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    플라즈마 처리 장치
    21.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR101926908B1

    公开(公告)日：2018-12-07

    申请号：KR1020150125069

    申请日：2015-09-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히모리신지

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H05H1/34

    Abstract: 플라즈마 생성에 소비되는 고주파의 전계강도 분포를 제어한다.
    고주파의 에너지에 의해 플라즈마를 생성하고, 웨이퍼 W를 플라즈마 처리하는 플라즈마 에칭 장치(10)에 이용되는 전극으로서, 금속에 의해 형성된 기재(105a)와, 기재(105a)의 플라즈마측의 면의 중앙부에 마련되고, 기재(105a)로부터 적어도 일부가 노출하는 제 1 유전체(105b)와, 제 1 유전체(105b)와 플라즈마의 사이에 마련되고, 금속에 의해 소정의 패턴으로 형성된 제 1 저항체(105d)를 갖는다.

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    22.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
    等离子体加工设备和等离子体处理方法

    公开(公告)号：KR1020110014104A

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：KR1020100073806

    申请日：2010-07-30

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히모리신지

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to improve the thickness uniformity of a plasma processing process by finely controlling the state of the plasma processing process. CONSTITUTION: A substrate(W) is contained in a processing chamber. A lower electrode(2) is arranged in the processing chamber. An upper electrode(7a) is arranged in the processing chamber to oppose the lower electrode. First high frequency power source(8a) applies high frequency power with a first frequency to the lower electrode or the upper electrode. Second high frequency power source(8b) applies high frequency power with a second frequency to the lower electrode.

    Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过精细地控制等离子体处理过程的状态来改善等离子体处理工艺的厚度均匀性。 构成：衬底（W）被包含在处理室中。 下部电极（2）布置在处理室中。 上部电极（7a）布置在处理室中以与下部电极相对。 第一高频电源（8a）将第一频率的高频功率施加到下电极或上电极。 第二高频电源（8b）将第二频率的高频功率施加到下电极。

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치용의 전극
    23.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치용의 전극 有权
    等离子体处理装置和电极

    公开(公告)号：KR1020100100712A

    公开(公告)日：2010-09-15

    申请号：KR1020100020152

    申请日：2010-03-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히모리신지 ,  하야시다이스케

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/3255 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for processing plasma and an electrode for the same are provided to control the distribution of a high frequency electric filed intensity for generating plasma by forming a metal resistor between a substrate and a plasma. CONSTITUTION: An object to be process is plasma-processed in a processing container(100). A first electrode(105) and a second electrode are formed in the processing container to be opposite to each other. High frequency power outputs high frequency power into the processing container. A substrate(105a) includes either of the first electrode or the second electrode. A conductive cover(105b) covers the substrate. A metal resistor(105d) is arranged between the substrate and plasma.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于处理等离子体的设备和用于其的电极，用于通过在衬底和等离子体之间形成金属电阻来控制用于产生等离子体的高频电场强度的分布。 构成：待处理的物体在处理容器（100）中进行等离子体处理。 第一电极（105）和第二电极形成在处理容器中以彼此相对。 高频功率将高频功率输出到处理容器中。 衬底（105a）包括第一电极或第二电极中的任一个。 导电盖（105b）覆盖基板。 金属电阻器（105d）布置在衬底和等离子体之间。

    플라즈마 처리 장치
    25.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 有权
    플라즈마처리장치

    公开(公告)号：KR100934512B1

    公开(公告)日：2009-12-29

    申请号：KR1020027013885

    申请日：2001-04-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히모리신지 ,  다카하시도시키 ,  고마츠다쿠미

    IPC: H05H1/34

    CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32532

    Abstract: The present invention provides a plasma processing apparatus having an electrode plate arranging therein, an upper electrode to which a dielectric member or a cavity portion is provided, a dimension or a dielectric constant of which is determined in such a manner that resonance is generated at a frequency of high-frequency power supplied to the center of the back side and an electric field orthogonal to the electrode plate is generated, and a susceptor as a lower electrode so as to be opposed to each other, in order to reduce unevenness of an electric field distribution on the surface of the electrode in a plasma processing using a high-density plasma capable of coping with further refinement.

    Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具有：配置有电极板的电极板;设置有电介质部件或空洞部的上部电极，其尺寸或介电常数决定为使得在 产生提供给背面中心的高频电力的频率和与电极板正交的电场的频率，以及作为下部电极的基座彼此相对，以减少电的不均匀性 在使用能够应对进一步细化的高密度等离子体的等离子体处理中的电极表面上的场分布。 ＆lt;图像＆GT;

    플라즈마 처리 장치용 탑재대 및 플라즈마 처리 장치
    26.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치용 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工装置和等离子体加工装置的装载台

    公开(公告)号：KR100924855B1

    公开(公告)日：2009-11-02

    申请号：KR1020070080166

    申请日：2007-08-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고시이시아키라 ,  히모리신지 ,  마츠야마쇼이치로

    IPC: H01L21/3065

    Abstract: 플라즈마 중의 전계 강도의 면 내 균일성을 향상하고, 기판에 대하여 면 내 균일성이 높은 플라즈마 처리를 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치용 탑재대 및, 이 탑재대를 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
    플라즈마 처리 장치(1)용 탑재대(2)는, 플라즈마 생성용 등의 하부 전극(21)을 겸하는 도전체 부재와, 이 도전체 부재의 상면 중앙부를 덮도록 마련되고, 피처리 기판(웨이퍼 W)을 통하여 플라즈마에 인가하는 고주파 전계를 균일하게 하기 위한 유전체층(22)과, 이 유전체층(22)의 위에 적층되고, 그 사이를 고주파가 통과할 수 있도록 탑재대의 직경 방향으로 서로 이간하여 복수로 분할된 전극막이 매설된 정전 척을 구비하고 있다. 여기서, 상기 유전체층(22)의 바깥쪽 가장자리는, 분할된 전극막(23b, 23d) 사이의 이간 영역(23c)의 안쪽 가장자리의 바로 아래 또는 그보다 바깥쪽에 위치하고, 분할된 전극막(23b, 23d)은 서로 고주파에 대하여 절연되어 있다.

    플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
    27.
    发明授权
    플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 失效
    等离子体处理方法和等离子体处理器

    公开(公告)号：KR100842947B1

    公开(公告)日：2008-07-01

    申请号：KR1020037008581

    申请日：2001-12-20

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고시이시아키라 ,  히모리신지

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642

    Abstract: 플라즈마 처리 장치는 처리용기(11) 내에 서로 평행하게 배치된 한 쌍의 전극(12, 13)을 구비하고, 한쪽의 전극(12) 상에 피처리체(8)를 유지하고, 또한, 당해 전극(12)에 피처리체를 둘러싸는 포커스링(17)이 마련되어 있다. 이 장치의 전극에 고주파 전력을 인가함으로써 한 쌍의 전극간에 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마에 의해서 피처리체를 처리하는 플라즈마 처리 방법은 다음과 같이 행해진다. 우선, 일정한 재료, 치수 및 형상의 포커스링을 이용하여 일정 처리 조건 하에서 플라즈마 처리를 행한다. 다음으로, 이 플라즈마 처리의 결과에 근거하여, 피처리체의 외주측의 처리 레이트가 중심측의 처리 레이트보다도 낮은(높은) 경우에는, 그 정도에 따라서, 포커스링의 임피던스 및/또는 비유전율을 증대(저하)시키도록, 재료, 치수 및 형상 중 적어도 하나를 변경한 새로운 포커스링을 준비한다. 그리고, 준비된 새로운 포커스링을 이용하여 동일 처리 조건 하에서 플라즈마 처리를 행한다.

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치용 전극 및 전극 제조 방법
    28.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치용 전극 및 전극 제조 방법 有权
    等离子体处理装置，等离子体处理装置电极板，电极板制造方法

    公开(公告)号：KR1020050094475A

    公开(公告)日：2005-09-27

    申请号：KR1020057014249

    申请日：2004-02-03

    Applicant: 가부시끼가이샤 오크테크 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오쿠무라가츠야 ,  히모리신지 ,  나가세키가즈야 ,  마츠마루히로키 ,  마츠야마쇼이치로 ,  다카하시도시키

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541

    Abstract: A plasma treating device for applying a plasma treatment to a substrate to be treated (W) includes a depressurizable treatment vessel (10) for receiving the substrate to be treated. A first electrode (12) is disposed in the treatment vessel. Disposed in the treatment vessel is a supply system (62) for supplying a treatment gas. For the formation of a plasma of treatment gas, an electric field forming system (32) for forming a high frequency electric field in the treatment vessel is disposed in the treatment vessel. The main surface of the first electrode (12) is distributively formed with a number of projections (70) projecting toward the space where plasma is produced.

    Abstract translation: 用于将待处理的基板施加等离子体处理的等离子体处理装置（W）包括用于接收被处理基板的可降压处理容器（10）。 第一电极（12）设置在处理容器中。 设置在处理容器中的是用于供给处理气体的供给系统（62）。 为了形成处理气体的等离子体，在处理容器中设置用于在处理容器中形成高频电场的电场形成系统（32）。 第一电极（12）的主表面分布形成有朝向产生等离子体的空间突出的多个突起（70）。

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