Beleuchtungsvorrichtung zum Erzeugen einer Lichtemission und Verfahren zum Erzeugen einer Lichtemission

    公开(公告)号:DE102012109217A1

    公开(公告)日:2014-04-03

    申请号:DE102012109217

    申请日:2012-09-28

    Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Beleuchtungsvorrichtung zum Erzeugen einer Lichtemission bereitgestellt, aufweisend: eine Lichtquelle, eingerichtet zum Erzeugen von Licht mit einer ersten Dominanzwellenlänge; einen ersten Konverter, welcher eingerichtet ist, das von der Lichtquelle erzeugte Licht zu absorbieren, und Licht mit einer zweiten Dominanzwellenlänge, welche größer ist als die erste Dominanzwellenlänge, zu emittieren; und einen zweiten Konverter, welcher eingerichtet ist, einen Lichtanteil des von dem ersten Konverter emittierten Lichts zu absorbieren und Licht zu emittieren, so dass die Lichtemission eine dritte Dominanzwellenlänge aufweist, welche größer ist als die zweite Dominanzwellenlänge.

    µLED CHIP ARCHITEKTUR BASIEREND AUF NANOSTRUKTURIERTEN PEROWSKIT-KONVERTERMATERIALIEN

    公开(公告)号:DE102018125646A1

    公开(公告)日:2020-01-30

    申请号:DE102018125646

    申请日:2018-10-16

    Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements, umfassend:- Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfassend:mindestens eine lichtemittierende Schicht (4),mindestens eine Kavität (3), und- Einbringen mindestens einer Vorstufe eines Konversionselements, wobei das mindestens eine Konversionselement (6, 6') eine Perowskit-basierte ABX- oder ABB'X-Struktur umfasst.Ferner ist Gegenstand der Erfindung ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und die Verwendung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements.

    Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display

    公开(公告)号:DE102012109460A1

    公开(公告)日:2014-04-10

    申请号:DE102012109460

    申请日:2012-10-04

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), B) Aufbringen einer Pufferschicht (4) mittelbar oder unmittelbar auf eine Substratoberseite (20), C) Erzeugen einer Vielzahl von separaten Anwachspunkten (45) auf oder an der Pufferschicht (4), D) Erzeugen von einzelnen, strahlungsaktiven Inseln (5), ausgehend von den Anwachspunkten (45), wobei die Inseln (5) jeweils eine anorganische Halbleiterschichtenfolge (50) mit mindestens einer aktiven Zone (55) umfassen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (5), in Draufsicht auf die Substratoberseite (20) gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 20 μm liegt, und E) Verschalten der Inseln (5) mit Transistoren (6) zu einer elektrischen Ansteuerung der Inseln (5).

Patent Agency Ranking