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公开(公告)号：KR101383918B1
公开(公告)日：2014-04-08
申请号：KR1020130027122
申请日：2013-03-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01J5/02
CPC classification number: G01J5/0853 , G01J1/0219 , G01J5/0285 , G01L21/14
Abstract: The present invention relates to a microbolometer type vacuum sensor and an infrared sensor including the same and, more specifically, to a microbolometer type long-range vacuum sensor capable of accurately measuring a vacuum level in a wide vacuum level range and an infrared sensor including the same. The microbolometer type long-range vacuum sensor according to the present invention includes a substrate, and at least one first cell and at least one second cell which are arranged on the substrate and transfers electrical signals according to vacuum levels to the substrate. The microbolometer type long-range vacuum sensor according to the present invention can accurately measure a vacuum level in a wide range using together the first cell which has improved sensitivity at a low vacuum level and the second cell which has improved sensitivity at a high vacuum level.
Abstract translation: 本发明涉及一种微热辐射热计式真空传感器及其红外线传感器，更具体地说，涉及一种能够精确地测量宽真空度范围内的真空度的微测辐射热计型长距离真空传感器，以及包括 相同。 根据本发明的微温度计型远距离真空传感器包括基板，以及布置在基板上的至少一个第一单元和至少一个第二单元，并且根据真空水平将电信号传送到基板。 根据本发明的微热辐射计型远距离真空传感器可以在较低范围内精确地测量在低真空度下具有改进的灵敏度的第一单元和在高真空度下具有改进的灵敏度的第二单元的宽范围内的真空度 。
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公开(公告)号：KR1020080067168A
公开(公告)日：2008-07-18
申请号：KR1020070004396
申请日：2007-01-15
CPC classification number: H04N5/208 , H03F2200/331 , H04B15/06
Abstract: A broadband receiver is provided to convert a high frequency receiving signal to receive in a mixer into a baseband signal of a high DC(Direct Current) level and suppress the signal of harmonic components to convert into the signal of a low DC level, thereby extracting a baseband signal smoothly clearly. A high frequency front end unit(110) receives a broadband signal. A local oscillator generates a local oscillation signal. An oversampling delta sigma modulator(140) performs the oversampling and delta sigma modulation of the local oscillation signal, and converts the local oscillation signal into a digital signal. A mixer(120,122) mixes the output signal of the high frequency front end unit and the output signal of the oversampling delta sigma modulator to convert a high frequency receiving signal to receive into a baseband signal. A baseband signal processor(160,162) processes the baseband signal converted by the mixer.
Abstract translation: 提供宽带接收机以将高频接收信号转换成混频器中的高直流（直流）电平的基带信号，并抑制谐波分量的信号转换为低直流电平的信号，从而提取 基带信号顺利清晰。 高频前端单元（110）接收宽带信号。 本地振荡器产生本地振荡信号。 过采样ΔΣ调制器（140）执行本地振荡信号的过采样和ΔΣ调制，并将本地振荡信号转换成数字信号。 混频器（120,122）混合高频前端单元的输出信号和过采样ΔΣ调制器的输出信号，以将高频接收信号转换为基带信号。 基带信号处理器（160,162）处理由混频器转换的基带信号。
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公开(公告)号：KR100500579B1
公开(公告)日：2005-07-12
申请号：KR1020030042986
申请日：2003-06-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G11C17/00
CPC classification number: G11C17/16
Abstract: 본 발명은 씨모스 게이트 산화물 안티퓨즈를 이용한 3-트랜지스터 한번 프로그램 가능한 롬에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 제1 입력단, 제2 입력단, 및 제3 입력단을 구비하고, 제1 내지 제3 입력단에 인가되는 전압에 의하여 데이터를 저장할 수 있는 한번 프로그램 가능한 롬 셀에 있어서, 제2 입력단을 형성하는 게이트, 드레인, 및 제1 입력단을 형성하는 소오스를 구비하고, 게이트 및 소오스 간에 입력되는 전압에 의하여 활성화되는 셀 액세스 트랜지스터, 게이트, 드레인, 및 셀 액세스 트랜지스터의 드레인에 접속되는 소오스를 구비하고, 게이트에 인가되는 바이어스 전압에 의하여 드레인으로부터 소오스로 전류를 도통시킴으로써, 제3 입력단에 인가되는 고전압이 셀 액세스 트랜지스터에 직접 인가되는 것을 차단시키는 고전압 차단 트랜지스터, 및 제3 입력단을 형성하는 게이트, 및 서로 접속되어 고전압 차단 트랜지스터의 드레인에 접� ��되는 소오스 및 드레인을 구비하고, 제3 입력단에 고전압이 인가되고, 셀 액세스 트랜지스터가 활성화된 경우 게이트 산화물이 항복되어 단락되는 안티퓨즈 트랜지스터를 포함한다.
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24.发明公开표준 3중 웰 씨모스 공정에서 구현된 수직형 바이폴라정션 트랜지스터를 전류 소오스로 사용하는 회로 失效使用垂直双极性晶体管作为电流源的电路在标准三通道CMOS工艺中改善低频带电压控制振荡器的相位噪声特性
公开(公告)号：KR1020050007755A
公开(公告)日：2005-01-21
申请号：KR1020030047351
申请日：2003-07-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/04
Abstract: PURPOSE: A circuit using a vertical bipolar junction transistor as a current source in a standard triple well CMOS process is provided to improve a phase noise characteristic by forming a bias current source of a voltage controlled oscillator with the vertical bipolar junction transistor. CONSTITUTION: A plurality of negative resistance cells(301,305) are used for generating negative resistance elements of a voltage controlled oscillator. An LC tank is connected among the negative resistance cells and a first power supply in order to change a frequency of an output signal by changing an impedance according to a control voltage. A current source is connected among the negative resistance cells and a second power supply in order to supply a constant current. The current source is formed in a standard triple well CMOS process having a deep n well. An emitter is formed by an n+ source-drain diffusion region a CMOS process. A base is formed by a p well and a p+ source-drain diffusion region. A collector is formed by a deep n well, an n well, and an n+ source-drain diffusion region.
Abstract translation: 目的：提供一种在标准三阱CMOS工艺中使用垂直双极结晶体管作为电流源的电路，通过用垂直双极结型晶体管形成压控振荡器的偏置电流源来提高相位噪声特性。 构成：多个负电阻电池（301,305）用于产生压控振荡器的负电阻元件。 在负电阻单元和第一电源之间连接LC箱，以通过根据控制电压改变阻抗来改变输出信号的频率。 电流源连接在负电阻单元和第二电源之间以提供恒定电流。 电流源在具有深n阱的标准三阱CMOS工艺中形成。 发射极由CMOS工艺的n +源极 - 漏极扩散区域形成。 基极由p阱和p +源极 - 漏极扩散区形成。 集电极由深n阱，n阱和n +源极 - 漏极扩散区形成。
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公开(公告)号：KR100250807B1
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：KR1019980006277
申请日：1998-02-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C15/04
Abstract: PURPOSE: A CAM(Content Addressable Memory) cell structure and a memory functioning as both of a field configurable RAM using a CAM cell and a programmable logic array are provided to control an output data length by changing a memory structure at random. CONSTITUTION: In a RAM including a memory device(27) storing data and a data line(28) and an inverted data line(29) and a word line(24a), the CAM cell structure includes: a matching line(25b) sharing with a word line(25a); the first NMOS(Q10) whose gate is connected with a contact point(N4) through which inverted stored data are inputted/output, and whose one side is connected with the inverted data line; the second NMOS(Q11) whose gate is connected with a contact point(N3) through which the stored data of the memory device is inputted/output, and whose one side is connected with the data line and another side is connected with another side of the first NMOS; the third NMOS(Q12) whose one side is connected with the matching line and a gate is connected with another sides of the first and the second NMOS; and the fourth NMOS(Q13) whose one side is connected with another side of the third NMOS and a gate controls ON/OFF of the CAM and another side is grounded. The memory is constituted with a configurable memory block formed by connecting a number of basic memory blocks and an input/output controller. The basic memory block is constituted with a CAM cell(24) and is connected to an internal connection circuit selectively. And, the configurable memory block is divided into a CAM block performing a multiplication function of a programmable logic array and a RAM block performing a sum function or a general RAM function of the programmable logic array selectively.
Abstract translation: 目的：提供CAM（内容可寻址存储器）单元结构和用作使用CAM单元和可编程逻辑阵列的现场可配置RAM两者的存储器，以通过随机改变存储器结构来控制输出数据长度。 构成：在包括存储数据的存储器件（27）和数据线（28）和反相数据线（29）和字线（24a）的RAM中，CAM单元结构包括：匹配线（25b）共享 用字线（25a）; 第一NMOS（Q10），其栅极与反相存储数据被输入/输出的接触点（N4）连接，并且其一侧与反相数据线连接; 其栅极与存储器件的存储数据被输入/输出的接触点（N3）连接，并且其一侧与数据线连接的另一侧与另一侧连接的第二NMOS（Q11） 第一个NMOS; 第三NMOS（Q12），其一侧与匹配线连接，栅极与第一和第二NMOS的另一侧连接; 和第三NMOS（Q13），其一侧与第三NMOS的另一侧连接，门控制CAM的ON / OFF，另一侧接地。 存储器由通过连接多个基本存储器块和输入/输出控制器形成的可配置存储器块构成。 基本存储器块由CAM单元（24）构成，并且选择性地连接到内部连接电路。 并且，可配置存储器块被分成执行可编程逻辑阵列的乘法函数的CAM块和选择性地执行可编程逻辑阵列的和函数或一般RAM功能的RAM块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960014939A
公开(公告)日：1996-05-22
申请号：KR1019940025687
申请日：1994-10-07
Abstract: 본 발명은 자체진단 기능을 구비한 대칭질량형 가속도계 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에어백, 능동현가, 항법시스템 등 자동차용 전장시스템이나 변위, 속도, 진동, 가속도 및 각 가속도 측정을 위한 가전, 산업용 진자계측시스템 구성에 사용할 목적으로 동일크기의 질량체를 보(beam)의 양면에 각각 배치하여 없앰으로써 횡방향 감도(cross-axis sensitivity)를 향상시킴과 동시에, 양쪽 질량체간의 상대위치를 조절함으로써 자체진단(self-diagnosis)용 구조물의 설치가 가능하게끔 고안한 대칭질량형 가속도계 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101595772B1
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020140112594
申请日：2014-08-27
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 자기장집속장치및 방법을개시한다. 본실시예의일 측면에의하면, 복수의송신코일을포함하는자기장집속장치에있어서, 상기자기장집속장치는특정집속점에자기장을집속시키는자기장발생부; 및상기자기장발생부에전압을공급하는전압공급부를포함하되, 상기자기장발생부는복수의송신코일모듈을포함하고, 상기전압공급부는상기복수의송신코일모듈각각에독립적으로전압을공급하는것을특징으로하는자기장집속장치를제공한다.
Abstract translation: 公开了一种磁场聚焦装置及其方法。 根据实施例的一个方面，磁场聚焦装置包括多个发射线圈。 磁场聚焦装置包括：磁场产生单元，其将磁场聚焦在特定聚焦点上; 以及向磁场产生单元提供电压的电压供给单元。 磁场产生单元包括多个发射线圈模块。 电压供应单元独立地向多个发送线圈模块中的每一个提供电压。 因此，器件可以通过使用高度集成的发射线圈阵列，高精度地聚焦在随机3D位置上的磁场。
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公开(公告)号：KR101563475B1
公开(公告)日：2015-10-26
申请号：KR1020130117912
申请日：2013-10-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의적외선검출기는적외선을감지하여전류신호를출력하는마이크로볼로미터셀이 N개의열 및 M개의행 (N X M, 여기서 N 및 M은 2 이상의정수) 형태로배열된셀 어레이; 및상기전류신호를입력받아적분하는적분기를포함하는, 적분회로를포함하며, 상기 N개의열 중하나의열에포함된적어도 2개의마이크로볼로미터셀로부터상기전류신호가동시에읽기될수 있고, 상기동시에읽기되는상기전류신호는서로다른적분기를통해서읽기될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150101713A
公开(公告)日：2015-09-04
申请号：KR1020140023336
申请日：2014-02-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01J1/02
CPC classification number: G01J5/10 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/068
Abstract: 본 발명의 적외선 검출기는 적외선을 감지하여 전류 신호를 출력하는 마이크로 볼로미터 액티브 셀; 및 상기 마이크로 볼로미터 액티브 셀과 구조 및 전기적 특성이 동일한 웜 셀을 복수 개 연결 포함하여, 상기 마이크로 볼로미터 액티브 셀의 전기적 저항값 및 평균 자기 발열양과 동일한 전기적 저항값 및 평균 자기 발열양을 가지며, 상기 마이크로 볼로미터 액티브 셀에 대한 기준 전류 신호를 생성하는 기준 셀을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的红外检测器包括：用于检测红外线并输出电流信号的微测热计活性单元; 以及包括多个暖电池的参考电池，其彼此连接并且具有与微测热器活性单元相同的结构和电特性，具有与电阻值和平均自热值相同的电阻值和平均自热值， 微辐射热计活性单元，并且相对于微测热计活性单元产生参考电流。
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公开(公告)号：KR1020150049344A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020130129779
申请日：2013-10-30
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , B81C1/00269 , B81B7/0032 , B81B7/02 , B81C1/00317 , B81C2203/0109 , B81C2203/0181 , B81C2203/033 , G01J1/0204 , G01J5/0853 , H01L23/02
Abstract: 본발명의멤즈소자의진공패키징방법은윈도우리드상에게터및 본딩물질을형성하는단계를포함하여상기윈도우리드를준비하는단계; 패키지기판상에멤즈소자를실장하는단계를포함하여상기패키지기판을준비하는단계; 및상기멤즈소자가상기윈도우리드를마주하도록, 상기윈도우리드를상기멤즈소자가실장된상기패키지기판에접착하는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明，一种用于真空包装MEMS器件的方法包括以下步骤：制备窗口引线，其包括在窗口引线上形成吸气剂和接合材料的步骤; 制备包括将MEMS器件安装在封装衬底上的步骤的封装衬底; 以及将所述窗口导线接合到所述封装衬底，其中所述MEMS器件被安装以使得所述MEMS器件能够面对所述窗口引线。
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