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公开(公告)号：KR1020170072681A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020150181157
申请日：2015-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L29/66 , H01L31/09
Abstract: 본발명은, 저암전류아발란치포토다이오드로서, 증폭층의중심부에형성되는멀티플리케이션(multiplication) 영역과그 주변에형성되는비-멀티플리케이션영역을포함하는상기증폭층; 및상기증폭층상단의수광부에배치되는전극을포함하고, 상기전극은멀티플리케이션영역및 비-멀티플리케이션영역의일부를포함하도록배치되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种低暗电流雪崩光电二极管，其包括：放大层，其包括形成在所述放大层的中心处的倍增区和形成在所述倍增区周围的非多路复用区; 以及设置在放大层的上侧的光接收部分处的电极，其中电极被布置为包括倍增区域和非多路复用区域的一部分。
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公开(公告)号：KR101734077B1
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150188846
申请日：2015-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/068 , H01L31/046 , H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/3213
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은다중접합태양전지및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른다중접합태양전지의제조방법은, 기판의상면에하부, 중부, 상부태양전지층및 포토레지스트층을차례로적층형성하는단계와; 포토레지스트층및 그하부의상부태양전지층의일부를각각메사식각하는단계와; 상부태양전지층의식각후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된상부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 상부태양전지층하부에위치하는중부태양전지층의일부를식각한후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된중부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 중부태양전지층하부에위치하는하부태양전지층의일부를식각하는단계; 및상부태양전지층위에위치하는포토레지스트층과, 상기식각부보호용으로형성된포토레지스트를제거하여다중접합태양전지구조체를완성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 다중접합태양전지의제조공정에다단계습식식각공정을도입함으로써, 메사습식식각공정에서의언더컷발생문제를해결하여메사습식식각공정으로인한활성면적감소를원천적으로방지할수 있고, 이에따라태양전지의효율저하문제를근본적으로해결할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种多结太阳能电池及其制造方法。 按照本发明制造键合的太阳能电池的方法包括：形成下部，中部，并依次层叠顶部太阳能电池层和所述衬底的所述顶表面上的光致抗蚀剂层的工序; 分别在光致抗蚀剂层下方蚀刻光致抗蚀剂层和部分上太阳能电池层; 在蚀刻上太阳能电池层之后，回流并热处理光致抗蚀剂以用光致抗蚀剂保护蚀刻的上太阳能电池层; 进一步包括：蚀刻，其位于顶太阳能电池层底部中央的太阳能电池层的一部分，保护所述中心太阳能电池层蚀刻所述回流热处理，并在光致抗蚀剂和光致抗蚀剂之后; 蚀刻位于中间太阳能电池层下方的下部太阳能电池层的一部分; 以及形成顶部太阳能电池层上，除去蚀刻保护部形成光致抗蚀剂，包括步骤完成的多结太阳能电池结构的光致抗蚀剂层。 因此，根据如本发明，通过在结太阳能电池的制造过程中引入的多步骤湿蚀刻工艺多，台面湿法蚀刻工艺eseoui并能解决底切问题，从根本上防止活性区域由于台面湿法蚀刻工艺减小， 因此，可以从根本上解决降低太阳能电池效率的问题。
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公开(公告)号：KR1020170047721A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101666400B1
公开(公告)日：2016-10-14
申请号：KR1020140149039
申请日：2014-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원 , (재)한국나노기술원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101531875B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020130165611
申请日：2013-12-27
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76807 , H01L21/32055 , H01L21/7684 , H01L21/76877
Abstract: 본발명은실리콘기판상에화합물반도체소자를제조하는방법에있어서, 실리콘기판상에화합물반도체소자를제조하는방법에있어서, 실리콘기판을준비하는제1단계와, 상기실리콘기판상에산화막을증착시키는제2단계와, 상기산화막을패터닝하여, 상기실리콘기판의일부영역을노출시키면서, 상기실리콘기판상에는트랩홀에의한계단형트렌치를형성하는제3단계와, 상기트랩홀에의한계단형트렌치형성후, 노출된상기실리콘기판영역과상기트랩홀에의한계단형트렌치상측에화합물반도체층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는트랩홀에의한계단형트렌치를이용하여실리콘기판상에대면적화합물반도체소자를형성하는방법을기술적요지로한다. 이에의해실리콘기판상에트랩홀에의한계단형트렌치를형성하여, 실리콘과화합물반도체간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 대면적의화합물반도체소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用由陷阱阶梯形的沟槽在硅衬底上制造化合物半导体器件的方法。 关键技术是通过使用由陷阱阶梯式的沟槽形成大型化合物半导体器件的方法，包括：制备硅衬底的第一步骤; 在硅衬底上层压氧化膜的第二步骤; 第三步骤，通过对所述硅衬底的部分区域进行曝光来形成所述氧化物膜，从而通过所述硅衬底上的陷阱来形成沟槽; 以及第四步骤，在由陷阱阶梯形的沟槽上增加化合物半导体层，并且在形成由陷阱分阶段形成的沟槽之后增加暴露的硅衬底区域的上侧上的化合物半导体和由陷阱阶梯形的沟槽 孔。 因此，该方法通过形成由硅衬底上的陷阱阶梯形的沟槽而在硅和化合物半导体器件之间的界面处产生的被穿透的前点捕获而不会产生缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101419527B1
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：KR1020120057164
申请日：2012-05-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 기판과 성장 물질의 격자 불일치 전위(misfit dislocation)가 생기는 구조에서, 결함에 의한 영향을 회피하기 위해 최적화된 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 수평형 전극구조 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 박막 상부에 형성되는 와이드 밴드갭 층과, 상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 형성되는 오믹 층과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 소자층과, 상기 소자층 상부에 형성되는 제1 전극과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 제2 전극을 포함하여 이루어짐으로써, 격자 부정합 기판에 제작하는 태양전지의 결함에 의한 영향을 회피하고, 결함 밀도가 높은 misfit dislocation 층에 캐리어가 전송되지 않으므로 양자 효율 감소가 일어나지 않아 효율이 개선된다는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020130133983A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120057159
申请日：2012-05-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L33/02
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L33/02
Abstract: The present invention relates to an optical device manufacturing method when a buffer for any of the substrates is used, the lattice defects are formed on a region where it forms a tunnel diode device degradation caused by the lattice defects gets minimized, and more particularly, the optical substrate of the present invention is formed on the substrate, and it comprises the substrate and a lattice mismatch between the lattices and a misfit dislocation, a tunnel diode which is formed on the upper part of the thin file of the tunnel including the misfit dislocation of the lattice wherein a certain region of the lattice mismatch can operate only by the resistance, a tunnel diode layer formed on the upper part of the tunnel diode, the lower electrode formed on the lower part of the substrate, and a upper electrode formed on the device layer. [Reference numerals] (130) Misfit dislocation defect;(160) Device layer;(AA,BB) Electrode
Abstract translation: 本发明涉及当使用任何基板的缓冲器时的光学器件制造方法，在形成由晶格缺陷引起的隧道二极管器件劣化的区域中形成晶格缺陷最小化，更具体地说， 本发明的光学基板形成在基板上，并且其包括基板和晶格之间的晶格失配和失配位错，形成在隧道的薄文件的上部的隧道二极管，包括失配位错 晶格失配的一定区域仅能够通过电阻工作的晶格，形成在隧道二极管的上部的隧道二极管层，形成在衬底的下部的下电极和形成在衬底的上部的上电极 设备层。 （附图标记）（130）不匹配位错缺陷;（160）装置层;（AA，BB）电极
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公开(公告)号：KR1020110081385A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001525
申请日：2010-01-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/06
Abstract: PURPOSE: A solar cell having a p-n tunnel diode is provided to lower serial resistance by using an N-type substrate having small defect in comparison with a P-type substrate and forming an upper electrode and a lower electrode with an n-ohmic contact electrode. CONSTITUTION: In a solar cell having a p-n tunnel diode, a p-n diode tunnel(220) is formed on an n-type substrate(210) by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to form a p-n junction. A photovoltatic cell(230) is formed on the p-n diode tunnel by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to convert an optical signal into an electrical signal. A bottom electrode(270) is formed on the N-type substrate. A top electrode(260) is formed on the photovoltatic cell.
Abstract translation: 目的：提供具有pn隧道二极管的太阳能电池，以通过使用与P型衬底相比具有小缺陷的N型衬底来降低串联电阻，并形成具有正欧姆接触电极的上电极和下电极 。 构成：在具有p-n隧道二极管的太阳能电池中，通过依次层叠n型半导体和p型半导体以形成p-n结，在n型衬底（210）上形成p-n二极管隧道（220）。 通过依次层叠n型半导体和p型半导体将光信号转换为电信号，在p-n二极管隧道上形成光伏电池（230）。 底部电极（270）形成在N型衬底上。 顶电极（260）形成在光伏电池上。
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公开(公告)号：KR101876728B1
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020160183008
申请日：2016-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 제1실리콘층, 절연막과제2실리콘층이순차적으로적층된 SOI기판의제2실리콘층상부와제1실리콘층하부에제1상부보호막및 제1하부보호막을각각형성하는제1단계와, 상기제1상부보호막에캔틸레버아암의두께를조절하기위한제1패턴을형성하는제2단계와, 상기제1패턴으로상기제2실리콘층에캔틸레버아암의두께만큼제1식각영역을형성하는제3단계와, 상기제1패턴이형성된상기제1상부보호막에탐침의상부기울기를형성하기위한제2패턴을형성하는제4단계와, 상기제3단계의제1식각영역을기준으로상기절연막의상부면이노출될때까지상기제2패턴으로상기제2실리콘층을캔틸레버아암의두께만큼남도록제거함에따라상기제2패턴영역에상기캔틸레버아암영역이형성되고, 상기탐침의상부기울기를형성하는제5단계와, 상기제1상부보호막및 상기제1하부보호막을제거하고, 상기제2실리콘층상부전 영역및 상기제1실리콘층하부전 영역에제2상부보호막및 제2하부보호막을각각형성하는제6단계와, 상기제2하부보호막에상기탐침의하부기울기를형성하기위한제3패턴을형성하는제7단계와, 상기제3패턴으로상기제1실리콘층을일부제거하여상기제1실리콘층에제2식각영역을형성하는제8단계와, 상기제3패턴이형성된제2하부보호막에캔틸레버지지대를형성하기위한제4패턴을형성하는제9단계와, 상기제8단계에서의제2식각영역을기준으로상기절연막의하부면이노출될때까지상기제3패턴및 제4패턴으로상기제1실리콘층을제거하여상기캔틸레버지지대를형성하면서상기제1실리콘층을일부만을남기고제거하는제10단계와, 상기제10단계에서노출된상기절연막을제거하여제3식각영역을형성하고, 상기제3식각영역을이용하여상기제2실리콘층을탐침하부기울기를갖도록상기제1실리콘층일부와함께제거하는제11단계와, 상기제1실리콘층일부가제거되면노출된절연막과제2상부보호막및 제2하부보호막을제거하는제12단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는탐침의기울기조절이용이한원자간력현미경의캔틸레버제조방법및 이에의해제조된원자간력현미경의캔틸레버를기술적요지로한다. 이에의해탐침의기울기의조절을용이하게할 수있으며, 캔틸레버아암의선단부를기준으로바깥으로탐침이조절된각도로기울어져형성되도록하여 AFM 측정시 탐침의끝의위치를육안으로확인할수 있도록하여정확한시료정보에대한획득이가능한이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020180078437A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：KR1020160183008
申请日：2016-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 제1실리콘층, 절연막과제2실리콘층이순차적으로적층된 SOI기판의제2실리콘층상부와제1실리콘층하부에제1상부보호막및 제1하부보호막을각각형성하는제1단계와, 상기제1상부보호막에캔틸레버아암의두께를조절하기위한제1패턴을형성하는제2단계와, 상기제1패턴으로상기제2실리콘층에캔틸레버아암의두께만큼제1식각영역을형성하는제3단계와, 상기제1패턴이형성된상기제1상부보호막에탐침의상부기울기를형성하기위한제2패턴을형성하는제4단계와, 상기제3단계의제1식각영역을기준으로상기절연막의상부면이노출될때까지상기제2패턴으로상기제2실리콘층을캔틸레버아암의두께만큼남도록제거함에따라상기제2패턴영역에상기캔틸레버아암영역이형성되고, 상기탐침의상부기울기를형성하는제5단계와, 상기제1상부보호막및 상기제1하부보호막을제거하고, 상기제2실리콘층상부전 영역및 상기제1실리콘층하부전 영역에제2상부보호막및 제2하부보호막을각각형성하는제6단계와, 상기제2하부보호막에상기탐침의하부기울기를형성하기위한제3패턴을형성하는제7단계와, 상기제3패턴으로상기제1실리콘층을일부제거하여상기제1실리콘층에제2식각영역을형성하는제8단계와, 상기제3패턴이형성된제2하부보호막에캔틸레버지지대를형성하기위한제4패턴을형성하는제9단계와, 상기제8단계에서의제2식각영역을기준으로상기절연막의하부면이노출될때까지상기제3패턴및 제4패턴으로상기제1실리콘층을제거하여상기캔틸레버지지대를형성하면서상기제1실리콘층을일부만을남기고제거하는제10단계와, 상기제10단계에서노출된상기절연막을제거하여제3식각영역을형성하고, 상기제3식각영역을이용하여상기제2실리콘층을탐침하부기울기를갖도록상기제1실리콘층일부와함께제거하는제11단계와, 상기제1실리콘층일부가제거되면노출된절연막과제2상부보호막및 제2하부보호막을제거하는제12단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는탐침의기울기조절이용이한원자간력현미경의캔틸레버제조방법및 이에의해제조된원자간력현미경의캔틸레버를기술적요지로한다. 이에의해탐침의기울기의조절을용이하게할 수있으며, 캔틸레버아암의선단부를기준으로바깥으로탐침이조절된각도로기울어져형성되도록하여 AFM 측정시 탐침의끝의위치를육안으로확인할수 있도록하여정확한시료정보에대한획득이가능한이점이있다.
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