公开(公告)号：KR100673015B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020050108694

申请日：2005-11-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정민 ,  한정남 ,  홍창기 ,  심우관 ,  박임수

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L21/31116 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852

Abstract: A semiconductor device with a capacitor and a method of forming the same are provided to minimize the generation of bowing by using an improved process gas containing a main etching gas and a selectivity controlling gas. An etch stop layer(106) and a mold layer(108) are sequentially formed on a substrate(100). A mold electrode hole(110) for exposing a portion of the etch stop layer to the outside is formed on the resultant structure by patterning selectively the mold layer. A contact electrode hole(112) for exposing partially the substrate to the outside is formed through the etch stop layer by performing an isotropic dry etching process on the etch stop layer using a process gas containing a main etching gas and a selectivity controlling gas. A conductive layer is formed along an upper surface of the resultant structure.

Abstract translation: 提供具有电容器的半导体器件及其形成方法，以通过使用包含主蚀刻气体和选择性控制气体的改进的工艺气体来最小化弯曲的产生。 在衬底（100）上依次形成刻蚀停止层（106）和模具层（108）。 通过对成型层进行图案化，在所得到的结构上形成用于将蚀刻停止层的一部分暴露于外部的模具电极孔（110）。 通过使用含有主蚀刻气体和选择性控制气体的处理气体对蚀刻停止层进行各向同性干蚀刻工艺，通过蚀刻停止层，形成用于将衬底部分地暴露于外部的接触电极孔（112）。 沿所得结构的上表面形成导电层。

公开(公告)号：KR100607176B1

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：KR1020040020521

申请日：2004-03-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권두원 ,  고형호 ,  문창섭 ,  심우관 ,  박임수 ,  김유경 ,  한정남

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052

Abstract: 희석 에이.피.엠 수용액(An Aqueous Solution Diluted Ammonia And Peroxide Mixture)을 이용한 반도체 장치의 제조방법들을 제공한다. 이 제조방법들은 실리콘-게르마늄의 합금막을 갖는 단결정 실리콘 기저판에 희석 에이.피.엠 수용액을 사용해서 개별 소자들의 특성을 향상시킬 수 있는 방안을 제시한다. 이를 위해서, 기저판의 주 표면 상에 적어도 일 회의 성장 공정을 통해서 합금막을 형성하고, 상기 성장 공정 후 합금막의 상면에 세정 공정을 실시한다. 이때에, 상기 세정 공정은 희석 APM(Ammonia and Peroxide Mixture) 수용액을 사용해서 실시하는데, 상기 희석 APM 수용액은 수산화 암모늄(NH
4 OH), 과수(H
2 O
2 ) 및 탈 이온수(DI-Water)의 체적 비율을 1: 0.5 ~ 20 : 300 ~ 2000 중의 선택된 비율을 사용해서 형성한다. 이를 통해서, 상기 희석 에이.피.엠 수용액을 이용한 반도체 장치는 실리콘-게르마늄의 합금막에 과도한 식각을 하지 않아서 단결정 실리콘 기저판 상부의 개별 소자들의 특성을 향상시킨다.
실리콘-게르마늄 합금막, 세정 공정, 희석 APM 수용액, 단결정 실리콘 기저판.

公开(公告)号：KR100416590B1

公开(公告)日：2004-02-05

申请号：KR1020010002065

申请日：2001-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박임수 ,  이근택 ,  한용필 ,  하상록

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67115 ,  B08B3/04 ,  B08B7/0071 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: An apparatus for cleaning a semiconductor wafer and method for cleaning a wafer using the same wherein, the apparatus includes a chamber on which a wafer is mounted, a revolving chuck mounted in the chamber for supporting and fixing the wafer, a nozzle for spraying cleaning solution onto the wafer, a cover for covering an upper part of the chamber, and a light source. The cleaning solution, preferably one of ozone water, hydrogen water, or electrolytic-ionized water, may be heated for a short time and used to clean the wafer.

Abstract translation: 一种用于清洁半导体晶片的设备和使用该设备清洁晶片的方法，其中，该设备包括其上安装有晶片的腔室，安装在腔室中用于支撑和固定晶片的旋转卡盘，用于喷射清洁溶液的喷嘴 到晶片上，用于覆盖腔室上部的盖和光源。 清洁溶液，优选臭氧水，氢气水或电解离子水中的一种可以短时间加热并用于清洁晶片。

公开(公告)号：KR1020020060909A

公开(公告)日：2002-07-19

申请号：KR1020010002065

申请日：2001-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박임수 ,  이근택 ,  한용필 ,  하상록

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67115 ,  B08B3/04 ,  B08B7/0071 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for cleaning a semiconductor wafer are provided to reduce the process time and to increase the cleaning power by heating a cleaning solution in a short time, and to clean the wafer without the corrosion of a metal film by using ozone water, hydrogen water or electrolyte ion water as the cleaning solution. CONSTITUTION: The apparatus has a chamber(100) for supplying the wafer(W), a rotatable chuck(102), that is installed in the chamber, for supporting the wafer, a nozzle(104) for injecting a cleaning solution onto the wafer, a cover(106) for covering the chamber, a heating lamp(108) for heating the wafer or the cleaning solution, a cooling water pipe covering the cover, and a contamination preventing plate(110) for protecting the heating lamp from being contaminated by the cleaning solution by placing under the heating lamp in the cover. The heating lamp is an infrared lamp or an ultraviolet lamp.

Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁半导体晶片的设备和方法，以通过在短时间内加热清洁溶液来减少处理时间并提高清洁能力，并且通过使用臭氧来清洁晶片而不会导致金属膜的腐蚀 水，氢水或电解质离子水作为清洗液。 构成：该装置具有用于供应晶片（W）的腔室（100），安装在腔室中的用于支撑晶片的可旋转卡盘（102），用于将清洁溶液注射到晶片上的喷嘴（104） ，用于覆盖室的盖（106），用于加热晶片或清洁溶液的加热灯（108），覆盖盖的冷却水管和用于保护加热灯不被污染的防污染板（110） 通过将清洁溶液放置在盖上的加热灯下方。 加热灯是红外灯或紫外灯。

公开(公告)号：KR1020020000670A

公开(公告)日：2002-01-05

申请号：KR1020000035705

申请日：2000-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광욱 ,  박임수 ,  이근택 ,  권영민 ,  하상록

IPC: C11D7/22

CPC classification number: C04B41/009 ,  C04B41/5315 ,  C04B41/91 ,  C04B2111/00844 ,  C11D7/02 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31111 ,  C04B35/465 ,  C04B35/491

Abstract: PURPOSE: A cleaning solution and a cleaning method using the solution are provided, to remove the damaged layer of a ferroelectric film selectively without the corrosion of an electrode membrane and to improve the lifetime of a cleansing solution. CONSTITUTION: The cleaning solution comprises 0.01-1 wt% of a fluoride; 1-50 wt% of an organic acid containing a carboxylic acid; 0.25-15 wt% of an alkali pH controlling agent; and water. Preferably the fluoride is hydrogen fluoride, Boron fluoride hydroxide or ammonium fluoride; the organic acid is formic acid, acetic acid or citric acid; and the pH controlling agent is ammonium hydroxide, potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide or tetraethylammonium hydroxide. The pH of the cleaning solution is 4.5-6.0. The surface of an exposed ferroelectric film is contacted with the cleansing solution after the annealing and etching processes.

Abstract translation: 目的：提供清洁溶液和使用该溶液的清洗方法，以便在没有电极膜的腐蚀的情况下选择性地除去铁电体膜的损伤层并改善清洁溶液的使用寿命。 构成：清洗溶液含有0.01-1重量％的氟化物; 1-50重量％的含有羧酸的有机酸; 0.25-15重量％碱性pH控制剂; 和水。 氟化物优选为氟化氢，氢氧化硼或氟化铵; 有机酸是甲酸，乙酸或柠檬酸; pH控制剂为氢氧化铵，氢氧化钾，氢氧化四甲基铵或四乙基氢氧化铵。 清洗液的pH值为4.5-6.0。 暴露的铁电体膜的表面在退火和蚀刻工艺之后与清洁溶液接触。

公开(公告)号：KR1020010111063A

公开(公告)日：2001-12-15

申请号：KR1020010064778

申请日：2001-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 ,  장규환 ,  이선정 ,  이근택 ,  박임수 ,  이광욱 ,  이문희

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 소자의 이중 게이트 산화막 형성 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면 산화막을 플라즈마 상태의 수소 가스 및 불소를 포함하는 가스와 화학적으로 반응시킨 후, 어닐링을 실시하여 상기 화학적 반응에 의해 생성된 부산물을 기화시키는 공정을 상기 산화막이 완전히 식각될 때 까지 반복하여 진행하는 단계를 포함함으로써, 산화막의 하부 막질을 손상시키거나 오염시키지 않으면서도 높은 식각 선택비를 갖고 산화막을 패터닝하여 반도체 소자의 이중 게이트 산화막을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010038404A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1019990046365

申请日：1999-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 ,  장규환 ,  이선정 ,  이근택 ,  박임수 ,  이광욱 ,  이문희

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/31116

Abstract: PURPOSE: A method for removing an oxide film and a semiconductor manufacturing apparatus are to remove the oxide film without deteriorating a lower portion of the oxide film. CONSTITUTION: The semiconductor manufacturing apparatus comprises a vacuum chamber(10), a plasma generating unit(44) for supplying a reacting gas in a plasma state, a gas diffuser(50,52), a heater(54) for continuously carrying out an annealing process in same chamber, and a susceptor driving unit for positioning a silicon wafer(14) in the vacuum chamber. The susceptor is positioned on a center of the lower end of the vacuum chamber. The susceptor is moved up and down in the vacuum chamber via an up and down moving shaft(20) by a motor(22). A cooling line(16a) is installed in the susceptor to easily control a temperature of the silicon wafer by supplying a cooling wafer and gas. The gas diffuser includes a gas feed line(50) supplied with a reacting gas from the second and third pipes, and a porous plate(52) connected to an end of the gas feed line for evenly supply the gas into the vacuum chamber.

Abstract translation: 目的：除去氧化膜和半导体制造装置的方法是去除氧化膜，而不会劣化氧化膜的下部。 构成：半导体制造装置包括：真空室（10），用于供给等离子体状态的反应气体的等离子体产生单元（44），气体扩散器（50,52），加热器（54），用于连续地执行等离子体 在相同的腔室中进行退火处理，以及用于将硅晶片（14）定位在真空室中的基座驱动单元。 基座位于真空室下端的中心。 基座通过电动机（22）经由上下移动的轴（20）在真空室中上下移动。 冷却管路（16a）安装在基座中，以通过供应冷却晶片和气体来容易地控制硅晶片的温度。 气体扩散器包括供给来自第二和第三管道的反应气体的气体供给管线（50）和连接到气体供给管线的端部的均匀地供应到真空室中的多孔板（52）。

公开(公告)号：KR1019990081192A

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019980014989

申请日：1998-04-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박임수 ,  이근택

IPC: H01L21/306

Abstract: 오존수를 이용한 반도체 장치의 세정방법이 개시되어 있다. 오존수를 이용하는 세가지 세정방법이 개시되어 있는데, 첫 번째는 오존수만을 이용한 세정방법이고, 두 번째는 오존수와 불산(HF)을 이용한 방법으로서 먼저 오존수로 세정한 다음 불산으로 세정하는 방법이며, 세 번째는 오존과 불산을 함께 사용하여 세정하는 방법이다.
이러한 방법을 이용하면, 오존수을 이용하여 콘택홀내의 유기오염과 금속오염을 제거하고 불산을 이용하여 자연산화막을 제거함으로써 콘택홀 세정효율을 극대화할 수 있을 뿐만 아니라 세정공정에서 절연막이 거의 손상되지 않음으로써 콘택홀 프로화일의 왜곡없이 세정을 완료할 수 있다. 이에 따라, 콘택홀을 채우는 후속 금속배선 형성공정에서 금속 배선이 단절되는 것을 방지할 수도 있다.

公开(公告)号：KR1019980040060A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019960059184

申请日：1996-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광욱 ,  이문희 ,  조용준 ,  박임수

IPC: H01L21/304

Abstract: 세정장치의 일부를 구성하는 스핀건조기(Spin dryer)의 배기방식을 개선한 반도체 장치의 습식세정 스핀건조기에 관하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은, 덮개부를 포함하는 본체부와, 상기 본체부로 유입되는 흡입 공기를 정화하기 위한 헤파필터(hepa filter)와, 모터와 연결되어 회전하면서 와류부를 형성하고 웨이퍼 카세트를 탑재할 수 있는 카세트부와, 상기 카세트부의 하부에 위치하면서 배기부를 형성하는 하부 배기 팬(exhaust fan)과, 상기 하부 배기팬의 하부에 있는 나선형의 배수부와, 상기 본체부의 내부에 원통형으로 새로이 설치되고 카세트부와 수직 방향으로 구성되는 측면 배기팬이 장착된 측면 배기팬 벽(side fanning wall)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 습식세정 스핀건조기를 제공한다. 따라서, 스핀건조기의 본체의 벽면에 측면 배기팬을 장착하여 파티클을 외부로 효과적으로 배출함으로써 웨이퍼 표면에 파티클에 의한 오염문제를 개선할 수 있는 반도체 장치의 습식세정 스핀건조기를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980015751A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960035189

申请日：1996-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 ,  조용준 ,  이광욱 ,  박임수

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 스핀 드라이어에 대해 기재되어 있다. 회전 축을 중심으로 양측의 수평을 유지하기 위해 더미 웨이퍼를 사용하지 않으므로 작업이 단순화되고 더미 웨이퍼로 부터의 파티클 및 각종 오염원이 웨이퍼로 재흡착되는 것을 방지하고 회전 축의 부하(Load)가 줄어들어 설비의 마모 가능성이 최소화되고 설비의 라이프 타임이 향상된다.