionierelemente eines jeden der Paare bei der Montage des Leistungshalbleitermoduls (1) an dem Kühlkörper (2) ineinander greifen, wobei durch die ersten und zweiten Positionierelemente (14, 15a, 15b, 15c, 16a, 16b, 16c, 17a, 17b, 17c, 18, 19, 24, 25a, 25b, 25c, 26a, 26b, 26c, 27a, 27b, 27c, 28, 29) eine eindeutige und verdrehsichere relative Ausrichtung zwischen dem Leistungshalbleitermodul (1) und dem Kühlkörper (2) gewährleistet ist.

公开(公告)号：DE102013200308A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：DE102013200308

申请日：2013-01-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BÖNIG GUIDO

IPC: H01B1/02 ,  B32B15/02 ,  H01B5/02 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01R4/02

Abstract: Ein Bonddraht (1) umfasst ein oder mehrere Filamente (10–17) aus einem ersten Material, das bzw. die in eine Matrix (20) aus einem zweiten Material eingebettet ist bzw. sind. Ein jedes der Filamente (10–17) weist bei einem Druck von 1013,25 hPa eine erste Schmelztemperatur auf. Die Matrix (20) weist bei einem Druck von 1013,25 hPa eine zweite Schmelztemperatur auf. Die erste Schmelztemperatur ist um wenigstens 450°C höher als die zweite Schmelztemperatur.

公开(公告)号：DE102012202281A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE102012202281

申请日：2012-02-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: Die Erfindung betrifft Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterchip (1). Dieser weist einen Halbleiterkörper (10) mit einer Oberseite (10t) und einer der Oberseite (10t) entgegengesetzten Unterseite (10b) auf. Auf die Oberseite (10t) ist eine obere Chipmetallisierung (11) aufgebracht, auf die Unterseite (10b) eine untere Chipmetallisierung (12). Eine obere Kontaktplatte (12) ist mittels einer oberen Verbindungsschicht (31) stoffschlüssig mit der oberen Chipmetallisierung (11) verbunden. Entsprechend ist eine untere Kontaktplatte (22) mittels einer unteren Verbindungsschicht (32) stoffschlüssig mit der unteren Chipmetallisierung (12) verbunden.

公开(公告)号：DE102009002191A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：DE102009002191

申请日：2009-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF

IPC: H01L23/40 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L23/32

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (100) mit einem Leistungshalbleiterchip (1), der eine oberseitige elektrische Kontaktfläche (11a) aufweist, auf die ein Bonddraht (3) gebondet ist. Zumindest wenn das Leistungshalbleitermodul (100) an einem Kühlkörper (200) befestigt ist, erzeugt ein Anpresselement (4) eine Anpresskraft (F), die auf einen Teilabschnitt (36) eines Bonddrahtabschnittes (312) wirkt, der zwischen zwei benachbarten Bondstellen (31, 32) des Bonddrahtes (3) ausgebildet ist. Durch die Anpresskraft (f) werden der Leistungshalbleiterchip (1) und ein darunter befindliches Substrat (2) gegen den Kühlkörper (200) gepresst.