公开(公告)号：KR101836934B1

公开(公告)日：2018-03-12

申请号：KR1020160036138

申请日：2016-03-25

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박경호 ,  조주영 ,  박형호 ,  신찬수

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0224

Abstract: 제1 기판상에 GaN 계열의버퍼층, p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층, p형또는 n형 GaN층, 및제1 전극을구비하는에피성장기판을준비하는단계; 제2 기판상에형성된제2 전극을구비하는접합기판을준비하는단계; 상기제1 전극과상기제2 전극이연결되도록본딩하는단계; 상기제1 기판을제거한후 상기버퍼층을제거하는단계; 및개방된상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층상에상부전극을형성하는단계를포함하는, 질화갈륨계광검출소자의제조방법및 그에의해제조된질화갈륨계광검출소자가제공된다. 본발명에따르면, 단순한공정도입및 고가의기판재활용이가능하여저가의공정으로고효율의광검출기를제조할수 있으며, 유연한소자에활용가능하고고방열특성이필요한극한환경에서도안정적으로광검출소자의제조가가능하다.

Abstract translation: 制备外延生长衬底，其包括一缓冲层，P-I-N或N-I-P的AlGaN层，p型或n型GaN层，在第一基板上的GaN系mitje的第一电极的结构的步骤; 制备具有形成在第二衬底上的第二电极的键合衬底; 将第一电极和第二电极彼此结合; 在去除第一衬底之后去除缓冲层; 并在开口p-i-n或n-i-p AlGaN层上形成上电极。 根据本发明，可以通过简单的步骤引入和昂贵的基板回收，并且能够产生与由低成本的过程中高效率的光检测器，它可以在柔性装置中使用，并且高散热性，需要一个稳定的生产光学检测chulsoja极端环境的 这是可能的。

公开(公告)号：KR1020180012385A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR1020160095038

申请日：2016-07-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  이근우 ,  임웅선 ,  윤홍민 ,  고유민 ,  조주영 ,  정상현 ,  성호근 ,  박경호 ,  박원규

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  H01L21/033 ,  H01L29/78 ,  G01N27/414

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542 ,  C23C14/58 ,  G01N27/4141 ,  H01L21/0337 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/78

Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.

Abstract translation: 用于形成使用真空沉积工艺形成纳米结构图案的本发明中，形成掩模图案层的第一步骤，以暴露一部分衬底上，在曝光区域和掩模图案层，基体材料的上部 设定真空沉积条件满足用于纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，使得由真空沉积工艺以在暴露的区域和掩模图案层生长纳米结构，所述基体材料的上部的第二步骤 第三步和通过利用真空蒸镀法去除掩模图案层，纳米包括在所述基板的暴露区域上形成纳米结构的第四步骤，以形成于基板顶部上的纳米结构图案 结构图案形成方法，使用其的传感器元件制造方法以及通过该方法制造的传感器元件。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。

公开(公告)号：KR1020170113796A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：KR1020160036138

申请日：2016-03-25

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박경호 ,  조주영 ,  박형호 ,  신찬수

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/101 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

Abstract: 제1 기판상에 GaN 계열의버퍼층, p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층, p형또는 n형 GaN층, 및제1 전극을구비하는에피성장기판을준비하는단계; 제2 기판상에형성된제2 전극을구비하는접합기판을준비하는단계; 상기제1 전극과상기제2 전극이연결되도록본딩하는단계; 상기제1 기판을제거한후 상기버퍼층을제거하는단계; 및개방된상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층상에상부전극을형성하는단계를포함하는, 질화갈륨계광검출소자의제조방법및 그에의해제조된질화갈륨계광검출소자가제공된다. 본발명에따르면, 단순한공정도입및 고가의기판재활용이가능하여저가의공정으로고효율의광검출기를제조할수 있으며, 유연한소자에활용가능하고고방열특성이필요한극한환경에서도안정적으로광검출소자의제조가가능하다.

公开(公告)号：KR101673965B1

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：KR1020140193672

申请日：2014-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김종민 ,  고유민 ,  송근만 ,  조주영 ,  최재혁

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/66

Abstract: 본발명에따른모놀리식멀티채널전력반도체소자는기판; 상기기판상에형성된제 1 HEMT 구조체; 및상기기판상에형성된제 2 HEMT 구조체;를포함하고, 상기제1 및제2 HEMT 구조체는각기 4원계질화물반도체층을포함한다. 상기제 1 HEMT 구조체와상기제 2 HEMT 구조체는동일한기판위에서수평방향으로상이한위치에, 수직방향으로서로다른층에형성되며, 배리어층에의해서로전기적으로분리된다. 상기제 1 HEMT 구조체는상기배리어층상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제1 GaN버퍼층, 제1 InAlGaN층및 제1 GaN캡층을포함하고, 상기제1 InAlGaN층은 In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기제1 InAlGaN층에압축응력이작용하여분극이상부방향을향하도록역전되고, E-모드(Depletion mode) 동작을수행한다. 상기제 2 HEMT 구조체는상기기판상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제2 GaN버퍼층과제2 InAlGaN층을포함하고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써인장응력이작용하여상기제2 GaN버퍼층과상기제2 InAlGaN층사이의계면에 2DEG이형성되고 D-모드(Depletion mode) 동작을수행한다.

公开(公告)号：KR1020160083257A

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：KR1020140193673

申请日：2014-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  김도현 ,  조주영 ,  김종민 ,  박형호 ,  최재혁

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/50

Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, GaN 기판상에마스크층을형성하는제1단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴에대응하여상기 GaN 기판상에 GaN을선택적으로성장시켜서로다른결정면이노출되도록 GaN 나노구조체를성장시키는제3단계및 상기 GaN 나노구조체상에활성층을포함하는나노구조층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기활성층은상기 GaN 나노구조체의결정면에따라유효조성물의함량이달라발광파장의조절이가능한것을특징으로하는나노구조체를이용한백색발광소자의제조방법및 그에의해제조된나노구조체를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해활성층의노출되는결정면을조절하여각 유효조성물의함량을제어하여활성층의발광파장을조절할수 있게되어, 단일소자내에서에피성장과정중에청색과황색발광을유도하여백색발광을구현할수 있는이점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及不需要荧光体施加处理的（无磷）白色发光元件。 其制造方法包括：在GaN衬底上的掩模层的第一步骤; 图案化掩模层以形成暴露GaN衬底的一部分的纳米图案的第二步骤; 第三步骤，根据纳米图案在GaN衬底上选择性地生长GaN以生长GaN纳米结构以暴露彼此不同的晶体面; 以及在GaN纳米结构上生长包括有源层的纳米结构层的第四步骤，其中在有源层中，有效组成的含量随GaN纳米结构的晶面而变化。 因此，可以调节发光波长。 因此，调整有源层的暴露的结晶面以控制每个有效成分的含量以调节有源层的发光波长，并且在单个元件的外延生长过程中诱导蓝色和黄色的发光 体现白光发射。

公开(公告)号：KR1020160083256A

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：KR1020140193672

申请日：2014-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김종민 ,  고유민 ,  송근만 ,  조주영 ,  최재혁

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/66431

Abstract: 본발명에따른모놀리식멀티채널전력반도체소자는기판; 상기기판상에형성된제 1 HEMT 구조체; 및상기기판상에형성된제 2 HEMT 구조체;를포함하고, 상기제1 및제2 HEMT 구조체는각기 4원계질화물반도체층을포함한다. 상기제 1 HEMT 구조체와상기제 2 HEMT 구조체는동일한기판위에서수평방향으로상이한위치에, 수직방향으로서로다른층에형성되며, 배리어층에의해서로전기적으로분리된다. 상기제 1 HEMT 구조체는상기배리어층상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제1 GaN버퍼층, 제1 InAlGaN층및 제1 GaN캡층을포함하고, 상기제1 InAlGaN층은 In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기제1 InAlGaN층에압축응력이작용하여분극이상부방향을향하도록역전되고, E-모드(Depletion mode) 동작을수행한다. 상기제 2 HEMT 구조체는상기기판상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제2 GaN버퍼층과제2 InAlGaN층을포함하고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써인장응력이작용하여상기제2 GaN버퍼층과상기제2 InAlGaN층사이의계면에 2DEG이형성되고 D-모드(Depletion mode) 동작을수행한다.

Abstract translation: 本发明提供一种单片式多通道功率半导体器件及其制造方法，该单片式多通道功率半导体器件包括能够以简单的工艺制造且结构简单，电流密度高，内部高压的E型HEMT结构。 根据本发明，单片多通道功率半导体器件包括：基板; 形成在所述基板上的第一HEMT结构; 以及形成在所述基板上的第二HEMT结构。 第一和第二HEMT结构单独地包括四氮化硅半导体层。 第一HEMT结构和第二HEMT结构在同一基板上的水平方向的不同位置处在垂直方向上的不同层上形成，并且被阻挡层电隔离。 第一HEMT结构包括：依次在阻挡层上外延生长的第一GaN缓冲层，第一InAlGaN层和第一GaN覆盖层。 第一InAlGaN层包含具有预定组成比的In和Al，因此对第一InAlGaN层施加压应力。 因此，极化朝向上部反转，并且执行增强模式（E模式）运动。 第二HEMT结构包括依次在衬底上外延生长的第二GaN缓冲层和第二InAlGaN层。 In和Al具有预定的组成比，因此施加压应力。 因此，在第二GaN缓冲层和第二InAlGaN层之间形成2EDG，进行耗尽模式（D模式）运动。