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公开(公告)号:CN111755302A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN202010230636.0
申请日:2020-03-27
IPC: H01J37/05 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/28
Abstract: 本发明涉及用于通过多个带电粒子分束来检查样品的带电粒子束装置。所述带电粒子束装置包含用于保持样品的样品保持器,用于产生带电粒子的束的源,以及用于将带电粒子的所述束转换成多个带电粒子分束并将所述多个带电粒子分束聚焦到所述样品上的照射器。此外,提供了一种用于检测响应于所述多个带电粒子分束的所述辐射而从所述样品发出的辐射的通量的检测器组件。如本文中所定义的,所述带电粒子束装置被布置成用于将所述多个带电粒子分束以基本上1D图案引导到所述样品上,其中所述基本上1D图案形成基本上2D几何形状的边缘的一部分。此外,所述检测器组件包括以相应的基本上1D图案布置的多个检测器单元。
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公开(公告)号:CN110678954A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201880036357.1
申请日:2018-06-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/05
Abstract: 一种离子注入系统具有形成离子束的离子源。质量分析器沿射束路径限定并改变经质量分析的射束。可动质量解析孔径组件具有解析孔径,响应于质量分析器改变射束路径而选择性改变该解析孔径的位置。定位的偏转减速元件选择性偏转射束路径并选择性使经质量分析的射束减速。控制器在漂移模式和减速模式下选择性操作离子注入系统。控制器在漂移模式下使经质量分析的射束沿第一路径穿过解析孔径而不会发生偏转或减速,而在减速模式下使射束沿第二路径偏转并减速。选择性改变解析孔径的位置是基于穿过质量分析器和偏转减速元件的射束路径变化。
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公开(公告)号:CN106847659B
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201710037915.3
申请日:2017-01-18
Applicant: 加坦公司
Inventor: 科林·特雷弗 , 马修·伦特 , 亚历山大·约瑟夫·古本斯 , 爱德华·詹姆斯 , 雷伊·达德利·特韦斯顿 , 罗伊斯·约瑟夫 , 桑杰·帕瑞卡 , 托马斯·沙
IPC: H01J37/05 , H01J37/244 , H01J37/28
Abstract: 本发明涉及一种电子能量损失光谱仪,包括一个直接检测传感器、一个高速快门及一个传感器处理器,其中所述传感器处理器用于将来自单个传感器读数的图像结合为一体并将来自所述传感器的二维图像转换为一维光谱,其中所述一维光谱输出至计算机,所述高速快门的操作与传感器成像的时间相结合;控制所述快门,从而允许减少对与单个传感器读数相应的图像的曝光。通过成像以不完全曝光的方式曝光多个图像,其中所述多个图像结合形成一个合成图像。多个图像由以不同的曝光时间曝光所述传感器形成的图像组成。
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公开(公告)号:CN107195518A
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201710483558.3
申请日:2017-06-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/05 , H01J37/244
Abstract: 本发明涉及一种离子注入量调节装置,包括:调节件,用于开启和关闭离子注入设备的离子出口;驱动结构,用于控制所述调节件运动以调节离子出口的开口度。本发明的有益效果是:可以灵活调节离子注入量。本发明还涉及一种离子注入设备、离子注入量调节方法、判断方法。
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公开(公告)号:CN104183448B
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201410181511.8
申请日:2014-04-30
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
Abstract: 本发明提供具有能量宽度的射束的高精度能量分析技术。本发明的高能量精度的高频加速式离子加速/传输装置为通过相对于设定射束能量具有能量宽度即能量分布的高频加速式加速系统进行离子束的加速后的射束线,且具备能量分析用偏转电磁铁和横向射束会聚要件。离子加速/传输装置进一步在通过能量分析用偏转电磁铁和横向射束会聚要件而使得能量分散和射束尺寸适当的位置,设置有包括能量宽度限制狭缝和能量分析狭缝的双狭缝,双狭缝进行能量分离和能量限制,通过一边抑制束电流量的减少,一边调整为更小的能量宽度,从而缩小离子束的能量宽度来实现所需能量精度。
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公开(公告)号:CN104106123A
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201380004763.7
申请日:2013-01-14
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/16
CPC classification number: H01J37/147 , G01K5/00 , H01J37/05 , H01J37/16 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明涉及用于减少能量杂质的方法及装置,可用于粒子注入的束线组合。突出部包括表面区域及其间槽部的突出部可面向束线组合内从工件角度观察的视线域内的中性原子轨迹。突出部可使中性原子轨迹的路线变作远离工件或引起其它轨迹,用于在击中工件前进一步撞击,并由此对敏感度更佳的注入进一步减少能量杂质。
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公开(公告)号:CN101990630B
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN200980112555.2
申请日:2009-02-19
Applicant: 布鲁克机械公司
Inventor: 葛拉多·A··布鲁克尔
Abstract: 一种用以测量压力和减少溅射产量的电离计包括产生电子的至少一个电子源。所述电离计还包括收集由所述电子与气体分子之间的碰撞所形成的离子的集极电极。所述电离计还包括阳极。相对于集极电极的偏置电压的阳极偏置电压经配置以在预定压力下切换以使溅射碰撞的产量减小。
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公开(公告)号:CN101807507B
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201010151648.0
申请日:2010-04-19
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
Abstract: 本发明涉及离子束的注入领域,其公开了具有束流减速器的离子注入机系统,包括离子束系统和靶室系统,该离子束系统包括产生离子束的离子源和用以选择、成型和传输离子束到达靶室的电磁装置,该靶室系统用来对目标工件进行扫描;其特征在于:还包括减速装置,其位于所述靶室系统的上游位置并减小离子束的能量,并移除有害的上游中性分子和原子;所述减速装置包括一系列电极对;所述电极对设置有侧电极。本发明的有益效果是:本发明通过采用多电极进行减速和偏转离子束,既能去掉离子束的能量污染,又减小电极的端部效应。
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公开(公告)号:CN102468104A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201110354511.X
申请日:2011-11-10
Applicant: FEI公司
Inventor: A.亨斯特拉
IPC: H01J37/05 , H01J37/153 , H01J37/09
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/06 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J2237/0453 , H01J2237/053 , H01J2237/057 , H01J2237/31713
Abstract: 本发明公开了带有集成静电能量过滤器的带电粒子源。本发明涉及带有集成能量过滤器的带电粒子过滤器。其中所用的大部分过滤器具有高度弯曲的光轴,且因此使用具有难以制造的形式的部件,根据本发明的该源使用在直光轴周围的电极。令人吃惊的是,本发明者发现,倘若电极(114,116,120,122)中的一些形成为120°/60°/120°/60°,很可能使带电粒子束106a偏转离轴线104相当远,示出在能量选择狭缝108处显著的能量扩散,而不引入不能矫正的彗差或像散。这些电极能通过胶合或钎焊陶瓷而附连到彼此,且然后可例如通过火花腐蚀而形成高度同心的孔。
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公开(公告)号:CN101385112B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200780005339.9
申请日:2007-02-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/141
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/141 , H01J37/1472 , H01J37/3171 , H01J2237/0042 , H01J2237/057 , H01J2237/141 , H01J2237/142 , H01J2237/1508 , H01J2237/152 , H01J2237/31701 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明是揭露一种包括主动式场束缚的电磁铁及相关离子注入器系统。电磁铁提供在高的大间隙内的具有最小强度失真及劣化的偶极磁场。在一实施例中,用于修改离子束的电磁铁包括:包括六个侧面的铁磁箱体结构;在铁磁箱体结构的第一侧面及第二相对侧面中的每一侧面中的供离子束通过的开口;以及具有沿铁磁箱体结构的内表面的路径的多个载流导线,内表面包括第一侧面及第二相对侧面以及第三侧面及第四相对侧面,其中多个载流导线经定位以围绕第一侧面及第二相对侧面的开口中的每一侧面延伸。
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