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公开(公告)号：KR1020140140839A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130061739
申请日：2013-05-30
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01L23/3737 , H01L21/4882 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , Y10T428/2848 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/00012 , C09J7/38 , C09J7/22 , C09J9/00 , C09J2201/602 , C09J2201/606 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/26 , H01L2021/60015 , H01L2221/68327
Abstract: 본 발명은 열전도성 입자를 포함하고, 반도체 소자를 몰딩하는 보호층 및 상기 보호층 상에 형성된 방열 금속층 사이에 위치하여 상기 보호층과 방열 금속층을 접착시키고, 상기 보호층 및 상기 방열 금속층과의 접착력이 각각 3kgf/25mm
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이상인 방열 접착 필름, 이를 포함하는 반도체 장치 및 상기 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.Abstract translation: 本发明涉及一种用于辐射热量的粘合膜，其包括导热颗粒，其位于模制半导体器件的保护层和形成在保护层上的散热金属层之间，以将保护层和散热金属层 ，并且具有对保护层和散热金属层的粘合力分别为3kgf / 25mm ^ 2或更大的粘合剂，包括其的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020140139212A
公开(公告)日：2014-12-05
申请号：KR1020130059564
申请日：2013-05-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20
Abstract: 본 발명은,
접착제층; 및 상기 접착제층에 접한 점착제층을 포함하며,
상기 점착제층의 ASTM D2979-71에 따라 측정된 자외선 조사 전(A
0 )과 자외선 조사 후(A
1 )의 점착력의 비(A
0 /A
1 )가 11 이상이고,
상기 점착제층의 자외선 조사 후 25 ℃에서의 저장탄성율이 0.5 x 10
6 Pa 내지 5 x 10
8 Pa 범위인, 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.Abstract translation: 本发明包括粘合层; 以及接触粘合剂层的粘合剂层。 根据粘合剂层的ASTM D2979-71，在紫外线辐射（A0）至紫外线辐射后（A1）之前的粘附比（A0 / A1）为11以上。 在粘合剂层的紫外线辐射之后的25℃下的储能模量在0.5×10 -6 Pa至5×10 8 Pa的范围内。
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公开(公告)号：KR1020140129924A
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020130048886
申请日：2013-04-30
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J4/00 , C09J201/00 , C09J7/02 , H01L21/60
CPC classification number: C09J4/00 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J201/00 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , H01L21/67005 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327
Abstract: 본 발명은 산소, 질소, 황 또는 인 원자를 반복적으로 함유하는 올리고머 또는 폴리머 첨가제를 포함하여 금속 이온과 결합되거나, 금속 이온을 산화 또는 환원시켜 금속의 이동도를 현저히 감소시켜, 반도체 공정 중 또는 공정이 끝난 후 반도체 소자의 작동 효율을 극대화시킬 수 있는 반도체용 접착 조성물 및 이를 이용한 접착 필름을 제공하는 것이다.
Abstract translation: 在本发明中提供的是一种半导体粘合剂组合物，其包含反复含有氧，氮，硫或磷原子的低聚物或与金属离子组合的聚合物添加剂，或通过氧化或还原金属显着降低金属的迁移率 离子，以使半导体器件在半导体工艺或工艺之后的工作效率最大化，以及使用该半导体器件的粘合膜。
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公开(公告)号：KR1020140129921A
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020130048883
申请日：2013-04-30
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J4/00 , C09J163/00 , C09J7/02 , H01L21/60
CPC classification number: C09J4/00 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/35 , C09J163/00 , C09J2201/61 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327
Abstract: 본 발명은 반도체용 접착 조성물의 바인더가, 금속 이온 포착 기능기로 시안기를 갖는 제1 모노머, 및 금속 이온 포착 기능기로 카르복실산기, 수산기, 아민기 및 인 함유기 중 어느 하나의 기를 갖는 제2 모노머를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 조성물, 상기 조성물로 형성된 반도체용 접착 필름, 및 상기 반도체용 접착 필름에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体用粘合剂组合物，其特征在于，具有粘合剂，所述粘合剂组合物包含具有氰化物基团的第一单体作为金属离子捕获官能团的半导体用粘合剂组合物，以及第 羧酸基，羟基，胺基和含磷基团的化合物与由该组合物制成的半导体粘合膜，以及通过半导体用粘合膜连接的半导体器件。
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公开(公告)号：KR1020140129558A
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020130047990
申请日：2013-04-30
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , H01L21/60
Abstract: 본 발명은 경화 온도에서 저점도의 유동 특성을 나타내어 경화 시 열 공정에서 보이드 스퀴징 능력이 우수하면서도, 상온에서의 탄성 저하가 방지되어 연신율이 향상된 반도체용 접착 필름에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 반도체용 접착 필름을 이용한 반도체 장치에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体装置用粘合膜，其通过在硬化温度下显示低粘度的流动特性，通过防止室温下的弹性降解，同时在硬化过程中的热处理中具有优异的空隙挤压能力，显示出提高的伸长率。 另外，本发明涉及使用半导体装置用粘接膜的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101455610B1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：KR1020110138245
申请日：2011-12-20
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J133/04 , C08F20/10 , H01L21/58
CPC classification number: C08F20/10 , C08L33/10 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68386 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/27 , H01L21/78 , H01L2224/83 , C08L33/066 , C08L33/14
Abstract: 본원 발명은 아크릴 공중합체를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 히드록시기 함유 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 20 내지 40 중량부로 포함함으로써 링프레임과의 점착력이 우수한 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
또한 본원 발명은 경화 후 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력 및 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하인 점착층을 포함함으로써, 링프레임 탈리에 의한 공정 불량을 방지하고 높은 픽업 성공률을 나타내는 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1020140084829A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120154761
申请日：2012-12-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J133/04 , C09J163/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09J7/35 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J133/04 , C09J163/00 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , H01L21/0201 , H01L21/6836
Abstract: The present invention relates to an adhesive film for semiconductor which has low contents of non-reactive small molecules and high heat resistance, thereby thermal decomposition of compositions at high temperature is inhibited; and has enhanced reliability, thereby being used under high temperature bonding condition. Specifically, the present invention relates to an adhesive film for semiconductor which comprises an acryl binder, an epoxy resin, a phenol resin and poly(phenylene ether), and includes an adhesive layer which has 1% or less of weight reduction rate by thermogravimetric analysis at 300°C; and to a semiconductor device with enhanced reliability using the adhesive film.
Abstract translation: 本发明涉及一种低反应性小分子含量低，耐热性高的半导体用粘合膜，能够抑制高温下的组合物的热分解。 并且具有增强的可靠性，从而在高温接合条件下使用。 具体而言，本发明涉及一种包含丙烯酸粘合剂，环氧树脂，酚醛树脂和聚（苯醚）的半导体用粘合膜，并且包括通过热重分析法具有1重量％以下的重量减少率的粘合剂层 在300℃; 以及使用粘合膜的具有增强的可靠性的半导体器件。
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公开(公告)号：KR1020140058075A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020120124643
申请日：2012-11-06
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , H01L21/60 , C09J133/04
CPC classification number: C09J7/22 , C09J7/30 , C09J133/04 , C09J2201/12 , C09J2203/326 , H01L2021/6006
Abstract: The present invention relates to an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer to prevent damage to a wafer and a wafer bump formation surface and contamination during the grinding process of a bump non-formation surface of the surface of a semiconductor wafer. More specifically, the present invention relates an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer including a base film and an intermediate layer laminated on the base film. The intermediate layer includes an acrylic resin containing an alkyl (meth) acrylate monomer with two or more carbon atoms of an alkyl group. The elongation rate of the base film with laminated intermediate layer is 400 to 900%.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于保护半导体晶片表面的粘合膜，以防止在半导体晶片的表面的凸块非形成表面的研磨过程期间对晶片和晶片凸块形成表面的损坏和污染。 更具体地说，本发明涉及一种用于保护半导体晶片的表面的粘合膜，该半导体晶片包括基膜和层压在基膜上的中间层。 中间层包括含有具有两个或更多个烷基碳原子的（甲基）丙烯酸烷基酯单体的丙烯酸树脂。 具有层压中间层的基膜的伸长率为400〜900％。
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公开(公告)号：KR1020140050793A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：KR1020120117033
申请日：2012-10-22
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J133/04 , C09J11/00 , H01L21/60
CPC classification number: C09J7/385 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J11/00 , C09J133/04 , C09J2201/60 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L2021/60067
Abstract: The present invention relates to an adhesive film including an adhesive layer and a substrate film, and specifically, to an adhesive film for a semiconductor, wherein a ratio (B/A) of an elongation rate of an adhesive film (B) on an elongation rate of a substrate film (A) is 0.7 or less. The thickness of the adhesive layer is 20-40% of the thickness of the substrate film. The adhesive layer contains an isocyanate based hardener. The isocyanate based hardener is an isocyanate trimer.
Abstract translation: 本发明涉及一种粘合剂膜和基材膜，具体地说涉及一种用于半导体的粘合剂膜，其中粘合膜（B）的伸长率与伸长率之比（B / A） 基片（A）的比例为0.7以下。 粘合剂层的厚度为基底膜厚度的20-40％。 粘合剂层含有异氰酸酯类固化剂。 异氰酸酯类固化剂是异氰酸酯三聚体。
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公开(公告)号：KR101374365B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020100136071
申请日：2010-12-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J9/00 , C09J163/00 , C09J133/04 , C09J7/02
CPC classification number: H01L24/29
Abstract: 본 발명의 반도체용 접착 조성물은 125℃에서 60분 경화후 압축강도가 100~1500 gf/mm
2 인 것을 특징으로 한다. 상기 반도체용 접착 조성물은 동종 칩 접착 후 반드시 거쳐야 하는 경화(semi-cure)공정을 단축 및 생략할 수 있는 특성을 지닌다. 상기 반도체용 접착 조성물은 다이 접착 후 와이어 본딩시 최소한의 모듈러스를 확보함으로서, 발포성 보이드를 최소화하고, 다이 접착 후 실시하는 다양한 경화공정 후에도 잔존 경화율을 부여하여 EMC 몰딩시 원활한 보이드 제거를 달성할 수 있다.
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