公开(公告)号：GB2526454A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：GB201513899

申请日：2013-03-14

Applicant: INTEL CORP

Inventor： PAWASHE CHYTRA ,  KIM RASEONG ,  KIM SEIYON ,  KUHN KELIN J ,  MANIPATRUNI SASIKANTH ,  RIOS RAFAEL ,  YOUNG IAN A ,  LIN KEVIN ,  CHAUDHRY ANURAG

IPC: H01L29/86 ,  B81B7/00 ,  H01H1/00 ,  H01H9/02

Abstract: Nanowire-based mechanical switching devices are described. For example, a nanowire relay includes a nanowire disposed in a void disposed above a substrate. The nanowire has an anchored portion and a suspended portion. A first gate electrode is disposed adjacent the void, and is spaced apart from the nanowire. A first conductive region is disposed adjacent the first gate electrode and adjacent the void, and is spaced apart from the nanowire.

公开(公告)号：DE102020112108A1

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE102020112108

申请日：2020-05-05

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SHARMA ABHISHEK ANIL ,  AGARWAL ASHISH ,  ALAAN URUSA ,  JEZEWSKI CHRISTOPHER ,  LIN KEVIN ,  NAYLOR CARL

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26

Abstract: Transistorstrukturen, die Metallchalkogenid-Kanalmaterialien verwenden, können gebildet werden, wobei ein Chalkogen in zumindest einen Abschnitt eines Precursormaterials eingebracht wird, das reaktive(s) Metall(e) umfasst. Das Precursormaterial kann im Wesentlichen metallisch sein, oder kann ein Metalloxid (z.B. ein Oxidhalbleiter) sein. Das (Die) Metall(e) kann/können Übergangs-, Gruppe-II-, Gruppe-III-, Gruppe-V-Elemente oder Legierungen derselben sein. Ein Oxid eines oder mehrerer solcher Metalle (z.B. IGZO) kann in ein Chalkogenid (z.B. IGZSxoder IGZSex) umgewandelt werden, das Halbleitereigenschaften aufweist. Das auf diese Weise gebildete Chalkogenid kann nur wenige Monoschichten dick sein (und ist möglicherweise thermisch stabiler als viele Oxidhalbleiter). Wo nicht das gesamte Precursormaterial umgewandelt wird, kann eine Transistorstruktur das Precursormaterial beibehalten, zum Beispiel als Teil eines Transistorkanals oder eines Gate-Dielektrikums. Backend-Transistoren umfassend Metallchalkogenid-Kanalmaterialien können über einer Silizium-CMOS-Schaltungsanordnung hergestellt werden.

公开(公告)号：DE112017007929T5

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE112017007929

申请日：2017-09-29

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LE VAN ,  SHARMA ABHISHEK ANIL ,  DEWEY GILBERT ,  MILLARD KENT ,  KAVALIEROS JACK T ,  SHIVARAMAN SHRIRAM ,  TRONIC TRISTAN ,  GARDNER SANAZ ,  WEBER JUSTIN ,  GHANI TAHIR ,  TAN LI HUEY ,  LIN KEVIN

IPC: H01L27/108

Abstract: Beschrieben wird eine Vorrichtung, die folgendes umfasst: ein Gate, das ein Metall umfasst; eine erste Schicht benachbart zu dem Gate, wobei die erste Schicht ein dielektrisches Material aufweist; eine zweite Schicht benachbart zu der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ein zweites Material aufweist; eine dritte Schicht benachbart zu der zweiten Schicht, wobei die dritte Schicht ein drittes Material aufweist, das ein amorphes Metalloxid umfasst; eine vierte Schicht benachbart zu der dritten Schicht, wobei die vierte Schicht ein viertes Material aufweist, wobei das zweite und vierte Material sich von dem dritten Material unterscheiden; eine Source, teilweise benachbart zu der vierten Schicht; und einen Drain, teilweise benachbart zu der vierten Schicht.

公开(公告)号：GB2511704A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：GB201411223

申请日：2013-06-20

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  EID FARAS ,  MA QING

IPC: G01P15/105 ,  B81B3/00 ,  G01C19/56

Abstract: Techniques and mechanisms to provide for metering acceleration. In an embodiment, a microelectromechanical accelerometer includes a magnet, a mass, and a first support beam portion and second support beam portion for suspension of the mass. Resonance frequency characteristics of the first support beam portion and second support beam portion, based on the magnet and a current conducted by the first support beam portion and second support beam portion, are indicative of acceleration of the mass. In another embodiment, the accelerometer further includes a first wire portion and a second wire portion which are each coupled to the mass and further coupled to a respective anchor for exchanging a signal with the first wire portion and the second wire portion. The first wire portion and the second wire portion provide for biasing of the mass.

公开(公告)号：EP3160897A4

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：EP14896176

申请日：2014-06-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MUNOZ JORGE A ,  NIKONOV DMITRI E ,  KUHN KELIN J ,  THEOFANIS PATRICK ,  PAWASHE CHYTRA ,  LIN KEVIN ,  KIM SEIYON

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B82B1/005 ,  B81B3/0016 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B82B1/002 ,  B82B3/0023 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01H59/0009 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/938

Abstract: Nanoelectromechanical (NEMS) devices having nanomagnets for an improved range of operating voltages and improved control of dimensions of a cantilever are described. For example, in an embodiment, a nanoelectromechanical (NEMS) device includes a substrate layer, a first magnetic layer disposed above the substrate layer, a first dielectric layer disposed above the first magnetic layer, a second dielectric disposed above the first dielectric layer, and a cantilever disposed above the second dielectric layer. The cantilever bends from a first position to a second position towards the substrate layer when a voltage is applied to the cantilever.