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    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
    11.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102014107306A1

    公开(公告)日：2015-11-26

    申请号：DE102014107306

    申请日：2014-05-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  MUERMANN BJÖRN ,  KOPP FABIAN ,  HÖPPEL LUTZ

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01S5/02

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) mit den Schritten: – Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22), – Aufbringen einer ersten und einer zweiten Kontaktschicht (31, 32) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), – Aufbringen einer Kontaktmetallisierung (4) auf die zweite Kontaktschicht (31, 32) in einem ersten und in einem zweiten elektrischen Kontaktbereich (51, 52), wobei – die erste und die zweite Kontaktschicht (31, 32) je aus einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet sind, – im ersten elektrischen Kontaktbereich (51) folgende Schichten aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), die erste Kontaktschicht (31, 32), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4), und – im zweiten elektrischen Kontaktbereich (52) folgende Schichten aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4).

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, HERSTELLUNGSVERFAHREN UND HALBLEITERBAUTEIL
    13.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, HERSTELLUNGSVERFAHREN UND HALBLEITERBAUTEIL 未知

    公开(公告)号：DE102021202920A1

    公开(公告)日：2022-09-29

    申请号：DE102021202920

    申请日：2021-03-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  LEBER ANDREAS

    IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1)- eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Bodenseite (20),- eine Bodenbeschichtung (3) an der Bodenseite (20), und- eine Elektrodenschicht (4) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Unterseite (30) der Bodenbeschichtung (3), wobei- die Bodenbeschichtung (3) einen Dickengradienten und zumindest eine Kammlinie (33) aufweist, an der die Bodenbeschichtung (3) am dicksten ist,- sich die Elektrodenschicht (4) über die zumindest eine Kammlinie (33) erstreckt, sodass eine der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandte Kontaktseite (40) der Elektrodenschicht (4) die Bodenbeschichtung (3) formtreu nachformt, und- durch die zumindest eine Kammlinie (33) eine elektrische und mechanische Kontaktebene (P) der Kontaktseite (40) parallel zur Bodenseite (20) festgelegt ist.

    Bauelement zur Darstellung eines Piktogramms und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
    19.
    发明专利
    Bauelement zur Darstellung eines Piktogramms und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102016116986A1

    公开(公告)日：2018-03-15

    申请号：DE102016116986

    申请日：2016-09-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN

    IPC: G09F13/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1), einem Halbleiterkörper (2) und einer dazwischen liegenden Spiegelschicht (3) angegeben, bei dem der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung vom Licht eingerichtet ist. Das Bauelement weist eine Hauptfläche (101) auf, die im Betrieb des Bauelements leuchtet, wobei leuchtende Bereiche der Hauptfläche visuell erfassbare Information in Form eines Piktogramms (P) wiedergeben, wobei das Piktogramm in Draufsicht auf die Hauptfläche eine Kontur aufweist, die zumindest teilweise durch eine Kontur der Spiegelschicht definiert ist, und wobei das Bauelement in Draufsicht auf die Hauptfläche einen Umriss aufweist, der sich von der Kontur des Piktogramms unterscheidet. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung eines solchen Bauelements geeignet ist.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
    20.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102016116460A1

    公开(公告)日：2018-03-08

    申请号：DE102016116460

    申请日：2016-09-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  RAFAEL CHRISTINE ,  KASPRZAK ZABLOCKA ANNA ,  LEIRER CHRISTIAN

    IPC: H01L33/54

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, wobei in einem Verfahrensschritt A) ein Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer darauf angeordneten Halbleiterschichtenfolge (10) erfolgt, welche zur Emission von Licht geeignet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) zumindest einen Trenngraben (3) umfasst, welcher sich zumindest teilweise durch die Halbleiterschichtenfolge (10) von einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite (10a) der Halbleiterschichtenfolge (10) in Richtung des Aufwachssubstrats (2) erstreckt. In einem Verfahrensschritt B) erfolgt ein Anordnen einer Lackstruktur (4) im Trenngraben (3). In einem Verfahrensschritt C) erfolgt ein Anordnen eines Vergusses (6) auf der dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite (10a) der Halbleiterschichtenfolge (10), so dass der Verguss (6) mit zumindest einem Teil der Lackstruktur (4) seitlich in Kontakt ist.

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