公开(公告)号：KR100971799B1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：KR1020077001691

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느 하나를 제어하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR100952521B1

公开(公告)日：2010-04-12

申请号：KR1020077001688

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H05H1/18

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

Abstract translation: 根据本发明，要处理的衬底被接收并用于支撑第一电极和目标基板的第二电极被布置成面对在真空排气的处理容器，该处理容器中，在相对于该频率到第二电极是 第二高频电力施加单元，用于向第二电极施加具有相对较低频率的第二高频电力;以及第二高频电力施加单元，用于向第一电极施加直流电压 以及处理气体供应单元，用于将处理气体供应到处理容器中。

公开(公告)号：KR1020030066747A

公开(公告)日：2003-08-09

申请号：KR1020037008446

申请日：2001-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아다치겐지 ,  고바야시노리유키

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31056

Abstract: 에칭 가스로서, C의 수가 4 이상이고 C/F 비가 0.625 이상인 제 1 플루오로카본계 가스, F의 수가 4 이상이고 C/F 비가 0.5 이하인 제 2 플루오로카본계 가스, Ar 가스 및 O
2 가스를 적어도 함유하는 혼합 가스를 사용하고, 실리콘 산화막 등으로 이루어진 절연막의 에칭을 실시한다. 이에 따라, 종횡비가 높은 콘택트홀을 형성하는 경우에 있어서도, 에칭속도 및 레지스트 마스크 선택비를 향상시킴과 동시에 콘택트홀이 보우잉 형상이 되는 것을 억제할 수 있다.

Abstract translation: 至少含有C> = 4且C / F比率为0.625或更高的第一氟碳化合物气体，F> = 4且C / F比率为0.5或更低的第二氟碳化合物气体，Ar气体， 并且使用O 2气体作为蚀刻气体以蚀刻由氧化硅膜等形成的绝缘膜。 这可以提高蚀刻速率和抗蚀剂掩模选择比，此外，即使当形成高纵横比接触孔时，也可以防止形成弯曲形状的接触孔。