公开(公告)号：KR1020040007738A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020037016578

申请日：2003-01-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시 ,  마츠오카다카아키

IPC: C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 챔버(13)에 접속된 배기 라인(15)은 TMP(22)와 드라이 펌프(23)로 구성되어 있다. 챔버(13)와 TMP(22)는 제 1 배기관(25)에 의해 접속되고, 또한 TMP(22)와 드라이 펌프(23)는 제 2 배기관(28)에 의해 접속되어 있다. 측정부(24)는 제 2 배기관(28)을 흐르는 배기 가스중의 TiCl
4 또는 NH
3 의 분압을 모니터링하고 있다. 챔버(13)내에는, 2종의 처리 가스가 교대로 소정 시간 공급되고, 공급된 한쪽 처리 가스의 배기 가스중의 분압이 소정값까지 감소하면, 제어 장치(12)는 다른쪽 처리 가스의 공급을 개시한다.

公开(公告)号：KR1020030074732A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020037009785

申请日：2002-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카다카아키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67739

Abstract: LCD 기판을 열처리 유닛의 반응 용기내에 반입한 후, 미리 가열한 열교환용 헬륨 가스를, LCD 기판의 표면과 대향하는 가스 공급부로부터 LCD 기판의 표면 전체에 걸쳐 분출한다. 히터에 의한 복사열과, 헬륨 가스와의 열교환에 의해 LCD 기판을 승온시킨다. 반응 용기내에서 CVD, 어닐링 등을 실행한 후, 실온 정도의 온도의 열교환용 가스를 가스 공급부로부터 LCD 기판의 표면 전체에 걸쳐 분출하여 LCD 기판을 냉각한다. 냉각한 LCD 기판을, 반송실을 거쳐 캐리어실내의 캐리어로 복귀시킨다.

公开(公告)号：KR101425760B1

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：KR1020137005899

申请日：2011-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카다카아키 ,  노자와도시히사 ,  호리도시야스

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3081 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/2041 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122

Abstract: 피처리 기판이 되는 실리콘 기판 상에, 플루오르 카본층을 형성한다(A). 형성된 플루오르 카본층 위에, 레지스트층을 형성한다(B). 그 후, 레지스트층에 대하여 포토레지스트에 의한 노광을 행하고, 정해진 형상으로 패터닝을 행한다(C). 정해진 형상으로 패터닝된 레지스트층을 마스크로 하여 플루오르 카본층을 에칭한다(D). 다음에, 마스크로서의 레지스트층을 제거한다(E). 그 후, 남은 플루오르 카본층을 마스크로 하여 실리콘 기판을 에칭한다(F). 플루오르 카본층의 1층만으로 반사 방지막, 및 하드 마스크로서의 기능을 구비하기 때문에, 처리의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 비용을 저렴하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR101393185B1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：KR1020137022018

申请日：2012-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠 ,  하야시데루유키 ,  마츠오카다카아키 ,  오노유지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719

Abstract: 기판상의피처리막을에칭할때의마스크가되는정해진패턴을형성하는패턴형성방법은, 기판의피처리막상에유기막의패턴을형성하는유기막패턴형성공정과, 그후, 상기유기막의패턴상에실리콘질화막을성막하는성막공정과, 그후, 상기실리콘질화막이상기유기막의패턴의측벽부에만남도록이 실리콘질화막을에칭한후, 상기유기막의패턴을제거하고, 기판의피처리막상에상기실리콘질화막의상기정해진패턴을형성하는실리콘질화막패턴형성공정을포함한다. 상기성막공정은, 기판의온도를 100℃이하로유지한상태에서, 처리가스를여기시켜플라즈마를생성하고, 이플라즈마에의한플라즈마처리를수행하여, 100 ㎫이하의막 스트레스를갖는실리콘질화막을형성한다.

公开(公告)号：KR101231261B1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR1020127006088

申请日：2008-03-28

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  고토데츠야 ,  마츠오카다카아키

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/347

Abstract: 회전 마그넷 스퍼터 장치에 있어서, 타깃의 소모에 의해 타깃 표면이 변화하고, 성막 레이트가 시간 경과적으로 변화하는 것을 줄이기 위해, 타깃의 소모 변위량을 측정하고, 측정 결과에 따라 회전 자석군과 타깃 사이의 거리를 조정하여, 균일한 성막 레이트를 장시간에 걸쳐 실현한다. 타깃의 소모 변위량을 측정하는 수단으로는, 초음파 센서를 사용해도 되고, 레이저 송수신 장치를 사용해도 된다.

公开(公告)号：KR101217381B1

公开(公告)日：2012-12-31

申请号：KR1020087009253

申请日：2006-10-06

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  고토데츠야 ,  마츠오카다카아키

IPC: C23C14/35

Abstract: 타겟 상에서의 매순간의 에로젼 밀도를 상승시켜 성막 속도를 향상시킴과 함께, 에로젼 영역을 시간적으로 이동시켜 타겟의 국소적 마모를 방지하여 균일한 소모를 실현함으로써 타겟을 장기 수명화할 수 있는 마그네트론 스퍼터 장치를 제공한다. 기둥 형상 회전축 (2) 의 주변에 판자석 (3) 을 복수 설치하고, 기둥 형상 회전축 (2) 을 회전시킴으로써, 타겟 (1) 상에 고밀도의 에로젼 영역을 형성하여 성막 속도를 상승시킴과 함께, 기둥 형상 회전축 (2) 의 회전과 함께 에로젼 영역이 움직임으로써 균일하게 타겟 (1) 을 소모시킨다.
마그네트론 스퍼터 장치, 회전 자석군, 고정 외주 판자석, 에로젼 밀도, 성막

公开(公告)号：KR101140195B1

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：KR1020097020501

申请日：2008-03-14

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  고토데츠야 ,  마츠오카다카아키

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452

Abstract: 본 발명의 과제는, 회전 자석군에 의해 타깃 표면의 자장 패턴이 시간과 함께 이동하도록 구성된 마그네트론 스퍼터 장치에 있어서, 플라즈마 착화나 소거시에 피처리 기판의 불량률이 높아지는 문제를 해결하고, 피처리 기판의 불량률이 종래보다 작은 마그네트론 스퍼터 장치를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 마그네트론 스퍼터 장치는 타깃에 대해 회전 자석군과 반대측에 슬릿을 구비한 플라즈마 차폐 부재를 형성하고, 당해 플라즈마 차폐 부재와 피처리 기판 사이의 거리를 전자의 평균 자유 행정보다 짧게 하거나, 혹은 시스 폭보다 짧게 한다. 또한, 슬릿 폭 및 길이를 제어함으로써, 피처리 기판에 플라즈마가 닿지 않게 한다. 이로써, 피처리 기판의 불량률을 작게 할 수 있다.
마그네트론 스퍼터 장치, 박막 형성 공정, 플라즈마, 차폐 부재, 평균 자유 행정

公开(公告)号：KR1020080054441A

公开(公告)日：2008-06-17

申请号：KR1020087011261

申请日：2006-11-07

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: This invention provides a shower plate (31) for plasma treatment formed of a plurality of pipings. The shower plate comprises piping (31A3) comprising a porous material member (44), which is disposed along the piping and has a predetermined porosity to a raw material gas and is convexed to the outside, and a metallic member (41) which is disposed so as to face the porous material member (44) and, together with the porous material member (44), constitutes a raw material gas flow passage (43). According to the above constitution, a nozzle structure, which can release the raw material gas in a divergent form, can be realized.

Abstract translation: 本发明提供一种用于等离子体处理的喷淋板（31），其由多个管道形成。 淋浴板包括管道（31A3），其包括多孔材料构件（44），该多孔材料构件（44）沿着管道设置并且具有预定的原料气体的孔隙率并且凸出到外部;金属构件（41） 与多孔材料构件（44）相对并且与多孔材料构件（44）一起构成原料气体流动通道（43）。 根据上述结构，可以实现能够以发散形式释放原料气体的喷嘴结构。

公开(公告)号：KR1020080053345A

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：KR1020087008125

申请日：2006-09-05

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키 ,  나카야마쇼조 ,  이토히로노리

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L51/001 ,  C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  C23C14/568 ,  H01L51/56

Abstract: Provided are a film forming apparatus by which an expensive organic EL material can be used without wasting it and an organic EL film can be uniformly formed over a long period of time, and a jig for such film forming device. A single material container section is provided with a plurality of blow out containers. A switching device is provided for switching a piping system, which vaporizes the organic EL material in the material container section and supplies each blow out container with the vaporized material with a carrier gas, to a piping system of other blow out container. The use efficiency of the organic EL material is improved by supplying the blow out containers with the organic EL material from the single material container section by switching.

Abstract translation: 提供一种成膜装置，通过该成膜设备可以使用昂贵的有机EL材料而不浪费它，并且可以长时间均匀地形成有机EL膜，以及用于这种成膜装置的夹具。 单个材料容器部分设置有多个吹出容器。 提供了一种开关装置，用于切换管道系统，该管道系统使材料容器部分中的有机EL材料蒸发，并将每个吹出容器中的气化材料与载气供应到其它吹出容器的管道系统。 通过切换从单一材料容器部分向吹出容器提供有机EL材料来改善有机EL材料的使用效率。

公开(公告)号：KR1020080046267A

公开(公告)日：2008-05-26

申请号：KR1020087008930

申请日：2006-09-19

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키 ,  나카야마쇼조 ,  이토히로노리

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  C23C14/246

Abstract: Provided are an evaporating jig by which a thin film, especially an organic EL film, can be uniformly formed over a long time, and a film forming apparatus including the evaporating jig. The evaporating jig is provided with an evaporating pan, having a bottom plane and side planes arranged to stand from the bottom plane, for defining a material containing space opened inside the side planes; and partitioning plates for partitioning the material containing space into a plurality of partial spaces. The partitioning plates are provided with locking pieces having a height which permits the partial spaces to be continuous on a bottom plane side of the evaporating pan.

Abstract translation: 提供了一种蒸发夹具，通过该蒸发夹具可以长时间均匀地形成薄膜，特别是有机EL膜，以及包括蒸发夹具的成膜设备。 蒸发夹具设置有蒸发盘，其具有布置成从底平面放置的底平面和侧平面，用于限定在侧平面内开口的材料容纳空间; 以及用于将包含空间的材料分隔成多个部分空间的分隔板。 分隔板设置有具有允许部分空间在蒸发盘的底平面侧上连续的高度的锁定件。