公开(公告)号：KR1020160150035A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：KR1020160075233

申请日：2016-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤트젝피터엘지 ,  우에다히로카즈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/324 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/265

Abstract: 기판의도핑을제어하는방법이개시되며, 이방법은, 도핑시스템의처리실에기판을제공하는단계와, 돌연성깊이제어기술을이용하여기판의표면에목표선량을부여하도록도핑공정을수행하는단계와, 도핑목적에부합시키기위해플라즈마도핑의선택된동작변수를제어하는단계를포함한다.

Abstract translation: 一种控制衬底掺杂的方法，所述方法包括：将衬底提供在掺杂系统的处理室中; 执行掺杂过程以使用突变深度控制技术在基板的表面上施加目标剂量; 并控制等离子体掺杂的所选操作变量以满足掺杂目的。

公开(公告)号：KR101657341B1

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：KR1020137027536

申请日：2012-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카고우지 ,  우에다히로카즈

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01L21/316 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/318

Abstract: 성막방법은, 피처리기판상에, 제1 원료가스를공급하여, 피처리기판상에제1 원료가스에의해흡착되는제1 화학흡착층을형성하는제1 원료가스공급공정(A)과, 제1 화학흡착층이형성된피처리기판상에, 제1 원료가스와는상이한제2 원료가스를공급하여, 제1 화학흡착층상에제2 원료가스에의해흡착되는제2 화학흡착층을형성하는제2 원료가스공급공정(C)과, 마이크로파플라즈마를이용하여, 적어도제1 및제2 화학흡착층에대하여, 플라즈마처리를행하는플라즈마처리공정(E)을포함한다.

公开(公告)号：KR1020140147109A

公开(公告)日：2014-12-29

申请号：KR1020147029650

申请日：2013-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  우에다히로카즈

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/324 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78696

Abstract: 일 실시형태에 따른 성막 방법은, (a) 그 내부에 피처리 기체가 배치된 처리 용기 내에 반도체 재료의 제1 전구체 가스를 공급하는 공정으로서, 제1 전구체 가스를 피처리 기체에 흡착시키는, 제1 전구체 가스를 공급하는 공정과, (b) 처리 용기 내에 도펀트 재료의 제2 전구체 가스를 공급하는 공정으로서, 제2 전구체 가스를 피처리 기체에 흡착시키는, 제2 전구체 가스를 공급하는 공정과, (c) 처리 용기 내에 있어서 반응 가스의 플라즈마를 생성하는 공정으로서, 피처리 기체에 흡착한 층을 개질하도록 플라즈마 처리를 행하는, 플라즈마를 생성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140083882A

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020130159409

申请日：2013-12-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  호리고메마사히로 ,  고바야시유우키

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J21/22 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/22

Abstract: An objective of the present invention is to provide a plasma doping apparatus for stably doping a substrate to be treated, and to increase surface uniformity of dopant on the substrate to be treated. A plasma generation device (39) provided in the plasma doping apparatus (31) includes a microwave generation unit (35) to generate a microwave for plasma excitation; a dielectric window (36) allowing the microwave generated from the microwave generation unit (35) to be transmitted into a processing vessel (32); and a radial line slot antenna (37) provided thereon with a plurality of slots to radiate the microwave to the dielectric window (36). A control unit (28) controls a gas supplying unit (33) to supply a doping gas and a gas for the plasma excitation into the processing vessel (32) while positioning a substrate (W) to be treated on a supporting unit (34), and controls the plasma generation device (39) to generate the plasma after the doping gas and the gas for the plasma excitation are supplied by the gas supplying unit (33) so that doping is performed on the substrate (W) such that a density of a dopant implanted into the substrate (W) to be treated is less than 1X1013atoms/cm2.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于稳定地掺杂待处理衬底的等离子体掺杂装置，并且增加待处理衬底上的掺杂剂的表面均匀性。 设置在等离子体掺杂装置（31）中的等离子体产生装置（39）包括产生用于等离子体激发的微波的微波产生单元（35） 允许从微波产生单元（35）产生的微波被传送到处理容器（32）中的电介质窗（36）; 以及设置有多个槽的径向线缝隙天线（37），以将所述微波辐射到所述电介质窗口（36）。 控制单元（28）控制气体供给单元（33），以将待处理的基板（W）定位在支撑单元（34）上以将等离子体激发的掺杂气体和气体供给到处理容器（32） 并且在气体供给单元（33）供给掺杂气体和等离子体激发用气体之后，控制等离子体产生装置（39）产生等离子体，使得在基板（W）上进行掺杂，使得密度 注入到待处理的基板（W）中的掺杂剂小于1×10 13原子/ cm 2。

公开(公告)号：KR1020140019803A

公开(公告)日：2014-02-17

申请号：KR1020137027536

申请日：2012-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카고우지 ,  우에다히로카즈

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01L21/316 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/318

Abstract: 성막 방법은, 피처리 기판상에, 제1 원료 가스를 공급하여, 피처리 기판상에 제1 원료 가스에 의해 흡착되는 제1 화학 흡착층을 형성하는 제1 원료 가스 공급 공정(A)과, 제1 화학 흡착층이 형성된 피처리 기판상에, 제1 원료 가스와는 상이한 제2 원료 가스를 공급하여, 제1 화학 흡착층상에 제2 원료 가스에 의해 흡착되는 제2 화학 흡착층을 형성하는 제2 원료 가스 공급 공정(C)과, 마이크로파 플라즈마를 이용하여, 적어도 제1 및 제2 화학 흡착층에 대하여, 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 공정(E)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120059557A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020127006982

申请日：2010-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오사와유스케 ,  호리고메마사히로

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/66181

Abstract: 성막 방법은, 우선, 보지대(34) 상에 반도체 소자의 기초가 되는 피처리 기판(W)을 보지시킨다. 이어서, 피처리 기판(W) 상에 성막 가스를 흡착시킨다(도 6의 (A)). 이 후, 잉여로 흡착된 성막 가스를 제거하기 위하여 처리 용기(32) 내의 배기를 행한다(도 6의 (B)). 배기 후, 마이크로파에 의한 플라즈마 처리를 행한다(도 6의 (C)). 플라즈마 처리가 종료된 후, 미반응의 반응 가스 등을 제거하기 위하여 처리 용기(32) 내를 배기한다(도 6의 (D)). 이 단계(A ~ D)의 일련의 흐름을 원하는 막 두께가 될 때까지 반복한다.

公开(公告)号：KR101147920B1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：KR1020107023086

申请日：2009-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  다나카요시노부 ,  오사와유스케 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31612

Abstract: 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스가 플라즈마 처리 장치(1)의 챔버(2) 내로 공급된다. 마이크로파가 챔버(2) 내로 공급되고, 마이크로파에 의해 발생된 플라즈마를 이용하여 피처리체 기판 상에 실리콘 산화막이 형성된다. 희가스의 분압비는 실리콘 화합물 가스, 산화 가스, 및 희가스의 전체 가스압의 10% 이상이며, 실리콘 화합물 가스와 산화 가스의 유효 흐름비(산화 가스/실리콘 화합물 가스)는 3 이상 11 이하이다.

公开(公告)号：KR101076469B1

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：KR1020097007085

申请日：2007-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  호리고메마사히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/31608

Abstract: 성막률을높게유지하고, 또한, 막두께의면 내균일성도높게유지할수 있는플라즈마성막장치를제공한다. 이와같은플라즈마성막장치는, 진공배기가능하게이루어진처리용기(44)와, 피처리체(W)를재치하기위한재치대(46)와, 천장부에장착되어마이크로파를투과하는유전체로이루어진천판(88)과, 성막용의원료가스와지원가스를포함하는처리가스를도입하는가스도입수단(54)과, 마이크로파를도입하기위하여천판측에설치된평면안테나부재를갖는마이크로파도입수단(92)을갖는다. 가스도입수단은, 피처리체의중앙부의상방에위치된원료가스용의중앙부가스분사홀(112A)과, 피처리체의주변부의상방에그 원주방향을따라배열된원료가스용의복수의주변부가스분사홀(114A)을갖는다. 피처리체의상방이며, 중앙부가스분사홀(112A)과주변부가스분사홀(114A)과의사이에, 그원주방향을따라플라즈마를차폐하기위한플라즈마차폐부(130)가설치되어있다.

公开(公告)号：KR1020110111487A

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：KR1020117019101

申请日：2009-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오사와유스케 ,  다나카요시노부

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833

Abstract: 실리콘 산화막의 성막 방법은 피처리 기판(W)을 보지(保持)하는 보지대(34)의 표면 온도를 300℃ 이하로 유지한 상태로 실리콘 화합물 가스, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W)에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 산화성 가스 및 희가스를 처리 용기(32) 내로 공급하고, 처리 용기(32) 내에 마이크로파 플라즈마를 생성하여 피처리 기판(W) 상에 형성된 실리콘 산화막을 플라즈마 처리하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100009654A

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：KR1020097026788

申请日：2008-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 우에다히로카즈 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키 ,  테라모토아키노부 ,  오오미타다히로

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116

Abstract: A semiconductor device manufacturing method includes a step of forming a semiconductor element on a semiconductor substrate, and a step of forming a film on the semiconductor element by a CVD process. In the CVD process, microwaves are used as a plasma source, and microwave plasma, which has a plasma electron temperature of 1.5eV or below and a plasma electron density of 1×10cmor higher in the vicinity of the surface of the semiconductor substrate, is used.

Abstract translation: 半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成半导体元件的步骤，以及通过CVD工艺在半导体元件上形成膜的步骤。 在CVD工艺中，使用微波作为等离子体源，在半导体基板的表面附近具有等离子体电子温度为1.5eV以下且等离子体电子密度为1×10cm以上的微波等离子体为 用过的。