光電気混載基板に設けた光送信機または光送受信機の送信部
    252.
    发明申请
    光電気混載基板に設けた光送信機または光送受信機の送信部 审中-公开
    混合光电基板处理的光收发器光传输器或传输单元

    公开(公告)号:WO2015050187A1

    公开(公告)日:2015-04-09

    申请号:PCT/JP2014/076362

    申请日:2014-10-02

    Abstract:  本発明による多チャンネル型の半導体レーザおよびドライバIC50の配置関係に特徴を有する光集積回路を備えた光送信機または光送受信機の送信部を提供する。 光電気混載基板の平面には、光信号を外部に出力するグレーティング・カプラを一列に配列するための配列光インターフェイス配置領域300、当該光インターフェイス配置領域300に隣接し、半導体レーザ10とドライバIC50の両方に対して1枚の排熱板25を配置するための排熱配置領域500、そして、当該排熱板配置領域500に隣接し、導電ピンと電気結線を配置するための高速信号配線領域400が設けられる。半導体レーザ10とドライバIC150とは、排熱板配置領域500内において、グレーティング・カプラ(80a)の配列方向(D)に沿って隣接するように配置される

    Abstract translation: 本发明提供了一种光收发器装置的光发射机或发射单元,包括一个光集成电路,其特征在于多通道半导体激光器与驱动器IC(50)之间的定位关系。 配置在混合光电基板的平坦表面上的是阵列光学接口定位区域(300),用于排列光栅耦合器,该光栅耦合器将光信号在外部输出; 邻近所述光学接口定位区域(300)的排热板定位区域(500),用于将半导体激光器(10)和驱动器IC(50)上的一个散热板(25)定位; 以及与散热板定位区域(500)相邻的高速信号线区域(400),用于定位导电销和电连接。 在散热板定位区域(500)中,半导体激光器(10)和驱动器IC(50)沿光栅耦合器(80a)的排列方向(D)彼此相邻。

    NANOWIRE GRID STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING NANOWIRE
    255.
    发明申请
    NANOWIRE GRID STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING NANOWIRE 审中-公开
    纳米网格结构及其制造方法

    公开(公告)号:WO2013089388A1

    公开(公告)日:2013-06-20

    申请号:PCT/KR2012/010518

    申请日:2012-12-06

    Abstract: Provided is a method of manufacturing a nanowire, including: forming a plurality of grid patterns on a grid base layer; forming a sacrificial layer on the grid base layer on which the grid patterns are formed; producing a nanowire grid structure by forming a nanowire base layer on the sacrificial layer; forming a nanowire by wet etching the nanowire base layer; and separating the grid patterns from the nanowire by etching the sacrificial layer. Thus, the method can be provided with the following advantages; Because a wet etching time is adjusted, a width and a height of the nanowire to be produced can be adjusted; the nanowire can be produced at room temperature with a low cost; the nanowire can be produced in large quantities; and in spite of the mass production, the nanowire having high uniformity can be produced.

    Abstract translation: 提供一种制造纳米线的方法,包括:在网格基层上形成多个网格图案; 在其上形成有栅格图案的栅格基底层上形成牺牲层; 通过在牺牲层上形成纳米线基底层来产生纳米线栅格结构; 通过湿法蚀刻纳米线基层形成纳米线; 并通过蚀刻牺牲层将网格图案与纳米线分离。 因此,该方法可以具有以下优点: 由于调整了湿蚀刻时间,因此能够调整生成的纳米线的宽度和高度。 纳米线可以在室温下以低成本生产; 纳米线可以大量生产; 尽管大量生产,但是可以产生具有高均匀性的纳米线。

    フレキシブル多層基板
    258.
    发明申请
    フレキシブル多層基板 审中-公开
    柔性多层基板

    公开(公告)号:WO2013005549A1

    公开(公告)日:2013-01-10

    申请号:PCT/JP2012/065218

    申请日:2012-06-14

    Abstract:  フレキシブル多層基板(101)は、積層された複数の樹脂層(2)を含み、フレキシブル部となる積層体(20)を備える。積層体(20)は、使用時に折り曲げられることによって内側となる表面である最内側表面(21)と外側となる表面である最外側表面(22)とを有する。積層体(20)の内部において複数の樹脂層(2)のうちの1以上の樹脂層(2)の表面に分布するように複数の導体パターン(8)が配置されている。積層体(20)の厚み方向(92)の中心面(3)より最内側表面(21)側の部分を第1部分(51)と呼び、中心面(3)より最外側表面(22)側の部分を第2部分(52)と呼ぶものとすると、複数の樹脂層(2)の全ての中で、同一面内に配置された導体パターン(8)同士の長手方向(91)に沿った間隙(23)が最小となった箇所(24)は、第2部分(52)に位置する。

    Abstract translation: 柔性多层基板(101)设置有层压体(20),该层叠体包括彼此层叠的多个树脂层(2),并且是柔性部分。 层叠体(20)在使用时具有作为内侧的表面的最内表面(21)和作为层叠体弯曲的外侧的表面的最外表面(22)。 多个导体图案(8)设置成分布在层叠体(20)中的树脂层(2)之外的一个或多个树脂层(2)的表面上。 将层叠体(20)的中心平面(3)的层叠体(20)从层叠体的厚度方向(92)向最里面(21)侧称为 作为第一部分(51),并且从中心平面(3)到最外表面(22)侧的层叠体部分被称为第二部分(52),间隔(23)的区域(24) 其中导体图案(8)设置在同一表面上,所述间隔在导体图案的纵向方向(91)上在所有树脂层(2)中最小,位于第二部分(52)中 )。

    高周波モジュール
    259.
    发明申请
    高周波モジュール 审中-公开
    高频模块

    公开(公告)号:WO2012117992A1

    公开(公告)日:2012-09-07

    申请号:PCT/JP2012/054715

    申请日:2012-02-27

    Inventor: 北嶋宏通

    Abstract: 積層体(11)の天面のSAWデュプレクサ(SDP1,DP2,SDP3)の受信信号出力側ポート(Psrx1,Psrx2,Psrx3)の実装用ランドと、底面の受信側外部接続用ランド(PMrx1,PMrx2,PMrx3)は、それぞれ積層方向に沿って見て重なり合うように形成され、ビアホールで直接接続される。積層体(11)の底面には、送信側外部接続用ランド(PMtx1,PMtx2,PMtx3)が形成されている。これら送信側外部接続用ランド(PMtx1,PMtx2,PMtx3)は、積層体(11)の天面の送信信号入力側ポート(Pstx1,Pstx2,Pstx3)の実装用ランドに受信系のビアホールに近づかない所定の内層電極およびビアホールにより接続される。

    Abstract translation: 用于接收层压体(11)的上表面上的SAW双工器(SDP1,DP2,SDP3)的信号输出端口(Psrx1,Psrx2,Psrx3)和用于外部连接的接收侧焊盘(PMrx1,PMrx2,PMrx3) )在叠层体(11)的底面形成为沿着层叠方向观察时相互重叠,并且在通孔中直接连接。 在层叠体(11)的底面形成有用于外部连接(PMtx1,PMtx2,PMtx3)的发送侧平台。 用于外部连接的发送侧平台(PMtx1,PMtx2,PMtx3)与用于通过给定内层(11)在层叠体(11)的上表面上传输信号输入端口(Pstx1,Pstx2,Pstx3)的安装台面连接 电极和通孔,其远离接收通孔。

    半導体装置および電子装置
    260.
    发明申请
    半導体装置および電子装置 审中-公开
    半导体器件和电子器件

    公开(公告)号:WO2011016157A1

    公开(公告)日:2011-02-10

    申请号:PCT/JP2010/001241

    申请日:2010-02-24

    Abstract:  半導体集積回路素子の特定機能の全てのIO端子からBGA基板のボールへの信号伝送を短時間で且つほぼ同じ長さの時間で行うことができるBGAパッケージ構造を提供する。半導体集積回路素子の所定の機能の信号を入出力するインターフェースピンの全ては、半導体集積回路素子の一つの辺に沿って該半導体集積回路素子の外縁部に形成されていて、半導体集積回路素子の前記一つの辺は、BGA基板の辺のうち、前記一つの辺に対して非平行である2辺に隣接しており、BGA基板に設けられているボールのうち、所定の機能の信号を入出力するインターフェースピンと電気的に接続しているボールは、半導体集積回路素子の前記一つの辺と、BGA基板の前記2辺との間に存している。

    Abstract translation: 提供了一种BGA封装结构,其中信号可以在短且基本上相同的时间从半导体集成电路元件的预定功能的所有IO端子传输到BGA衬底上的球。 在半导体集成电路元件的半导体集成电路元件的一侧的外缘形成有具有从其输入并输出的半导体集成电路元件的预定功能的信号的所有接口引脚。 所述半导体集成电路元件的所述侧与所述BGA基板的侧面中的所述一侧不平行的两侧相邻,并且在设置在所述BGA基板上的所述滚珠中,所述球电连接到具有所述BGA基板的所述接口销 由半导体集成电路元件的所述侧和BGA基板的两面之间配置从其输入并输出的规定功能的信号。

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