公开(公告)号：KR1020160132775A

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：KR1020160057074

申请日：2016-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈타니노부타카 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/32 ,  C23C18/34 ,  C23C18/38 ,  C23C18/50 ,  C23C18/54 ,  C25D3/38 ,  C25D7/123 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53238

Abstract: 알칼리성이며또한착화제를포함하는무전해도금액을이용하여알루미늄또는그 합금으로이루어지는 Al층상에무전해도금을실시한다. 도금처리방법은, 표면(예를들면 TSV(12)의저부표면)에알루미늄또는알루미늄합금으로이루어지는 Al층(22)이노출되어있는기판(10)을준비하는공정과, 이후, 기판에대하여진케이트처리를실시하여, Al층의표면에진케이트피막(30)을형성하는공정과, 이후, 알칼리성이며또한착화제를포함하는무전해도금액(예를들면 Co계도금액)을이용하여, Al층의표면에제 1 무전해도금층(예를들면 Co 배리어층(14a))을형성하는제 1 무전해도금공정을구비한다.

Abstract translation: 在由铝或铝合金制成的Al层上进行化学镀处理，使用碱性且含有络合剂的无电镀液。 电镀方法包括制备具有暴露由铝或铝合金制成的Al层22的表面（例如，TSV 12的底表面）的基板10; 通过在基板上进行锌酸盐处理，在Al层的表面上形成锌酸盐膜30; 以及碱性并含有络合剂的化学镀液（例如Co系电镀液）在Al层的表面上形成第一非电解镀层（例如Co阻挡层14a）。

公开(公告)号：KR101639628B1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：KR1020137010818

申请日：2011-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키 ,  토시마타카유키

IPC: C23C18/31 ,  C23C18/16

CPC classification number: B05D7/50 ,  B05B12/04 ,  B05B12/14 ,  B05D1/02 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/31 ,  C23C18/54 ,  C25D17/001

Abstract: 본발명은, 기판(2)의표면으로도금처리액을공급하여도금처리를행하는도금처리장치(1)이다. 도금처리장치(1)는, 기판(2)을회전보지하는기판회전보지수단(25)과, 기판(2)의표면으로조성이상이한복수종류의도금처리액을공급하는복수의도금처리액공급수단(29, 30)과, 기판(2)으로부터비산한도금처리액을종류마다배출하는도금처리액배출수단(31)과, 기판회전보지수단(25), 복수의도금처리액공급수단(29, 30) 및도금처리액배출수단(31)을제어하는제어수단(32)을가진다. 기판(2)을회전보지한상태인채로상이한도금처리액을기판(2)의표면으로차례로공급하여기판(2)의표면에순차적으로복수의도금처리를실시한다.

Abstract translation: 电镀装置1可以通过将电镀液供给到基板2的表面来进行电镀处理。电镀装置1包括：基板旋转保持器，其被构造成保持和旋转基板2; 电镀液供给单元29,30，被配置为向基板2的表面供给不同种类的电镀液; 电镀液排出单元31，其被配置为根据电镀液的种类排出从基板2分散的镀液; 以及控制器32，被配置为控制基板旋转保持器25，电镀液供给单元29和30，电镀液排出单元31.在保持基板2并旋转的同时，在基板2的表面上进行电镀处理 依次通过将不同种类的电镀液体供给到基板2的表面上。

公开(公告)号：KR101637170B1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：KR1020137009122

申请日：2011-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: C23C18/31 ,  C23C18/16 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/6723 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/168 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288

Abstract: 도금액의품질열화를방지할수 있는액처리장치, 액처리방법을제공하는것이다. 이액처리장치는, 복수의기판에연속하여도금처리를실시하는액처리장치로서, 도금액을수용하는온도조절용용기와, 온도조절용용기에수용된도금액의온도를제어하는온도제어부와, 기판을 1 매씩소정위치에보지하는보지부와, 온도조절용용기에수용되고온도제어된도금액을, 보지부에의해보지된기판의처리면에토출하는공급홀을가지는노즐과, 온도조절용용기에수용되고온도제어된도금액을, 노즐의공급홀을향해송출하는송출기구와, 송출기구가도금액을송출하는타이밍을제어하는공급제어부를구비하고, 온도제어부는, 송출기구가도금액을송출하는타이밍에기초하여, 온도조절용용기에수용된도금액의온도를제어하는액처리장치이다.

公开(公告)号：KR1020160078882A

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020150180254

申请日：2015-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타미츠아키 ,  타나까타카시

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/481 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C25D5/022 ,  C25D7/123 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판표면의배선층외방에위치하는배리어층및 시드층을에칭처리에의해용이하게제거한다. 기판(2)의표면및 오목부(2a) 내면에배리어층(23) 및시드층(24)으로이루어지는메탈층(25)을형성하고, 이메탈층상에레지스트패턴을형성한다. 이어서, 레지스트패턴(26)의개구(26a)로부터도금액을공급하여오목부(2a) 내에배선층(27)을형성하고, 기판(2)의표면상의메탈층(25)을에칭에의해제거한다. 메탈층(25)은무전해도금처리에의해형성되어있다.

Abstract translation: 通过蚀刻处理容易地去除位于基板表面的布线的外侧的阻挡层和种子层。 形成在基板（2）的表面和凹部（2a）的内表面上的阻挡层（23）和种子层（24）的金属层。 在金属层上形成抗蚀剂图案。 并且，从开口（26a）从抗蚀剂图案（26）供给电镀液。 在凹部（2a）中形成有配线层（27）。 通过蚀刻去除衬底（2）表面上的金属层（26）。 金属层（26）通过无电解电镀工艺形成。

公开(公告)号：KR1020160037800A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：KR1020150136405

申请日：2015-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티

Inventor： 신구하라쇼소 ,  오타고헤이 ,  이와시타미츠아키 ,  미즈타니노부타카

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/288

CPC classification number: H05K3/422 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0017 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/247 ,  H05K3/421 ,  H05K2201/035 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/073

Abstract: 절연막에대한하지확산배리어금속막과무전해구리도금막의밀착성을향상시킨다. 배선구조체의제조방법은, 절연막(1) 상에구리에대하여비금속을포함하는하지확산배리어금속막(5)을형성하는공정과, 하지확산배리어금속막(5) 상에구리치환도금액을이용하여무전해구리치환도금을실시함으로써무전해구리도금막(6)을형성하는공정을구비한다. 구리치환도금액은구리이온을환원하기위한환원제는포함하지않고, 구리이온을포함하는 pH1 ~ pH4의산성의구리치환도금액이다.

Abstract translation: 可以提高相对于绝缘膜的底层扩散阻挡金属膜和化学镀铜膜的粘附性。 制造布线结构的方法包括：在绝缘膜（1）上形成包括相对于铜的基底金属的下面的扩散阻挡金属膜（5）的工艺; 以及通过使用铜取代电镀液进行无电解铜取代电镀工艺，在下面的扩散阻挡金属膜（5）上形成化学镀铜膜（6）的工序。 铜取代电镀液是pH1〜pH4的酸性铜取代电镀液，含有铜离子，而不含有还原铜离子的还原剂。

公开(公告)号：KR101572746B1

公开(公告)日：2015-11-27

申请号：KR1020137031389

申请日：2012-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  유겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  이와시타미츠아키 ,  도시마다카유키 ,  하야시히데카즈 ,  사토요헤이 ,  오쿠치히사시 ,  도미타히로시

IPC: H01L21/302

Abstract: [과제] 기판의패턴내에들어간건조방지용의액체를비교적짧은시간에제거할수 있는기판처리방법등을제공한다. [해결수단] 표면에요철패턴이형성되고, 그오목부내에들어가도록상기패턴을덮는건조방지용의액체가부착된기판(W)을처리용기(31)내에반입하며, 이어서, 기판(W)을가열하고, 가압용의기체또는고압상태의유체를처리용기(31)내에공급하여, 패턴붕괴를야기하는정도까지건조방지용의액체가기화하기전에이 처리용기(31)내에고압분위기를형성하며, 상기패턴의오목부내에들어간상태그대로건조방지용의액체를고압상태로한 후, 처리용기(31)내의유체를고압상태또는기체상태로배출한다.

公开(公告)号：KR1020140033135A

公开(公告)日：2014-03-17

申请号：KR1020137033422

申请日：2012-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유이치로 ,  타나까타카시 ,  구로다오사무 ,  이와시타미츠아키 ,  사이토유스케

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/31

CPC classification number: B05C11/1039 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/165 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/1683 ,  C23C18/32

Abstract: 도금액 중의 암모니아 성분의 농도를 일정하게 유지하여 도금액을 순환하여 사용할 수 있는 도금 처리 장치를 제공한다. 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 기구(110)와, 기판(2)으로 도금액(35)을 공급하는 도금액 공급 기구(30)를 구비하고 있다. 이 중 도금액 공급 기구(30)는, 기판(2)으로 공급되는 도금액(35)을 저류하는 공급 탱크(31)와, 도금액(35)을 기판(2)에 토출하는 토출 노즐(32)과, 공급 탱크(31)의 도금액(35)을 토출 노즐(32)로 공급하는 도금액 공급관(33)을 가지고 있다. 또한 공급 탱크(31)에는, 암모니아 가스 저류부(170)가 접속되고, 공급 탱크(31)에 저류된 도금액(35) 중의 암모니아 성분의 농도를 목적의 농도 범위로 유지한다.

公开(公告)号：KR1020140030218A

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：KR1020137031389

申请日：2012-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  유겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  이와시타미츠아키 ,  도시마다카유키 ,  하야시히데카즈 ,  사토요헤이 ,  오쿠치히사시 ,  도미타히로시

IPC: H01L21/302

Abstract: [과제] 기판의 패턴내에 들어간 건조 방지용의 액체를 비교적 짧은 시간에 제거할 수 있는 기판 처리 방법 등을 제공한다. [해결수단] 표면에 요철 패턴이 형성되고, 그 오목부내에 들어가도록 상기 패턴을 덮는 건조 방지용의 액체가 부착된 기판(W)을 처리 용기(31)내에 반입하며, 이어서, 기판(W)을 가열하고, 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 처리 용기(31)내에 공급하여, 패턴 붕괴를 야기하는 정도까지 건조 방지용의 액체가 기화하기 전에 이 처리 용기(31)내에 고압 분위기를 형성하며, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 한 후, 처리 용기(31)내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출한다.

公开(公告)号：KR1020130140126A

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020137019573

申请日：2012-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키 ,  토시마타카유키

IPC: C23C18/31

CPC classification number: B05C5/001 ,  B05D1/02 ,  C23C18/1614 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/168 ,  C25D17/001 ,  G03F7/162 ,  H01L21/288 ,  H01L21/67017

Abstract: 도금액을 효율적으로 가열하는 도금 처리 방법을 제공한다. 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 기구(110)와, 기판(2)으로 도금액(35)을 공급하는 도금액 공급 기구(30)를 구비하고 있다. 이 중 도금액 공급 기구(30)는, 기판(2)으로 공급되는 도금액(35)을 저류하는 공급 탱크(31)와, 도금액(35)을 기판(2)에 토출하는 토출 노즐(32)과, 공급 탱크(31)의 도금액(35)을 토출 노즐(32)로 공급하는 도금액 공급관(33)을 가지고 있다. 또한, 도금액 공급 기구(30)의 공급 탱크(31) 또는 도금액 공급관(33) 중 적어도 어느 일방에, 도금액(35)을 제 1 온도로 가열하는 제 1 가열 기구(50)가 장착되어 있다. 또한, 제 1 가열 기구(50)보다 토출 노즐(32)측에서, 도금액 공급관(33)에, 도금액(35)을 제 1 온도보다 고온인 제 2 온도로 가열하는 제 2 가열 기구(60)가 장착되어 있다.

公开(公告)号：KR1020130139912A

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020137009122

申请日：2011-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: C23C18/31 ,  C23C18/16 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/6723 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/168 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  C23C16/54 ,  C23C18/16 ,  C23C18/31

Abstract: 도금액의 품질 열화를 방지할 수 있는 액처리 장치, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법을 제공하는 것이다. 이 액처리 장치는, 복수의 기판에 연속하여 도금 처리를 실시하는 액처리 장치로서, 도금액을 수용하는 온도 조절용 용기와, 온도 조절용 용기에 수용된 도금액의 온도를 제어하는 온도 제어부와, 기판을 1 매씩 소정 위치에 보지하는 보지부와, 온도 조절용 용기에 수용되고 온도 제어된 도금액을, 보지부에 의해 보지된 기판의 처리면에 토출하는 공급홀을 가지는 노즐과, 온도 조절용 용기에 수용되고 온도 제어된 도금액을, 노즐의 공급홀을 향해 송출하는 송출 기구와, 송출 기구가 도금액을 송출하는 타이밍을 제어하는 공급 제어부를 구비하고, 온도 제어부는, 송출 기구가 도금액을 송출하는 타이밍에 기초하여, 온도 조절용 용기에 수용된 도금액의 온도를 제어하는 액처리 장치이다.