公开(公告)号：KR101134490B1

公开(公告)日：2012-04-13

申请号：KR1020107005089

申请日：2008-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/3213 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/67178

Abstract: 기판상에 피(被)처리막, 제1막, 감광성의 제2막을 아래로부터 순서대로 형성한다. 그 후, 제2막을 선택적으로 제거하고, 노출된 부분인 제1막을 제거한다. 그 후, 제2막을 마스크로 하여 피처리막을 에칭한다. 그 후, 제1막이 소정의 폭이 되도록, 당해 제1막의 측벽부를 제거한다. 그 후, 적어도 제1막과 피처리막의 상면을 덮도록 제3막을 형성한다. 그 후, 제1막과 제2막을 제거한다. 그 후, 제3막을 마스크로 하여 피처리막을 에칭한다. 그 후, 제3막을 제거한다.

公开(公告)号：KR100503121B1

公开(公告)日：2005-11-11

申请号：KR1019980039143

申请日：1998-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  환퀴

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼 등의 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
본 발명의 처리장치는 케이스 내에 설치되고 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와, 각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와, 케이스 내부에 도입된 공기 중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와, 필터 외측의 불순물의 농도를 검출하는 농도검출기구와, 농도검출기구의 검출결과를 기초로 하여 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단(50)을 구비한다.
이로써, 해상불량을 발생시키는 불순물을 제거하기 위한 필터의 교환타이밍을 신속히 파악할 수 있고, 수율저하의 문제를 해결함으로써, 신뢰성 높은 처리를 실현할 수 있는 데 적용할 수 있다.

公开(公告)号：KR100320585B1

公开(公告)日：2002-01-18

申请号：KR1019990054437

申请日：1999-12-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 마쓰가와히로유키 ,  요네미즈아키라 ,  마쓰시다미치아키 ,  후쿠다다카히데 ,  후지모토아키히로 ,  다케구마다카시 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A resist treating method is provided to perform a resist treatment by including an apparatus capable of rapidly cleaning double sides of an object to be processed. CONSTITUTION: A carrier station loads/unloads a carrier in which objects to be processed are stored. A convey mechanism conveys an object taken out from the carrier station. At least one cleaning mechanism cleans the object, arranged along a convey path on which the convey mechanism conveys the object. An object reversing mechanism reverses the object, arranged along the convey path.

公开(公告)号：KR1020010103664A

公开(公告)日：2001-11-23

申请号：KR1020010024843

申请日：2001-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노쥰이치 ,  마쓰야마유지 ,  기타노다카히로 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 기판에 대하여 도포현상처리하는 방법으로서, 기판에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 공정과, 도포막이 형성된 기판을 가열처리하는 공정과, 상기 가열처리후에 기판을 냉각하는 공정과, 기판에 형성된 도포막에 노광처리하는 공정과, 노광처리후에 기판을 현상하는 공정을 가지며, 더욱 도포막을 형성하는 공정후에, 기판을 노광처리하는 공정전에, 처리가스를 공급하여 도포막의 표면에 처리막을 형성하는 공정을 가진다.
본 발명에 의하면, 도포막을 형성하는 공정후에, 기판을 노광하는 공정전에, 처리가스를 공급하여 도포막의 표면에 처리막을 형성하기 때문에, 이 처리막에 의해, 분위기중의 산소나 수증기 등의 불순물로부터 기판을 보호할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970067586A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970010284

申请日：1997-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  가와카미야스노리 ,  박재훈 ,  간자와게이코 ,  가타노다카유키 ,  도시마다카유키 ,  가카즈유지

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
고집적화 회로패턴을 가지는 반도체 디바이스의 제품수율을 향상시키고, 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
공조된 프로세스영역 및 비프로세스영역을 가지는 레지스트 처리시스템내에서 기판을 레지스트처리하는 방법으로, 외부로부터 비프로세스영역내에서 기판을 반입하는 공정과, 기판에 레지스트를 도포하는 공정과, 도포레지스트를 노광처리하는 공정과, 노광된 포토레지스트를 현상처리하는 공정과, 레지스트 도포공정으로부터 현상처리공정까지의 사이에 적어도 1회는 도포레지스트를 열처리하는 공정과, 기판반입공정으로부터 현상처리 공정까지의 사이에 적어도 1회는, 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중에 있어서 레지스트의 해상불량의 원인이 되는 알칼리성분의 농도를 검출하는 공정과, 레지스트의 해상불량을 일으키는 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중의 알칼리성분농도의 문턱치를 설정하는 공정과, 알칼리성분농도의 검출치 문턱치에 의거하여 상기 처리공정 중 적어도 하나의 처리분위기를 제어하는 공정을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼와 같은 기판에 포토 레지스트를 도포, 노광하고, 현상하는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 사용됨.

公开(公告)号：KR101976400B1

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：KR1020130013546

申请日：2013-02-06

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모토이케나오토 ,  오모리가츠미 ,  하토도시아키 ,  야에가시히데타미 ,  오야마겐이치

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR1020170076580A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020160174956

申请日：2016-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/32

Abstract: 본발명은, 미세한홀 패턴을형성할수 있는패턴형성방법을제공하는것을목적으로한다. 레지스트막에홀 패턴을형성하는패턴형성방법으로서, 피처리체상에레지스트막을형성하는레지스트막형성공정과, 명시야마스크를이용하여상기레지스트막을노광하는제1 노광공정과, 상기제1 노광공정후, 상기레지스트막에제1 현상액을공급하여네거티브형현상을행함으로써, 상기레지스트막의미노광부를제거하는제1 현상공정과, 상기제1 현상공정후, 상기레지스트막의측벽부를개질하는개질공정과, 상기개질공정후, 상기레지스트막에제2 현상액을공급하여포지티브형현상을행함으로써, 상기레지스트막의노광부를제거하는제2 현상공정을포함하고, 상기개질공정은, 상기제2 현상액에대한상기레지스트막의측벽부의용해성을작게하는처리를포함하는패턴형성방법에의해상기과제를해결한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够形成细孔图案的图案形成方法。 用于形成在抗蚀剂膜上的孔图案，使用抗蚀剂的抗蚀剂膜形成步骤的图案形成方法，用于在物体上形成膜的明场掩模具有用于曝光抗蚀剂膜的第一曝光步骤进行处理，第一曝光工艺之后 中，由第一显影步骤之后，执行通过供给第一显影剂到抗蚀剂膜的负型显影剂，和所述第一显影步骤和，重整去除抗蚀剂膜曝光区域的抗蚀剂膜侧壁的部分的重整步骤， 以及第二显影步骤，通过在重整步骤之后向抗蚀剂膜供应第二显影溶液进行正显影来去除抗蚀剂膜的曝光部分， 还有一种降低薄膜侧壁部分溶解度的方法。

公开(公告)号：KR1020150095590A

公开(公告)日：2015-08-21

申请号：KR1020150022170

申请日：2015-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2024 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/20

Abstract: 본 발명은 LELE 프로세스보다도 적은 공정수로 원하는 미세 패턴을 얻을 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 피처리체 위에 감광제를 도포하는 도포 공정과, 제1 노광 마스크를 이용해서 감광제를 노광하는 제1 노광 공정과, 제1 노광 공정 후에 감광제에 제1 현상액을 이용해서 포지티브형의 현상을 행하는 제1 현상 공정과, 제1 현상 공정 후에 제2 노광 마스크를 이용해서 감광제를 노광하는 제2 노광 공정과, 제2 노광 공정 후에 감광제에 제2 현상액을 이용해서 네거티브형의 현상을 행하는 제2 현상 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于制造半导体器件的方法，其能够与LELE工艺相比获得具有较少数量工艺的所需精细图案。 根据本发明，提供了一种制造半导体器件的方法，其包括将敏化剂喷射到物体上的喷射方法，使用第一曝光掩模曝光敏化剂的第一曝光处理，进行阳性的第一显影处理 在第一曝光处理之后使用第一显影剂在敏化剂上显影，在第一显影处理之后使用第二曝光掩模曝光敏化剂的第二曝光工艺，以及使用第二显影剂在敏化剂上进行负显影的第二显影过程 在第二次曝光过程之后。

公开(公告)号：KR1020130092471A

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：KR1020130013546

申请日：2013-02-06

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모토이케나오토 ,  오모리가츠미 ,  하토도시아키 ,  야에가시히데타미 ,  오야마겐이치

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2026 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/405 ,  G03F7/26 ,  H01L21/0273

Abstract: PURPOSE: A method for forming a pattern is provided to form micro-patterns having excellent uniformity as well as simplifying the process, reducing manufacturing cost and improving productivity. CONSTITUTION: According to a method for forming a pattern, a first pattern forming process forms a resist film (2) by depositing a resist composition on a supporting body (1) and then forms a first pattern (2a) of the resist by exposing and developing the resist film. A deposition process deposits a SiO_2 film (3) on the first pattern and the surface of the supporting body. An etching process etches the SiO_2 film in order to remain in the side wall part of the first pattern. A second pattern forming process forms a second pattern (4a) of the SiO_2 film by removing the first pattern. The resist composition contains a base film and a photoacid generator component (B). The base film component changes solubility about the development solution by the action of the acid, and the photoacid generator component generates the acid by the exposure. The base film contains a resin component (A1) whose polarity is increased by the action of the acid and contains acid dissolution radical which does not have polycyclic term.

Abstract translation: 目的：提供一种形成图案的方法以形成具有优异均匀性的微图案，并且简化了工艺，降低了制造成本并提高了生产率。 构成：根据形成图案的方法，第一图案形成工艺通过在支撑体（1）上沉积抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜（2），然后通过暴露和/或形成抗蚀剂形成抗蚀剂的第一图案（2a） 开发抗蚀膜。 沉积工艺将SiO_2膜（3）沉积在第一图案和支撑体的表面上。 蚀刻工艺蚀刻SiO_2膜以便保留在第一图案的侧壁部分中。 第二图案形成工艺通过去除第一图案形成SiO_2膜的第二图案（4a）。 抗蚀剂组合物含有基膜和光致酸发生剂组分（B）。 基膜组分通过酸的作用改变对显影液的溶解度，并且光酸产生剂组分通过曝光产生酸。 基膜含有通过酸的作用极性增加的树脂组分（A1），并且含有不具有多环项的酸溶解基团。

公开(公告)号：KR101000946B1

公开(公告)日：2010-12-13

申请号：KR1020090011848

申请日：2009-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  시무라사토루 ,  하야카와타카시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: A semiconductor device manufacturing apparatus includes: a first pattern forming unit for forming a first pattern by patterning a first mask material layer; a trimming unit for reducing a width of the first pattern to a predetermined width; a boundary layer forming unit for forming a boundary layer, on a surface of the first pattern; a second mask material layer forming unit for forming a second mask material layer on a surface of the boundary layer; a second mask material removing unit for removing a part of the second mask material layer to expose top portions of the boundary layer; and a boundary layer etching unit for exposing the first pattern and forming a second pattern having the second mask material layer at a top portion thereof by etching the boundary layer.