두께·온도 측정 장치, 두께·온도 측정 방법 및 기판 처리 시스템
    21.
    发明公开
    두께·온도 측정 장치, 두께·온도 측정 방법 및 기판 처리 시스템 审中-实审
    测量厚度和温度和基板加工系统的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020150073095A

    公开(公告)日:2015-06-30

    申请号:KR1020140182097

    申请日:2014-12-17

    Abstract: 처리실내에배치된세라믹부재의두께를소망의기회에측정가능하게한다. 진공분위기로유지되는챔버(11)의내부에배치된세라믹부재(35)의두께를측정하는두께·온도측정장치(50)는, 테라헤르츠파를출력하는테라헤르츠파발생유닛(51)과, 입력된테라헤르츠파를해석하는테라헤르츠파해석유닛(53)과, 테라헤르츠파발생유닛(51)으로부터출력되는테라헤르츠파를세라믹부재(35)로유도함과아울러, 세라믹부재(35)로부터의반사파를테라헤르츠파해석유닛(53)으로유도하는하프미러(52)를갖는광학계를구비한다. 테라헤르츠파해석유닛(53)은세라믹부재(35)로부터의반사파스펙트럼을푸리에변환함으로써세라믹부재(35)의표면으로부터의제 1 반사파와이면으로부터의제 2 반사파사이의광로차를구하고, 구한광로차로부터세라믹부재(35)의두께 d를구한다.

    Abstract translation: 本发明具有测量布置在处理室内的陶瓷构件的厚度的效果。 用于测量在真空气氛中布置在室(11)内的陶瓷构件(35)的厚度的厚度和温度测量装置(50)包括:包括太赫兹波产生单元(51)的光学系统,用于输出太赫兹波; 用于分析所输入的太赫兹波的太赫兹波分析单元(53)以及从太赫兹波发生单元(51)向陶瓷构件(35)输出的太赫兹波的半反射镜(52),并且引导反射波 从陶瓷构件(35)到太赫兹波分析单元(53)。 太赫波分析单元(53)能够获得来自陶瓷构件(35)的表面的第一反射波与来自另一表面的第二反射波之间的光程差,得到陶瓷的厚度d 通过对来自陶瓷构件(35)的反射波谱进行傅立叶变换,从获得的光程差得到的构件(35)。

    플라즈마 처리 장치
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101434015B1

    公开(公告)日:2014-08-25

    申请号:KR1020120011804

    申请日:2012-02-06

    Abstract: 본 발명의 과제는, 플라즈마 처리 장치에 있어서, 차징 대미지의 발생을 대폭 개선하고, 플라즈마 처리의 안정성 및 신뢰성의 향상을 실현하는 것이다.
    본 발명의 플라즈마 처리 장치에 따르면, 진공배기 가능한 처리용기(10)내에 상부 전극(38)과 하부 전극(12)이 대향해서 평행으로 배치되어, 하부 전극(12)에는 제 1 고주파 전원(32)으로부터 제 1정합기(34)을 거쳐서 제 1 고주파가 인가된다. 제어부(68)은, 플라즈마 생성에 기여하는 제 1 고주파가, 플라즈마를 생성시키는 제 1의 진폭을 가지는 제 1의 기간과, 플라즈마를 실질적으로 생성시키지 않는 제 2의 진폭을 가지는 제 2의 기간을 소정의 주기로 교대로 반복되도록, 제 1 고주파 전원(32)을 제어한다.

    온도 측정 장치 및 온도 측정 방법
    24.
    发明授权
    온도 측정 장치 및 온도 측정 방법 有权
    温度测量装置和方法

    公开(公告)号:KR101069972B1

    公开(公告)日:2011-10-04

    申请号:KR1020090018798

    申请日:2009-03-05

    CPC classification number: G01K11/00 G01K11/125

    Abstract: 종래에비해더욱정밀도좋게온도를측정할수 있고, 더욱정밀도좋고또한효율좋게기판처리등을실행할수 있는온도측정장치및 온도측정방법을제공한다. 광원(110)으로부터의광을측정광과참조광으로나누기위한제 1 스플리터(120)와, 참조광을반사하기위한참조광반사수단(140)과, 참조광의광로길이를변화시키기위한광로길이변화수단(150)과, 참조광반사수단(140)으로부터의반사참조광을나누기위한제 2 스플리터(121)와, 온도측정대상물(10)로부터의반사측정광과반사참조광의간섭을측정하기위한제 1 광검출기(160)와, 반사참조광만의강도를측정하기위한제 2 광검출기(161)와, 제 1 광검출기(160)의출력에서제 2 광검출기(161)의출력을감산한후, 간섭위치를산출하고온도를산출하는콘트롤러(170)를구비한온도측정장치.

    플라즈마 처리 장치와 온도 측정 방법 및 장치
    25.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치와 온도 측정 방법 및 장치 有权
    等离子体加工装置和温度测量方法及其使用的装置

    公开(公告)号:KR1020100089034A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:KR1020100009300

    申请日:2010-02-01

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing unit, a method and an apparatus for measuring temperature are provided to measure the temperature of a substrate by forming a temperature-measuring window which tightly sealed. CONSTITUTION: A vacuum chamber(2) plasma-processes a substrate(W). The substrate is loaded on a loading stand(3). A splitter separates light from light source into measurement-light and reference-light. A reflective unit for the reference-light reflects the reference-light from the splitter. Optical fiber(20 to 23) radiates the measurement-light to the substrate. Collimators(24 to 27) are arranged on the outlet side of the optical fiber.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于测量温度的等离子体处理单元,方法和装置,以通过形成密封的温度测量窗来测量基板的温度。 构成:真空室(2)等离子体处理衬底(W)。 将基板装载在装载台(3)上。 分光器将光从光源分离成测量光和参考光。 用于参考光的反射单元反射来自分离器的参考光。 光纤(20〜23)将测量光照射到基板上。 准直器(24至27)布置在光纤的出口侧。

    온도 측정 장치 및 온도 측정 방법
    26.
    发明公开
    온도 측정 장치 및 온도 측정 방법 有权
    温度测量装置和方法

    公开(公告)号:KR1020090097116A

    公开(公告)日:2009-09-15

    申请号:KR1020090018798

    申请日:2009-03-05

    CPC classification number: G01K11/00 G01K11/125

    Abstract: A temperature measuring apparatus and a method for measuring temperature are provided to improve the precision of the temperature measurement by producing interference position based on signals filtered by frequency and producing corresponding interference position from the result. A temperature measuring apparatus(100) comprises a light source(110), a first splitter(120), a reference light reflective unit(140), an optical path length changing unit(150), a second splitter(121), a first detector(160), a second optical detector(161), and a temperature production unit. The first splitter divides the light into measurement light and reference light. The optical path length changing unit diversifies the optical path length of the reflected reference light. The second splitter divides the reflection reference light into the first reflection reference light and the second reflection reference light. The first detector measures interference between the reflection measurement light and the first reflection reference light. The second optical detector measures the intensity of the second reflection reference light. The temperature production unit produces the interference position and the temperature of the temperature measurement object from the result produced by subtracting the output signal of the second optical detector from the output signal of the first detector.

    Abstract translation: 提供了一种用于测量温度的温度测量装置和方法,以通过基于频率滤波的信号产生干涉位置并从结果产生相应的干涉位置来提高温度测量的精度。 一种温度测量装置(100),包括光源(110),第一分离器(120),参考光反射单元(140),光路长度改变单元(150),第二分离器(121) 检测器(160),第二光学检测器(161)和温度生成单元。 第一个分离器将光分成测量光和参考光。 光路长度改变单元使反射的参考光的光程长度多样化。 第二分离器将反射参考光分成第一反射参考光和第二反射参考光。 第一检测器测量反射测量光和第一反射参考光之间的干涉。 第二光学检测器测量第二反射参考光的强度。 温度生成单元根据从第一检测器的输出信号减去第二光检测器的输出信号而得到的结果,产生干涉位置和温度测量对象的温度。

    플라즈마 처리 장치
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:KR100886272B1

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:KR1020060029690

    申请日:2006-03-31

    Abstract: 플라즈마 처리의 면내 균일성이 높고, 또한 차지업 손상이 발생하기 어려운 용량 결합 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
    진공 분위기로 유지되는 챔버(1)와, 챔버(1) 내에 서로 평행하게 배치된 제 1 및 제 2 전극(2, 18)과, 제 1 및 제 2 전극(2, 18)의 사이에 고주파 전계를 형성하여 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구(10)를 갖는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 제 2 전극(18)은, 그 적어도 제 1 전극(2)과의 대향 부분이, 도체로 이루어지고 플로팅 상태이거나 또는 접지되어 있는 제 1 분할편(18c1) 및 제 2 분할편(18c2)으로 분할되어 있고, 제 1 분할편(18c1) 및 제 2 분할편(18c2)의 사이에 전압을 인가하는 가변 직류 전원을 더 갖는다.

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    29.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
    等离子处理装置和等离子处理方法

    公开(公告)号:KR1020170137015A

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:KR1020170160011

    申请日:2017-11-28

    Abstract: 플라즈마처리장치는제 1 및제 2 안테나소자를구비한고주파안테나를포함한다. 제 1 안테나소자의일단부는접지되고, 타단부는고주파전원에접속된다. 제 2 안테나소자의일단부는개방단이고, 또한타단부는제 1 안테나소자의일단부및 타단부의한쪽에접속되고, 제 2 안테나소자의선로길이는 ((λ/4) + nλ/2)(λ는진공중의고주파의파장이며, n는자연수)에단축율을곱한값이다. 고주파전원으로부터고주파안테나측을보았을때의회로는, 고주파전력의주파수를변경했을때에, 임피던스조정부의조정에의해 2개의공진주파수가나타나도록구성되어있다.

    Abstract translation: 等离子体处理装置包括具有第一和第二天线元件的高频天线。 第一天线元件的一端接地,另一端连接到高频电源。 另一端连接第一天线单元的一端和另一端,第二天线单元的线路长度为((π/ 4)+nπ/ 2) λ是真空中高频波的波长,n是自然数)乘以收缩因子。 当从高频电源观看高频天线侧时,该电路被配置为使得当通过调节阻抗调节单元改变高频电力的频率时出现两个谐振频率。

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법

    公开(公告)号:KR101804341B1

    公开(公告)日:2017-12-04

    申请号:KR1020150154193

    申请日:2015-11-04

    Abstract: 플라즈마처리장치는제 1 및제 2 안테나소자를구비한고주파안테나를포함한다. 제 1 안테나소자의일단부는접지되고, 타단부는고주파전원에접속된다. 제 2 안테나소자의일단부는개방단이고, 또한타단부는제 1 안테나소자의일단부및 타단부의한쪽에접속되고, 제 2 안테나소자의선로길이는 ((λ/4) + nλ/2)(λ는진공중의고주파의파장이며, n는자연수)에단축율을곱한값이다. 고주파전원으로부터고주파안테나측을보았을때의회로는, 고주파전력의주파수를변경했을때에, 임피던스조정부의조정에의해 2개의공진주파수가나타나도록구성되어있다.

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