公开(公告)号：KR101072282B1

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：KR1020087003969

申请日：2006-09-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  도미타히로시 ,  다나카미치오 ,  우에무라료이치

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3071 ,  G03F7/40 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 패턴형성장치(1)는현상처리후에기판(W)에형성된레지스트패턴의상태를측정검사하여제1 검사결과를출력하고, 에칭처리후에기판(W)에형성된패턴의상태를측정검사하여제2 검사결과를출력하는검사장치(400)와, 상기제1 검사결과와상기제2 검사결과로부터구한상관식을기록한기억수단(502)과, 상기상관식에기초하여상기에칭처리후의패턴상태의목표값으로부터상기현상처리후의패턴상태의목표값을구하고, 상기현상처리후의패턴상태의목표값과상기제1 검사결과의차분에기초하여상기제1 가열처리및/또는상기제2 가열처리에있어서의조건설정을행하는제어부(500)를구비한다.

公开(公告)号：KR101059422B1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：KR1020070108003

申请日：2007-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 죠우사카메구미 ,  시노즈카신이치 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/324

CPC classification number: G05D23/1931 ,  H01L21/67248

Abstract: 본 발명에 있어서는 가열 장치의 열판은 복수의 열판 영역으로 구획되고, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있는 것을 목적으로 한다. 열판의 각 열판 영역에는 열판면 내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정값을 각각 설정할 수 있다. 포토리소그래피 공정이 종료된 기판면 내의 선폭이 측정되고, 그 측정 선폭의 면 내 경향으로부터, 제르니케 다항식을 이용하여, 온도 보정에 의해 개선 가능한 면 내 경향과 개선 불가능한 면 내 경향이 산출된다. 개선 불가능한 면 내 경향에 미리 구해져 있는 개선 후의 개선 가능한 면 내 경향의 평균 잔존 경향을 더하여 온도 설정 변경 후의 기판면 내의 선폭의 면 내 경향을 추정한다. 본 발명에 의하면, 온도 설정 변경 후의 기판의 선폭 상태를 정확히 추정하여, 열판의 온도 설정을 단시간으로 적정히 행할 수 있다.

Abstract translation: 在本发明中，加热装置的加热板被分成多个加热板区域，并且可以为每个加热板区域设定温度。 用于调节热板表面温度的温度校正值可以分别设置在热板的各个热板区域中。 在光刻步骤图象行宽度被完成在基材表面进行测定，从所测量的线宽度的面内的趋势，伊泽尔使用Zernike多项式的，非平面的倾向，并通过温度补偿提高可改善的表面是内被计算的趋势。 的改进可以后的表面变得预先提高，获得的线宽的在后添加趋势内设定的温度估计的变化趋势剩余基板表面的平均内趋势内的趋势不会被如果可能提高。 根据本发明，通过准确地估计设定变更温度后的基板的线宽度的状态下，也能够在短时间内进行热板的适当您好温度设置。

公开(公告)号：KR1020080040576A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：KR1020070109603

申请日：2007-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 죠우사카메구미 ,  신오즈카신이치 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67103 ,  G03F7/168

Abstract: A temperature setting method of a thermal processing plate, a computer-readable recording medium recording program thereon, and a temperature setting apparatus for thermal processing plate are provided to optimize a processing state of a final substrate by optimizing timing to change temperature setting of a thermal processing plate. A measurement process is performed to measure a processing state of a substrate(W) after a substrate treatment process including a thermal process. A calculation process is performed to calculate an improvable in-plane tendency from an in-plane tendency of the substrate of the measured processing state by changing a temperature correction value for each of regions of a thermal processing plate. A temperature correction value changing process is performed to change a temperature correction value for each of the regions of the thermal processing plate when a magnitude of the improvable in-plane tendency exceeds a threshold value set in advance.

Abstract translation: 提供热处理板的温度设定方法，其上的计算机可读记录介质记录程序和用于热处理板的温度设定装置，以通过优化时序来优化最终基板的处理状态以改变热的温度设定 加工板。 进行测量处理以在包括热处理的基板处理工艺之后测量基板（W）的处理状态。 通过改变热处理板的每个区域的温度校正值，执行计算处理以从测量的处理状态的基板的面内倾向计算出可改进的面内趋势。 进行温度修正值变更处理，当可提升面内趋势的大小超过预先设定的阈值时，改变热处理板的各个区域的温度校正值。

公开(公告)号：KR100811964B1

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020010059540

申请日：2001-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  니시무코고키 ,  도미타히로시 ,  기무라요시오 ,  우에무라료이치 ,  다나카미치오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715

Abstract: 도포유닛과 현상유닛을 구비한 도포/현상장치에 노광장치를 접속하고 이들의 처리를 제어하는 제어부를 갖춘 레지스트 패턴 형성장치에 있어서, 레지스트 도포전의 바탕막의 반사율, 레지스트 도포후의 레지스트 막두께, 현상후의 현상선폭, 바탕막과 레지스트 패턴의 얼라인먼트 상태, 현상결함 등을 검사부 등으로 측정한다. 이 측정 데이터를 제어부에 송신하고, 제어부에서는 레지스트 막두께나 현상선폭 등 각 측정항목의 측정 데이터에 의거하여 측정 데이터에 대응하는 보정 파라미터가 선택되어 당해 보정 파라미터의 보정이 이루어진다. 이 때문에 보정작업이 용이하게 되고 오퍼레이터의 부담이 경감되는 동시에 적절한 보정을 할 수 있다.

公开(公告)号：KR100797721B1

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：KR1020010067417

申请日：2001-10-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미타히로시 ,  오가타구니에 ,  사카구치기미나리 ,  이와시타야스하루 ,  우에무라료이치 ,  나카쓰루마사히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253

Abstract: 도포 유닛에 있어서 도포액의 종류는 같지만 목표 막두께가 다른 생산라인용 레시피와 막두께 측정용 레시피를 복수 준비하고, 이들 중 도포액의 종류 및 목표 막두께가 대응하는 것에 관하여 공통의 스핀커브에 링크시킨다. 그리고 막두께 측정용 레시피를 실행하여 막두께 측정 데이터마다 회전수의 보정치를 산출한다. 각 레시피의 회전수 설정치는 이 보정치를 사용함으로써 일괄하여 보정할 수 있다.

公开(公告)号：KR100684013B1

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020000064535

申请日：2000-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에

IPC: H01L21/027

Abstract: 도포막을 가진 기판을 노광처리한 후 해당 기판을 가열처리할 때에, 처리중에 적어도 1회, 상기 기판표면의 도포막 막두께의 단차를 측정한다. 단차와 최종패턴의 선폭과의 사이에는 상관관계가 있다. 따라서 가열처리의 도중에 단차를 측정하여, 그 결과에 기초하여 가열온도나 가열시간을 보정하면, 패턴의 선폭을 소정 값으로 하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR100596944B1

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：KR1019980002605

申请日：1998-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시오카가즈토시 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체 웨이퍼나 LCD기판 등의 피처리기판의 표면에 바람직한 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트도포 현상방법 및 레지스트도포 현상장치에 관한 것으로, 레지스트도포 현상방법은 (a)기판에 형성할 레지스트도포막의 패턴선폭 및 막두께에 대한 각 설정 목표치 및 각각의 허용범위를 각각 설정하는 공정과, (b)기판의 표면에 포토레지스트액을 도포하는 레지스트 도포공정과, (c)기판에 형성된 포토레지스트도포막을 베이크하는 프리베이킹공정과, (d)베이크된 기판을 냉각하는 제 1 냉각공정과, (e)상기 포토레지스트 도포막을 패턴 노광하는 노광공정과, (f)패턴 노광된 레지스트 도포막에 형성된 잠상의 선폭을 측정하는 잠상선폭 측정공정과, (g)패턴 노광된 레지스트 도포막을 베이크하는 포스트베이킹공정과, (h)베이크된 기판을 냉각하는 제 2 냉각� �정과, (i)기판에 현상액을 뿌리고, 패턴 노광된 레지스트 도포막을 현상하는 현상공정과, (j)상기 잠상선폭 측정공정(f)에 있어서의 잠상선폭의 측정치가 상기 설정 목표치의 허용범위내에 있는지를 판정하는 공정과, (k)잠상선폭의 측정치가 상기 설정 목표치의 허용범위에서 벗어난다고 판정되었을 때에, 잠상선폭의 측정치와 상기 설정목표치와의 차를 구하고, 이 차에 따라서 상기 레지스트 도포공정(b)으로부터 현상공정(i)까지의 사이에 존재하는 각 처리조건의 보정량을 구하는 공정과, (l)구해진 보정량에 따라서 레지스트 도포공정(b), 노광공정(e), 포스트베이킹공정(g) 및 현상공정(i) 중에서 선택된 적어도 하나의 처리조건을 보정하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020010106244A

公开(公告)日：2001-11-29

申请号：KR1020010026221

申请日：2001-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  아이우치다카시 ,  다테야마마사노리

IPC: H01L21/02

Abstract: 각 부품마다 장치의 실제 이용 횟수에 관계없이 설정되는 제1의 보수 인터벌을 저장하는 제1의 보수 인터벌 저장부와, 각 부품마다 장치의 실제 이용 횟수에 관계되어 설정되는 제2의 보수 인터벌을 저장하는 제2의 보수 인터벌 저장부와, 제1의 보수 인터벌에 도달함으로써 그 부품의 보수를 요구하는 보수요구 발생부와, 제1의 보수 인터벌에 도달하였을 때 제2의 보수 인터벌에 도달하였는가를 판단하여 제2의 보수 인터벌에 도달하고 있지 않은 경우에는 보수요구 발생부에 의한 보수요구를 일시적으로 금지하고 제1의 보수 인터벌을 연장하는 보수 인터벌 연장부를 구비한다. 이렇게 함으로써 복수의 부품으로 구성되는 장치측에서 부품의 보수시기를 관리하고 통지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990083340A

公开(公告)日：1999-11-25

申请号：KR1019990013969

申请日：1999-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에

IPC: G03F7/16

CPC classification number: G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253

Abstract: 장치는, 기판을레지스트막으로도포하는도포부와, 기판상에도포된레지스트막의두께를검출하는제 1 막두께검출부를포함하고, 그리고상기검출된레지스트막의두께에따라레지스트막을노광시키는조건또는노광된레지스트막을현상하는조건을설정한다. 예컨대, 레지스트막이도포된후, 레지스트막의두께가검출된다. 그후 검출의결과로부터, 레지스트막도포처리에이어노광처리또는현상처리에서처리조건의피드포워드(feedforward)제어가수행된다. 따라서, 레지스트패튼의라인너비가정확하게제어된다.

公开(公告)号：KR1020120024388A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020110075194

申请日：2011-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야타아키라 ,  마츠야마겐이치로우 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67126 ,  B05D5/12 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/67721

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and method are provided to shorten substrate waiting time at a carry module by returning a substrate to the carry module which rapidly can carry among carry modules of a plurality of processing blocks. CONSTITUTION: A multi module comprises a plurality of modules which equally process a substrate. A substrate arrangement part is prepared in the lower side of a module group. A first transmitting means transmits the substrate to each carry module of a plurality of unit blocks. A second transmitting means extracts the substrate from each export module of the plurality of unit blocks and returns the substrate to a backend module and the substrate arrangement part. A controller(3) controls a returning means, the first transmitting means, and the second transmitting means.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和方法，用于通过将基板返回到能够在多个处理块的进位模块之间快速携带的进位模块来缩短进位模块的基板等待时间。 构成：多模块包括同样处理衬底的多个模块。 在模块组的下侧准备基板配置部。 第一发送装置将基板发送到多个单元块的每个进位模块。 第二发送装置从多个单元块的每个输出模块提取基板，并将基板返回到后端模块和基板布置部分。 控制器（3）控制返回装置，第一发送装置和第二发送装置。