Abstract:
본 발명은 탑 코트층으로서 형성된 용사 피막의 박리를 억제할 수 있는 플라즈마 처리 용기 내부재를 제공하는 것이다. 기재(71)와 용사 피막(72) 사이에, 할로겐 원소를 포함하는 프로세스 가스에 대하여 내(耐)부식성이 우수한 재료로 이루어지는 배리어 코트층(73)을 형성하고, 이 배리어 코트층(73)을 수지 또는 졸겔법을 이용해 봉공(封孔) 처리한다.
Abstract:
A member of processing a quartz member for a plasma processing device capable of suppressing the production of particles at the beginning of the use thereof and the production of chips thereafter, the quartz member for the plasma processing device, and the plasma processing device having the quartz member mounted thereon, the method comprising the steps of removing a large number of cracks 155 produced, after a diamond grinding, in the quartz member 151 for the plasma processing device used for a shield ring and a focus ring by performing a surface processing with abrasive grains of, for example, #320 to 400 in grain size, and performing the surface processing by using abrasive grains of smaller grain size to remove ruptured layers 163 while maintaining irregularities capable of adhering and holding deposit thereto.
Abstract:
PURPOSE: An inner member of a plasma treatment vessel is provided to restrain the delamination of a sprayed coating layer by preventing a base member from being exposed to process gas or cleaning solutions using a barrier coating layer and resin. CONSTITUTION: An inner member of a plasma treatment vessel includes a base member(71) and a coating layer(72) formed by performing ceramic spraying on the base member. The coating layer includes a main layer(73) and a barrier coating layer(74) between the base member and the main layer. The ceramic of the coating layer contains at least one selected from a group consisting of B, Mg, Al, Si, Ca, Cr, Y, Zr, Ta, Ce, and Nd. The coating layer is partially sealed with resin.
Abstract:
용사용 분말은 원자번호가 60 ~ 70 중 어느 하나의 희토류 원소의 산화물을 포함하는 조립 및 소결입자를 포함하여 구성된다. 조립 및 소결 입자를 구성하는 1차 입자의 평균 입자 크기는 2 ~ 10 ㎛이다. 조립 및 소결 입자의 파쇄 강도는 7 ~ 50 MPa이다. 플라즈마 저항성 부재는 기판과 상기 기판의 표면에 제공된 용사코팅을 포함한다. 용사코팅은 용사용 분말을 열용사하여, 바람직하게는 플라즈마 용사하여 형성된다. 열용사, 플라즈마 부식, 희토류 원소의 산화물, 에칭
Abstract:
본 발명의 과제는 내플라즈마에로젼성이 우수한 플라즈마 처리 용기내용 고순도 용사 피막 피복 부재를 제공하는 것이다. 기재의 표면에 직접, 또는 금속 용사 피막으로 이루어지는 언더코트를 통해 Ar 가스의 기압이 50 내지 200 hPa인 감압 하에서의 용사에 의해, 순도 : 95 % 이상의 Y 2 O 3 으로 이루어지는 감압 플라즈마 용사 피막을 피복 형성하여 이루어지는 플라즈마 처리 용기내용 용사 피막 피복 부재와, 이 부재의 제조 방법이다. 플라즈마 처리, 용기, 내부재, 금속 피막, 용사 피막
Abstract:
본 발명의 과제는 내플라즈마에로젼성이 우수한 플라즈마 처리 용기내 복합막 피복 부재와, 그 제조 방법을 제안하는 것이다. 기재의 표면에 금속 피막의 언더코트와, 그 위에 형성된 Al 2 O 3 또는 Al 2 O 3 과 Y 2 O 3 의 혼합물로 이루어지는 중간층을 개재시킨 후, 그 위에 톱코트로서 형성되는 Y 2 O 3 용사 피막을 설치하여 이루어지는 복합 피막에 의해 피복되어 있는 플라즈마 처리 용기내 복합 부재와 그 제조이다. 플라즈마 처리, 용기, 내부재, 금속 피막, 용사 피막
Abstract:
본 발명의 과제는 내플라즈마에로젼성 등이 우수한 플라즈마 처리 용기 내부재와, 그 유리한 제조 방법을 제안하는 것이다. 플라즈마 사용 환경에 있어서의 할로겐 가스 분위기하에서의 화학적 부식에 의한 손상 및 플라즈마에로젼에 의한 손상의 양쪽에 대한 큰 저항력이 요구되는 기재의 표면이, 순도 : 95 % 이상의 Y 2 O 3 용사 피막에 의해 피복되어 있는 플라즈마 처리 용기내 부품이다. 플라즈마 처리, 용기, 내부재, 금속 피막, 용사 피막
Abstract:
A processing device in which maintenance can be easily carried out and a burden on a worker can be reduced, and a method of maintaining the device are provided. An upper electrode unit 106 structuring a ceiling portion of a processing chamber 102 of an etching device 100 is structured from a lower assembly 128 at a processing chamber 102 side including an upper electrode 130, and an upper assembly 128 at a power supply side including an electro-body 144. A lock mechanism 156 is released, and after the upper assembly 126 is independently raised and removed by a lift mechanism 164, maintenance of the upper assembly 126 and/or the lower assembly 128 is carried out. The lock mechanism 156 is locked, and after the upper and lower assemblies 126, 128 are integrally raised and removed by the lift mechanism 164, maintenance of an interior of the processing chamber 102 is carried out.
Abstract:
A processing device in which maintenance can be easily carried out and a burden on a worker can be reduced, and a method of maintaining the device are provided. An upper electrode unit 106 structuring a ceiling portion of a processing chamber 102 of an etching device 100 is structured from a lower assembly 128 at a processing chamber 102 side including an upper electrode 130, and an upper assembly 128 at a power supply side including an electro-body 144. A lock mechanism 156 is released, and after the upper assembly 126 is independently raised and removed by a lift mechanism 164, maintenance of the upper assembly 126 and/or the lower assembly 128 is carried out. The lock mechanism 156 is locked, and after the upper and lower assemblies 126, 128 are integrally raised and removed by the lift mechanism 164, maintenance of an interior of the processing chamber 102 is carried out.