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公开(公告)号：KR1019950007484B1
公开(公告)日：1995-07-11
申请号：KR1019910007292
申请日：1991-05-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/26
Abstract: The method comprises the steps of; vapor-depositing fluoride thin film (2) on the semiconductor substrate (1); inspecting an electron beam on the fluoride thin film (2) using accelerating energy of 1-500 KeV and dosing amount of 0.1-10 coulomb/cm2; resolving fluoride component to form a metal film (3); vapor- depositing a protecting film (4) on the metal thin film (3); and diffusing impurity into the semiconductor substrate (1) by heat treatment.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤： 在半导体衬底（1）上蒸镀氟化物薄膜（2）; 使用1-500KeV的加速能量和0.1-10库伦/ cm2的给料量检查氟化物薄膜（2）上的电子束; 分解氟化物成分以形成金属膜（3）; 在金属薄膜（3）上蒸镀保护膜（4）; 并通过热处理将杂质扩散到半导体衬底（1）中。
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公开(公告)号：KR1019930022586A
公开(公告)日：1993-11-24
申请号：KR1019920006000
申请日：1992-04-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 Aharonov-Bohm 효과를 응용한 실리콘 양자간섭 트랜지스터(silicon quantum interference transistor)의 제조방법에 관한 것으로, 0.1㎛폭의 소자를 제조하는데 요구되는 다층 레지스트를 사용하는 대신 단층 레지스트와 SiO
2 박막 식각공정을 이용하여 보다 간단히 오버행(overhang)구조를 형성하고, 아신(AsH
3 )가스 분위기에서 고온으로 열처리하여 전기 전도도를 증가시키며, 게이트 금속 단자면을 전자의 한쪽 통로 위에 소자의 성장면과 평행하게 올려놓음으로써 게이트 밑을 통과하는 전자가 정전압을 받도록 하여 게이트 전압의 요동에 의해 효과를 줄이고 낮은 게이트 임계전압 및 높은 상호 콘덕턴스(transconductance)를 갖도록 하는 것이 특징이다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100171009B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950047433
申请日：1995-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01C19/00
CPC classification number: G01C19/56 , G01P15/0802
Abstract: 본 발명은 원판 진동형 마이크로 자이로스코프 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마이크로 자이로스코프는, 원판형 진동체(2)를 지지하기 위한 지지대(3); 상부 구동전극(4)과의 정전력에 의해 가진되어 회전시 공진주파수를 2개의 서로 다른 근접한 주파수로 천이시키기 위한 원판형 진동체(2); 원판형 진동체(2)와의 정전용량 변화에 의해 자이로스코의 회전 각속도를 검출하기 위한 하부 검출전극(5); 및 상기한 원판형 진동체(2)를 구동시키기 위한 상부 구동전극(4)을 포함한다.
또한, 본 발명의 마이크로 자이로스코프 제조방법은, 실리콘 기판(1) 상에 절연층(6)을 증착시키고, P형 또는 N형 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 전기한 절연층(6) 위에 증착시키고, 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 소정 부분을 제외한 나머지 부분을 제거하여 신호검출을 위한 하부 검출전극(5)을 형성하는 공정; 하부 희생층(8)으로서 상기 공정에서 얻어진 구조의 전 표면에 산화막을 PECVD법에 의해 증착하고, 하부 검출전극(5) 간의 절연층(6)이 노출되도록 하부 희생층(8)을 건식 식각에 의해 형성하는 공정; 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 하부 희생층(8) 상에 증착하고, 지지대(3) 및 원판형 진동체(2)를 제외한 부분을 건식 식각하는 공정; 산화막의 하부 희생층(8)을 PECVD법에 의해 상기한 지지대(3) 및 원판형 진동체(2) 상에 증착하고 공정; 패턴을 형성하고 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 상부 희생층(7) 상에 증착하는 공정; 및, 상기한 상부 희생층(7) 및 하부 희생층(8)을 습식 식각하는 공정을 포함한다.-
公开(公告)号：KR100160918B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950052682
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 랫칭형 자기력 구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판의 바닥면에 습식 식각에서 마스크로 사용하기 위한 열산화막과 질화막을 순차적으로 형성한 후, 구조체 형태로 건식 식각하는 제1단계와; 상기 제1단계의 수행 후, 비등방성 용액으로 십 ㎛ 정도로 습식 식각을 하고 상기 구조체 부분의 절연을 위해 산화막을 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 마이크로 릴레이의 전극을 만들기 위해 얇은 금속층을 입힌 후, 전기도금으로 후막의 전극을 형성하고, 건식 식각으로 나머지 얇은 금속층을 제거하는 제3단계와; 상기 제3단계의 전기도금 방법으로 코일을 형성한 다음, 폴리이미드를 덮은 후 패턴을 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계의 수행 후, 상기 구조 위에 자기코아와 희생층을 각각 올린 후, 패턴을 형성하는 제5단계와; 상기 자기 코아의 절연과 저장고의 제작을 위해 폴리이미드를 올리고 상기 희생층 제거를 위한 구멍을 제작한 후, 자기 코아의 전극을 전기도금으로 제작하고 상기 희생층을 제거하여 틈을 만드는 제6단계와; 상기 제6단계의 수행 후, 실리콘 기판 뒷면의 질화막과 산화막을 건식 식각한 후 비등방성 습식 식각을 이용하여 수은 주입구를 제작하는 제7단계와; 상기 제7단계의 수행 후, 밀봉과 절연을 위해 폴리이미드를 올리고 코일을 제작한 후, 릴레이 구조체에 압력을 이용하여 수은을 주입한 다음 글라스를 실리콘 기판에 자외선 접착제로 밀봉하는 제8단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 MHz에서 반복 스위칭 동작과 함께 액체 접점으로 인해 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR100160913B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950053673
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 표면 마이크로 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면 또는 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판에 절연을 위한 산화막 및 질화막을 순차적으로 올린 후, 수은 주입구 부분의 산화막과 질화막을 건식식각으로 제거하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 상부에 수 ㎛ 이상의 후막 산화막을 올린 후, 히터와 신호전극 등을 갖는 릴레이 구조체 형태로 후막 산화막을 건식식각하고 후막의 전해 및 무전해 도금으로 신호의 배선을 제작하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 산화막 희생층과 습식식각 선택비가 큰 폴리 실리콘을 증착하고, 그 위에 수은주입구 식각시 웨이퍼 전면의 보호 및 완벽한 구조체 밀폐를 위해 수 ㎛ 후막의 산화막을 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후, 수은 주입 구멍을 만들기 위해 웨이퍼 뒷면의 질화막, 산화막을 건식식각한 후 비등방성 용액으로 수백 ㎛ 이상을 습식식각하고, 희생층을 습식 용액으로 제거하여 수은 주입구를 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계에서 형성된 수은 주입구를 이용하여 액체 접점인 수은을 주입하고 글라스를 이용하여 자외선 접착제로 본딩하여 웨이퍼 뒷면을 밀봉하는 제5단계를 포함하여 이루어지며, 고온의 아노딕 본딩을 사용하지 않아 배선 금속의 산화를 막을 수 있으므로 접점의 저 저항을 이룰 수 있고, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이의 구성을 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR100160912B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950053676
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 정전구동 마이크로 릴레이 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본원 발명은 기판(10)상의 소정영역에 일부분이 단속되어 종방향으로 형성된 하부 접촉전극(12)과, 상기 하부 접촉전극(12)의 양측에 각각 형성되어 있는 하부 구동전극(13,14)과, 상기 하부 접촉전극(12)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 아래로 굴곡진 제1오목부(17)가 형성되어 있고 상기 하부 구동전극(13,14)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 각각 아래로 굴곡진 제2오목부(18,19)가 형성되어 있으며 하부 접촉전극(12)과 하부 구동전극(13,14)사이에 소정의 공간이 형성되도록 소정의 높이에 브릿지형상으로 형성되어 있는 브릿지 몸체(21)와, 상기 하부 접촉전극(12)과 대면하는 브릿지 몸체(21)의 제1오목부의 배면에 형성되어 있는 상부 접촉전극(20)� ��, 상기 브릿지 몸체(21)의 전면에 형성되어 있는 상부 구동전극(20)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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