公开(公告)号：DE102014019788B3

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：DE102014019788

申请日：2014-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  ILLING ROBERT ,  AUER BERNHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/58 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100);mindestens eine Verdrahtungsschicht (33; 34), die auf dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist;einen in den Halbleiterkörper (100) integrierten Feldeffekttransistor (Mp) mit einer Vielzahl von Gate-Elektroden (71), die sich in korrespondierenden, im Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Gate-Trenches (70") befinden;eine erste Schaltung (Ts), die im Halbleiterkörper (100) benachbart zu dem Feldeffekttransistor (Mp) integriert ist;eine zweite Schaltung (40), die abseits von der ersten Schaltung (T) in dem Halbleiterkörper (100) integriert ist;zumindest einen ersten zusätzlichen in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Trench (70), der zumindest eine Verbindungsleitung (81; 82) beinhaltet, die die erste Schaltung (T) und die zweite Schaltung (40) elektrisch verbindet;zumindest ein in der zumindest einen Verdrahtungsschicht (33; 34) ausgebildetes, leitfähiges Pad (50), das so angeordnet ist, dass es zumindest teilweise den ersten zusätzlichen Trench (70) bedeckt, um eine Schirmung der zumindest einen Verbindungsleitung (81; 82) zu bilden.

公开(公告)号：DE102004047752B3

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：DE102004047752

申请日：2004-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  KRISCHKE NORBERT ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: G01K7/01 ,  H01L23/62 ,  H01L27/08

Abstract: A semiconductor device is disclosed. In one embodiment the semiconductor device includes a semiconductor body of which is integrated a temperature sensor for measuring the temperature prevailing in the semiconductor body. The temperature sensor has a MOS transistor and a bipolar transistor. The MOS transistor is integrated into the semiconductor body nd configured such that the substhreshold current intensity of the MOS transistor is proportional to the temperature to be measured. The subthreshold current of the MOS transistor is amplified by the bipolar transistor.

公开(公告)号：DE102004024887A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：DE102004024887

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN ,  KROTSCHECK THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: The transistor has a cell array with two active transistor cells separated by a pitch, and a temperature sensor in proximate to the cell array. An isolation structure with an isolation trench (70) electrically isolates the temperature sensor from the cell array. The temperature sensor and the transistor cell are located in closest distance, approximately to the pitch between active transistor cells within the cell array.

公开(公告)号：DE59610297D1

公开(公告)日：2003-05-08

申请号：DE59610297

申请日：1996-11-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANTIOLER JOSEF-MATTHIAS ,  HEIL HOLGER ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: G01K7/01 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

Abstract: The semiconductor device consists of several parallel switched cells. The temp. sensor includes a bipolar transistor adjacent the cell region of the power semiconductor device. A zone is provided between the base region of the bipolar transistor and the gate region of the cells of the power semiconductor device. The zone has the same conductivity as the neighbouring regions and is connected to a fixed voltage. The fixed voltage is smaller or greater than the supply voltage of the power semiconductor. The collector region of the bipolar transistor and the drain of the power semiconductor are formed by a single zone of the semiconductor body of the power semiconductor device.

公开(公告)号：DE102014112823B4

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102014112823

申请日：2014-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  ILLING ROBERT ,  AUER BERNHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8248 ,  H01L23/58 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Halbleiterbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100); mindestens eine Verdrahtungsschicht (33; 34), die auf dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist; einen in den Halbleiterkörper (100) integrierten Feldeffekttransistor (MP) mit einer Vielzahl von Gate-Elektroden (71), die sich in korrespondierenden, im Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Gate-Trenches (70‘‘) befinden; einen Temperatursensor (TS), der im Halbleiterkörper (100) benachbart zu dem Feldeffekttransistor (MP) integriert ist; eine Temperaturmessschaltung (40), die abseits von dem Temperatursensor (TS) in dem Halbleiterkörper (100) integriert ist; zumindest einen ersten zusätzlichen in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Trench (70), der zumindest eine Messleitung (81; 82) beinhaltet, die den Temperatursensor (TS) und die Temperaturmessschaltung (40) elektrisch verbindet; zumindest ein in der zumindest einen Verdrahtungsschicht (33; 34) ausgebildetes, leitfähiges Pad (50), das so angeordnet ist, dass es zumindest teilweise den ersten zusätzlichen Trench (70) bedeckt, um eine Schirmung der Messleitung(en) (81; 82) zu bilden.

公开(公告)号：DE102007010884B4

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：DE102007010884

申请日：2007-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  HIRLER FRANZ ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102004021393B4

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：DE102004021393

申请日：2004-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L29/06

公开(公告)号：DE10002129A1

公开(公告)日：2001-08-02

申请号：DE10002129

申请日：2000-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEISS HEINRICH ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102010064679B3

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE102010064679

申请日：2010-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  DECKER STEFAN ,  KRISCHKE NORBERT ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/62 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: Integrierte Schaltung (100), die aufweist:einen ersten FET (110) und einen zweiten FET (120),wobei wenigstens ein Element aus Source, Drain, Gate des ersten FETs (110) elektrisch mit dem entsprechenden Element aus Source, Drain, Gate des zweiten FETs (120) verbunden ist,wenigstens ein weiteres Element aus Source, Drain, Gate des ersten FETs (110) und das entsprechende weitere Element aus Source, Drain, Gate des zweiten FETs (120) mit einem Schaltkreiselement (130) verbunden sind; undeine Dotierstoffkonzentration eines Bodys entlang eines Kanals des ersten (110) und zweiten (120) FETs jeweils einen Peak an einer Position (Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Zmax) innerhalb des Kanals aufweist, und ein Profil der Dotierstoffkonzentration des Bodys jeweils des ersten (110) und zweiten (120) FETs an einem pn-Übergang zwischen dem Body und der Source in Richtung zur Source hin abfällt.

公开(公告)号：DE102015112728B4

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE102015112728

申请日：2015-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN ,  DEL CROCE PAOLO ,  PETRUZZI LUCA ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:ein Halbleitersubstrat (106), das eine erste Hauptoberfläche (110) und eine entgegengesetzt angeordnete zweite Hauptoberfläche (112) aufweist;eine erste Wanne (114), die sich von der ersten Hauptoberfläche (110) in das Halbleitersubstrat (106) erstreckt;eine vertikale Leistungsvorrichtung (100), die teilweise in der ersten Wanne (114) angeordnet ist und einen vertikalen Strompfad aufweist, der sich in eine Richtung erstreckt, die senkrecht zu der ersten und der zweiten Hauptoberfläche (110, 112) ist;eine zweite Wanne (116), die sich von der ersten Hauptoberfläche (110) in das Halbleitersubstrat (106) erstreckt und durch ein Trennungsgebiet (118) des Halbleitersubstrats (106) von der ersten Wanne (114) beabstandet ist;eine Vielzahl von Logikvorrichtungen, die in der zweiten Wanne (116) angeordnet sind; undeine Minoritätsladungsträger-Umwandlungsstruktur (108) in dem Trennungsgebiet (118), wobei die Minoritätsladungsträger-Umwandlungsstruktur (108) ein erstes dotiertes Gebiet (152) desselben Leitfähigkeitstyps wie die erste und die zweite Wanne (114, 116), das sich von der ersten Hauptoberfläche (110) in das Halbleitersubstrat (106) erstreckt, ein zweites dotiertes Gebiet (154) des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps wie das erste dotierte Gebiet (152), das sich von der ersten Hauptoberfläche (110) in das Halbleitersubstrat (106) erstreckt, und eine leitende Schicht (160), die das erste und das zweite dotierte Gebiet (152, 154) verbindet, umfasst,wobei das erste dotierte Gebiet (152) näher zu der zweiten Wanne (116) als zu der ersten Wanne (114) angeordnet ist, undwobei ein erster Teil (156) des zweiten dotierten Gebiets (154), welcher zwischen dem ersten dotierten Gebiet (152) und der ersten Wanne (114) angeordnet ist, breiter ist als ein zweiter Teil (158) des zweiten dotierten Gebiets (154), welcher zwischen dem ersten dotierten Gebiet (152) und der zweiten Wanne (116) angeordnet ist.