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    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    12.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 未知

    公开(公告)号：DE102016108369A1

    公开(公告)日：2017-11-09

    申请号：DE102016108369

    申请日：2016-05-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOLDBACH MATTHIAS ,  ZIEREIS CHRISTIAN ,  POLLICH LUDWIG

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/52

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt und einem Gehäusekörper, wobei der Gehäusekörper an den ersten Leiterrahmenabschnitt angrenzt. Ein Dichtmaterial ist auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt angeordnet und zumindest teilweise vom Gehäusekörper bedeckt. Auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (150) angeordnet, der zumindest teilweise mit einem Vergussmaterial bedeckt ist. Das Vergussmaterial grenzt an den ersten Leiterrahmenabschnitt und an den Gehäusekörper an. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements.

    Lichtquelle mit mehreren Halbleiterkomponenten
    13.
    发明专利
    Lichtquelle mit mehreren Halbleiterkomponenten 未知

    公开(公告)号：DE102015107739A1

    公开(公告)日：2016-11-24

    申请号：DE102015107739

    申请日：2015-05-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOLDBACH MATTHIAS ,  GRÖTSCH STEFAN ,  HOLZ JÜRGEN ,  ILLEK STEFAN

    IPC: H01L25/075 ,  F21S2/00 ,  G09F9/33 ,  H01L25/16 ,  H01L27/15

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Lichtquelle mit mehreren Halbleiterkomponenten, wobei eine Halbleiterkomponente mehrere Licht emittierende Dioden aufweist, wobei die Dioden in einem vorgegebenen Raster in wenigstens einer Spalte auf dem Halbeiterchip angeordnet sind, wobei eine Steuerschaltung für eine Ansteuerung der einzelnen Dioden auf der Halbleiterkomponente angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung eine Halbleiterkomponente mit mehreren Licht emittierende Dioden, wobei die Dioden in einem vorgegebenen Raster in wenigstens einer Spalte auf dem Halbeiterchip angeordnet sind, wobei eine Steuerschaltung für eine Ansteuerung der einzelnen Dioden auf der Halbleiterkomponente angeordnet ist, wobei die Steuerschaltung ausgebildet ist, die Dioden einzeln anzusteuern.

    BAUELEMENT MIT STRUKTURIERTEM LEITERRAHMEN UND GEHÄUSEKÖRPER SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES BAUELEMENTS
    15.
    发明专利
    BAUELEMENT MIT STRUKTURIERTEM LEITERRAHMEN UND GEHÄUSEKÖRPER SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES BAUELEMENTS 未知

    公开(公告)号：DE102021108604A1

    公开(公告)日：2022-10-13

    申请号：DE102021108604

    申请日：2021-04-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOLDBACH MATTHIAS ,  BOGNER GEORG ,  KAISER THEO

    IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein Bauelement (10) mit einem Leiterrahmen (1), einem Halbleiterchip (2) und einem Gehäusekörper (3) angegeben, wobei der Leiterrahmen (1) einen ersten Teilbereich (11) und einen zweiten Teilbereich (12) aufweist, der von dem ersten Teilbereich (11) lateral beabstandet ist. Der Gehäusekörper (3) umschließt den ersten Teilbereich (11) und den zweiten Teilbereich (12) in lateralen Richtungen, und verbindet somit den ersten Teilbereich (11) mit dem zweiten Teilbereich (12) mechanisch. Der Halbleiterchip (2) ist auf einer Montagefläche (11M) des ersten Teilbereichs (11) angeordnet und mit den Teilbereichen (11, 12) des Leiterrahmens (1) elektrisch leitend verbunden. Der erste Teilbereich (11) weist eine erste lokale Erhöhung (11H) auf, die zumindest eine Randregion (11K) des ersten Teilbereichs (11) vertikal überragt und in Draufsicht auf die Montagefläche (11M) den Halbleiterchip (2) zumindest teilweise umschließt. In Draufsicht auf die Montagefläche (11M) bedeckt der Gehäusekörper (3) die erste lokale Erhöhung (11H) vollständig bedeckt, wobei der Gehäusekörper (3) den Halbleiterchip (2) nicht bedeckt.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements (10) angegeben.

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND ANORDNUNG
    16.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND ANORDNUNG 未知

    公开(公告)号：DE102018129003A1

    公开(公告)日：2020-05-20

    申请号：DE102018129003

    申请日：2018-11-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HIEN MATTHIAS ,  GOLDBACH MATTHIAS

    IPC: H01L25/16 ,  H01F38/14 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62 ,  H01Q23/00 ,  H05B44/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) umfassend, einen Halbleiterkörper (10) mit einer Hauptabstrahlfläche (A) und einem zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Bereich (100), und ein Empfangselement (20), das auf der der Hauptabstrahlfläche (A) abgewandten Seite des Halbleiterkörpers (10) angeordnet ist angegeben. Dem Empfangselement (20) ist eine Empfängerfrequenz zugeordnet, und es ist dazu eingerichtet, Energie zum Betreiben des aktiven Bereichs (100) aus einem elektromagnetischen Wechselfeld zu entnehmen. Es wird ferner eine Anordnung (2), umfassend zumindest zwei optoelektronische Halbleiterbauelemente (1) angegeben.

    Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
    17.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils 未知

    公开(公告)号：DE102018105908A1

    公开(公告)日：2019-09-19

    申请号：DE102018105908

    申请日：2018-03-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： REINGRUBER KLAUS ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  GOLDBACH MATTHIAS

    IPC: H01L33/46 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil (100) einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einer Emissionsseite (10) und einer der Emissionsseite gegenüberliegenden Rückseite (12). Ferner umfasst das Bauteil einen Gehäusekörper (2) mit einer Oberseite (20) und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite (22) sowie eine Metallschicht (3) auf der Oberseite des Gehäusekörpers. Der Halbleiterchip emittiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung über die Emissionsseite. Der Halbleiterchip ist in dem Gehäusekörper eingebettet und lateral von dem Gehäusekörper umgeben. Die Emissionsseite ist der Rückseite und die Oberseite ist der Unterseite entlang einer Hauptabstrahlrichtung (4) des Halbleiterchips nachgeordnet. Die Metallschicht ist zumindest teilweise reflektierend oder absorbierend für von dem optoelektronischen Bauteil erzeugte Strahlung.

    Optoelektronisches Bauelement
    19.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015116710A1

    公开(公告)日：2017-04-06

    申请号：DE102015116710

    申请日：2015-10-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOLDBACH MATTHIAS ,  GRÜNDL ANDREAS

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schicht, die ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge zu erzeugen, mit einer Schicht, die ein Konversionsmaterial und ein Streumaterial aufweist, wobei das Konversionsmaterial ausgebildet ist, um die erste Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung zu einer zweiten Wellenlänge zu verschieben, und wobei das Streumaterial ausgebildet ist, um die erste Wellenlänge stärker als die zweite Wellenlänge diffus zu streuen.

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