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公开(公告)号：DE102011083962B4
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：DE102011083962
申请日：2011-10-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Ätzen einer ersten Öffnung in ein Substrat; Ätzen eines Chipsingulierungsgrabens in das Substrat, um zwischen der ersten Öffnung und dem Chipsingulierungsgraben eine Lamelle zu definieren; Herstellen eines Erfassungselements zum Erfassen einer Ablenkung der Lamelle; und Singulieren der Halbleiterstruktur an dem Chipsingulierungsgraben.
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公开(公告)号：DE102011112879B4
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：DE102011112879
申请日：2011-09-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BINDER BORIS , HOFFMANN FRANK , KAUTZSCH THORALF , RUDOLPH UWE
Abstract: Verfahren, das Folgendes umfasst: Entfernen von Halbleitermaterial in einem ersten und zweiten Abschnitt (102a, b) eines Halbleitersubstrats (100), sodass eine Halbleiterstruktur (104) in dem Halbleitersubstrat (100) zwischen den Abschnitten (102a, b) ausgebildet wird; Ausbilden einer Schutzschicht (106) an einer Wand eines ersten Teils der Halbleiterstruktur (104), während eine Wand eines zweiten Teils der Halbleiterstruktur (104) nicht von der Schutzschicht (106) bedeckt ist, wobei der zweite Teil der Halbleiterstruktur (104) über dem ersten Teil der Halbleiterstruktur (104) ist; wobei die Schutzschicht (106) ein von dem Halbleitermaterial verschiedenes Material aufweist zum Schützen des Materials des ersten Teils der Halbleiterstruktur (104) vor einer Migration während eines nachfolgenden Migrationsprozesses; Anwenden des Migrationsprozesses auf das Halbleitersubstrat (104), sodass der erste Teil der Halbleiterstruktur (104) nach dem Migrationsprozess zurückbleibt und Halbleitermaterial des zweiten Teils der Halbleiterstruktur (104) derart migriert, dass ein kontinuierlicher Raum (112), der frei von Halbleitermaterial ist und sich über dem verbleibenden ersten Teil der Halbleiterstruktur (104) erstreckt, und eine kontinuierliche Halbleitermaterialschicht (114), die sich über dem kontinuierlichen Raum (112) von dem ersten zu dem zweiten Abschnitt (102a, b) erstreckt, durch die Migration des Halbleitermaterials des zweiten Teils der Halbleiterstruktur (104) ausgebildet werden.
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公开(公告)号：DE102013207801A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：DE102013207801
申请日：2013-04-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF
IPC: H01L27/144 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: Ausführungsformen betreffen Photozelleneinrichtungen. In einer Ausführungsform enthält eine Photozelleneinrichtung ein Array von Transmissionsschichten mit verschiedenen optischen Dicken und mit darunter liegenden Photodioden. Die Transmissionsschicht kann zwei unterschiedliche Materialien umfassen, wie zum Beispiel ein Nitrid und ein Oxid, die jede Diode mit einer anderen proportionalen Flächendichte in einer tauschierungsähnlichen Weise bedecken. Ausführungsformen stellen Vorteile gegenüber herkömmlichen Einrichtungen bereit, darunter, dass sie in einen standardmäßigen CMOS-Prozess integriert werden können, und damit einfacher und kostengünstiger herzustellen sind.
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14.发明专利
公开(公告)号：DE102012109307A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：DE102012109307
申请日：2012-10-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF
IPC: B60C23/02
Abstract: Ausführungsformen betreffen TPMS, die einen einachsigen Beschleunigungssensor zur Messung der Drehrichtung der Reifen in einer Reifenlokalisierungsmethodologie verwenden. Bei einer Ausführungsform gestattet die bekannte Achsposition des Beschleunigungssensors in den Reifen die Bewertung durch eine integrierte Schaltung zur Bestimmung der Links- und Rechtspositionierung eines Reifens sowie der Beschleunigungs- und Verzögerungshöhe. Aufgrund der beiden Komponenten des gemessenen Beschleunigungssignals, erstens der Richtungsbeschleunigung des Fahrzeugs und zweitens der Schwingungsmodulation aufgrund von Schwerkraft, weist die erzeugte Wellenform bekanntermaßen Differenzen zwischen den Signalen der linken und rechten Reifen eines beschleunigenden und verzögernden Fahrzeugs auf. Die Auswirkung der Schwingungsmodulation auf die Richtungsbeschleunigung des Fahrzeugs kann dazu verwendet werden, die Reifendrehrichtung und somit die daraus lokalisierten Räder sowie die Beschleunigungs- und Verzögerungshöhe zu identifizieren.
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公开(公告)号：DE102011084024A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：DE102011084024
申请日：2011-10-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BINDER BORIS , FOESTE BERND , KAUTZSCH THORALF , KOLB STEFAN , MUELLER MARCO
Abstract: Ein Verfahren zum Bereitstellen einer Halbleiterstruktur umfasst das Bilden einer Opferstruktur durch Ätzen einer Mehrzahl von Gräben von einer ersten Hauptoberfläche des Substrats. Das Verfahren umfasst ferner das Abdecken der Mehrzahl von Gräben an der ersten Hauptoberfläche mit einem Abdeckungsmaterial, um Hohlräume in dem Substrat zu definieren, das Entfernen eines Teils des Substrats von einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche bis zu einer Tiefe, an der die Mehrzahl von Gräben vorliegen, und das Wegätzen der Opferstruktur von der zweiten Hauptoberfläche des Substrats.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102009039106A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：DE102009039106
申请日：2009-08-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BINDER BORIS , FOESTE BERND , KAUTZSCH THORALF , MEINHOLD DIRK , ROSAM BEN , THAMM ANDREAS
IPC: G01L9/12
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公开(公告)号：DE102013018789B4
公开(公告)日：2025-03-06
申请号：DE102013018789
申请日：2013-11-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEVER THOMAS , FEICK HENNING , KAUTZSCH THORALF , MEINHOLD DIRK , MELZNER HANNO , OFFENBERG DIRK , PARASCANDOLA STEFANO , UHLIG INES
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung (400), welches folgende Schritte aufweist:Bereitstellen eines ungleichmäßigen Dotierungsprofils in einem Halbleitersubstrat (102), so dass ein elektrisches Feld mit vertikalen Feldvektorkomponenten in zumindest einem Teil eines Lichtwandlungsgebiets (112) des Halbleitersubstrats (102) erzeugt wird, undErzeugen (606) einer Steuerelektrodenstruktur, die mehrere Steuerelektroden (106, 106b, 106c) oberhalb des ungleichmäßigen Dotierungsprofils zum Lenken lichterzeugter Ladungsträger aufweist, wobei die Steuerelektrodenstruktur zwischen zwei Diodenstrukturen (114) zum Akkumulieren der lichterzeugten Ladungsträger angeordnet ist,wobei das Bereitstellen des ungleichmäßigen Dotierungsprofils aufweist:Bereitstellen (602) einer dotierten Schicht (202) in dem Lichtwandlungsgebiet (112), wobei die dotierte Schicht (202) Dotierungsatome aufweist, wobei das Bereitstellen der dotierten Schicht ein Erzeugen der dotierten Schicht (202), so dass die dotierte Schicht (202) eine laterale Variation einer Nettodotierungskonzentration aufweist, umfasst, wobei die laterale Variation der Nettodotierungskonzentration in Bezug auf ein Zentrum der Steuerelektrodenstruktur symmetrisch ist,Durchführen (604) eines Migrationsschritts zur Migration zumindest eines Teils der Dotierungsatome der dotierten Schicht (202) zu einem Gebiet oberhalb der dotierten Schicht (202),wobei das ungleichmäßige Dotierungsprofil in vertikaler Richtung ein lokales Maximum der Nettodotierungskonzentration in der dotierten Schicht (202) aufweist,wobei die Nettodotierungskonzentration in vertikaler Richtung von der dotierten Schicht (202) hin zu der Steuerelektrodenstruktur abnimmt, so dass lichterzeugte Ladungsträger, die innerhalb eines ersten Tiefenbereichs erzeugt werden, zu der Steuerelektrodenstruktur gelenkt werden,wobei die Nettodotierungskonzentration in vertikaler Richtung von der dotierten Schicht (202) fort von der Steuerelektrodenstruktur abnimmt, so dass die lichterzeugten Ladungsträger, die innerhalb eines zweiten Tiefenbereichs erzeugt werden, von der Steuerelektrodenstruktur fort gelenkt werden,wobei die dotierte Schicht (202) eine vergrabene Schicht ist,wobei ferner mindestens eine weitere dotierte Schicht (204) in einer Tiefe, die von der Tiefe der dotierten Schicht (202) verschieden ist, bereitgestellt wird,wobei die weitere dotierte Schicht (204) durch das Halbleitersubstrat räumlich von der dotierten Schicht (202) getrennt ist,wobei die weitere dotierte Schicht (204) eine Abschirmungswirkung für die Diodenstrukturen (114) bereitstellt, so dass sich die lichterzeugten Ladungsträger nicht direkt von innerhalb des Lichtwandlungsgebiets (112) zu den Diodenstrukturen (114), sondern nur unter dem Einfluss von durch die Steuerelektroden (106, 106b, 106c) erzeugten elektrischen Feldern bewegen dürfen, undwobei sich die weitere dotierte Schicht (204) in lateraler Richtung zumindest bis über ein definiertes Gebiet hinaus erstreckt, zu dem die lichterzeugten Ladungsträger gelenkt werden.
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公开(公告)号：DE102017125926B4
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：DE102017125926
申请日：2017-11-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF , FRÖHLICH HEIKO , STEGEMANN MAIK , VOGT MIRKO
IPC: H01L27/146 , G01J3/02 , H01L31/101
Abstract: Photosensorpixel, das aufweist:ein Substrat, das ein aktives Gebiet und ein zu dem aktiven Gebiet peripheres Gebiet umfasst;einen optischen Sensor, der bei dem aktiven Gebiet des Substrats angeordnet und dazu ausgebildet ist, Licht zu empfangen und ein auf dem empfangenen Licht basierendes Messsignal auszugeben; undeine Verkapselungsschicht, die über dem aktiven Gebiet und dem peripheren Gebiet des Substrats angeordnet ist, wobei die Verkapselungsschicht eine subwellenlängen-basierte Stufenindexstruktur umfasst, die sich über dem peripheren Gebiet des Substrats jedoch nicht über dem aktiven Gebiet befindet,wobei die sub-wellenlängen-basierte Stufenindexstruktur dazu ausgebildet ist, das Licht von einem Gebiet über dem peripheren Gebiet auf den optischen Sensor umzuleiten.
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19.发明专利
公开(公告)号：DE102012112765B4
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：DE102012112765
申请日：2012-12-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF
Abstract: Photozelle (100; 400), aufweisend:ein Substrat (101; 401); undmindestens zwei vertikale Gräben (102, 104; 402, 403, 404, 405), die in dem Substrat (101; 401) gebildet und seitlich voneinander beabstandet sind, so dass, wenn die Photozelle (100; 400) in einem Verarmungsmodus arbeitet, eine Raumladungsregion (106) sich seitlich in dem Substrat (101; 401) erstreckt, wobei ein erster Graben (102; 402) der mindestens zwei vertikalen Gräben in der Raumladungsregion angeordnet ist, und ein zweiter Graben (104; 404) der mindestens zwei vertikalen Gräben in einer neutralen Region (108) des Substrats (101; 401) angeordnet ist,die Photozelle (100; 400) des Weiteren aufweisend einen dritten Graben (403) und einen vierten Graben (405),wobei der erste (402) und der zweite Graben (404) als ein erstes Paar im Wesentlichen parallel zueinander liegen, der dritte (403) und vierte Graben (405) als ein zweites Paar im Wesentlichen parallel zueinander liegen und das erste und zweite Paar im Wesentlichen senkrecht zueinander liegen.
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公开(公告)号：DE102014113037B4
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：DE102014113037
申请日：2014-09-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF
IPC: H01L27/146
Abstract: Bildgebende Schaltung (1, 2, 3, 4, 5), die Folgendes umfasst: ein Halbleitersubstrat (10); ein erstes vertikales Graben-Gate (12) und ein benachbartes zweites vertikales Graben-Gate (13), die sich in das Halbleitersubstrat (10) hinein erstrecken; eine Gate-Steuerschaltung (239), die dazu ausgelegt ist, in einem ersten Betriebsmodus betrieben zu werden, um eine erste Spannung für das erste vertikale Graben-Gate (12) und eine zweite Spannung für das zweite vertikale Graben-Gate (13) bereitzustellen, um einen ersten Raumladungsbereich zu generieren, der fotogenerierte Ladungsträger eines ersten Ladungsträgertyps zu einem ersten Sammelkontakt (32) in der Nähe des ersten vertikalen Graben-Gates (12) beschleunigt, und in einem zweiten Betriebsmodus betrieben zu werden, um eine dritte Spannung für das erste vertikale Graben-Gate (12) bereitzustellen, um einen zweiten Raumladungsbereich zu generieren, der fotogenerierte Ladungsträger des ersten Ladungsträgertyps zum ersten Sammelkontakt (32) in der Nähe des ersten vertikalen Graben-Gates (12) beschleunigt; und eine bildverarbeitende Schaltung (235), die dazu ausgelegt ist, Entfernungsinformationen über ein Objekt auf Basis von fotogenerierten Ladungsträgern des ersten Ladungsträgertyps zu bestimmen, die am ersten Sammelkontakt (32) im ersten Betriebsmodus gesammelt werden, und Farbinformationen über das Objekt auf Basis von fotogenerierten Ladungsträgern des ersten Ladungsträgertyps zu bestimmen, die am ersten Sammelkontakt (32) im zweiten Betriebsmodus gesammelt werden.
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