公开(公告)号：KR1020090065271A

公开(公告)日：2009-06-22

申请号：KR1020070132757

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  유민기 ,  조두희 ,  신재헌 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618

Abstract: A transparent electronic device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a manufacturing process and a manufacturing cost by forming simultaneously a p-type channel and an n-type channel. A buffer layer(120) is formed on an upper surface of a substrate. The buffer layer is made of an oxide layer or a nitride layer in order to form easily a crystalline thin film. A source(150) and a drain(160) are formed on an upper part of the buffer layer. A channel layer is formed between the source and the drain. A hard mask layer(140) is formed on an upper part of the channel layer. A transparent electrode(170) is formed on an upper part of the source and the drain. A gate is formed at an upper part of the transparent electrode.

Abstract translation: 提供透明电子器件及其制造方法，以同时形成p型沟道和n型沟道来减少制造工艺和制造成本。 在衬底的上表面上形成缓冲层（120）。 缓冲层由氧化物层或氮化物层制成，以便容易地形成结晶薄膜。 源极（150）和漏极（160）形成在缓冲层的上部。 在源极和漏极之间形成沟道层。 在沟道层的上部形成有硬掩模层（140）。 在源极和漏极的上部形成透明电极（170）。 在透明电极的上部形成栅极。

公开(公告)号：KR1020090065269A

公开(公告)日：2009-06-22

申请号：KR1020070132753

申请日：2007-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  양신혁 ,  박상희 ,  신재헌 ,  유민기 ,  황치선 ,  조경익 ,  추혜용

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: A transparent thin film transistor having a polymer protection layer and a manufacturing method thereof are provided to prevent a change of characteristics caused by external environment and to prevent a change of characteristics of an active layer caused by a low-temperature process. A gate electrode(122) is formed on an upper surface of a substrate. A gate insulating layer(120) is formed on an upper surface of the gate electrode. A semiconductor active layer(130) is formed on an upper surface of the gate insulating layer. A source electrode and a drain electrode are formed at both ends of the semiconductor active layer, respectively. A protective layer of the polymer material is formed to cover the semiconductor active layer, the source electrode, and the drain electrode.

Abstract translation: 提供具有聚合物保护层的透明薄膜晶体管及其制造方法，以防止由外部环境引起的特性变化，并防止由低温处理引起的活性层特性的变化。 栅极电极（122）形成在基板的上表面上。 栅极绝缘层（120）形成在栅电极的上表面上。 半导体有源层（130）形成在栅极绝缘层的上表面上。 分别在半导体活性层的两端形成源电极和漏电极。 形成聚合物材料的保护层以覆盖半导体有源层，源电极和漏电极。

公开(公告)号：KR1020090047889A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：KR1020070113970

申请日：2007-11-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유민기 ,  추혜용 ,  황치선 ,  박상희 ,  정우석 ,  신재헌 ,  조경익

IPC: H04N13/00 ,  H04W4/02

CPC classification number: G06T19/006 ,  G01S19/03 ,  G06F3/015 ,  H04N13/332

Abstract: 본 발명은 증강 현실 구현 방법에 관한 것으로, 투명 전자 소자를 이용하여 복잡한 광학적 구조가 필요 없는 증강 현실 구현 장치를 제공한다.
이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 전자 소자를 이용한 증강 현실 구현 방법은, (a) 사용자의 현재 위치를 인식하는 단계; (b) 상기 인식된 사용자의 현재 위치 정보를 위치에 따른 영상 데이터를 저장하는 서버로 출력하고, 상기 현재 위치 정보에 대응하여 상기 서버로부터 출력되는 영상 데이터를 수신하는 단계; (c) 사용자가 바라보는 방향을 인식하는 단계; 및 (d) 상기 인식된 방향 정보를 기반으로 상기 수신된 영상 데이터 중 상기 사용자에게 표시할 부분 영상 데이터를 외부로부터 입력되는 빛을 투과시키는 투명 전자 소자로 구성된 화면에 출력하는 단계를 포함한다.
그럼으로써, 복잡한 광학적 구조가 없는 증강 현실 구현 장치를 제공하는 이점이 있다.
증강 현실, 투명 디스플레이, 투명 전자 소자

公开(公告)号：KR1020080052182A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020070043802

申请日：2007-05-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍종철 ,  신재헌 ,  김경현 ,  허철 ,  성건용

IPC: G02B5/26 ,  G02B5/18

CPC classification number: G02B5/26 ,  G01N21/7743 ,  G02F2201/307

Abstract: A guided mode resonance filter and a biosensor using the same are provided to obtain a resonant spectrum having high symmetry and a sharp shape by using a material having a low refractive index. A guided mode resonance filter includes a substrate(110) and a grating layer(120). The substrate has a first refractive index. The grating layer is formed on the substrate as having a second refractive index larger than the first refractive index. The first refractive index is 1.24 to 1.38. The substrate is composed of one or more elements selected from a group including a polymer resin obtained by polymerizing MgF2, PTFE(Poly Tetra Fluoro Ethylene), and PMMA(Poly Methyl Methacrylate), and a monomer, a first polymer material, a second polymer material, a third polymer material.

Abstract translation: 提供了一种导模谐振滤波器和使用其的生物传感器，以通过使用具有低折射率的材料来获得具有高对称性和尖锐形状的共振光谱。 导模谐振滤波器包括基板（110）和光栅层（120）。 基板具有第一折射率。 光栅层形成在基板上，具有大于第一折射率的第二折射率。 第一折射率为1.24〜1.38。 基板由选自包含通过聚合MgF 2，PTFE（聚四氟乙烯）和PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）获得的聚合物树脂）的组中的一种或多种元素组成，单体，第一聚合物材料，第二聚合物 材料，第三种聚合物材料。

公开(公告)号：KR1020080043199A

公开(公告)日：2008-05-16

申请号：KR1020070036581

申请日：2007-04-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 허철 ,  신재헌 ,  김경현 ,  홍종철 ,  성건용

IPC: H05B33/14 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L33/34 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/346 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A micro-sized semiconductor light-emitting diode having an emitting layer including silicon nano-dots, a semiconductor light-emitting diode array, and a fabrication method thereof are provided to improve light-emitting efficiency by forming a light-emitting layer with a thin film including silicon nano-dots. A light-emitting layer(106) is formed on an upper surface of a silicon substrate(100). The light-emitting layer includes silicon nano-dots. A hole injection layer(104) and an electron injection layer(110) are formed opposite to each other between the light-emitting layers. A transparent conductive electrode layer(112) is formed on the electron injection layer. A first electrode(108) and a second electrode(118) are formed on the hole injection layer and the transparent conductive electrode layer to inject electrons. The light-emitting layer is composed of an amorphous silicon nitride.

Abstract translation: 提供一种具有包括硅纳米点的发光层，半导体发光二极管阵列及其制造方法的微型半导体发光二极管，其通过形成具有薄的发光层的发光层来提高发光效率 膜包括硅纳米点。 在硅衬底（100）的上表面上形成发光层（106）。 发光层包括硅纳米点。 在发光层之间彼此相对地形成空穴注入层（104）和电子注入层（110）。 在电子注入层上形成透明导电电极层（112）。 在空穴注入层和透明导电电极层上形成第一电极（108）和第二电极（118），以注入电子。 发光层由非晶氮化硅构成。

公开(公告)号：KR1020070083377A

公开(公告)日：2007-08-24

申请号：KR1020060016665

申请日：2006-02-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 허철 ,  박래만 ,  신재헌 ,  김경현 ,  김태엽 ,  조관식 ,  성건용

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774

Abstract: A semiconductor light emitting device using silicon nano dots is provided to improve contact force and an electrical characteristic between an electron injection layer and a transparent conductive electrode by forming a metal layer including a metal nano dot between the electron injection layer and the transparent conductive electrode. A light emitting layer(20) emits light. A hole injection layer(10) is formed in the light emitting layer. An electron injection layer(30) is formed in the light emitting layer to confront the hole injection layer. A metal layer(40) includes metal nano dots formed in the electron injection layer. A transparent conductive electrode(50) is formed in the metal layer. The light emitting layer can include an amorphous silicon nitride including silicon nano dots.

Abstract translation: 提供使用硅纳米点的半导体发光器件，通过在电子注入层和透明导电电极之间形成包括金属纳米点的金属层，来提高电子注入层和透明导电电极之间的接触力和电特性。 发光层（20）发光。 在发光层中形成空穴注入层（10）。 在发光层中形成电子注入层（30），以面对空穴注入层。 金属层（40）包括在电子注入层中形成的金属纳米点。 在金属层中形成透明导电电极（50）。 发光层可以包括包含硅纳米点的非晶氮化硅。

公开(公告)号：KR100503427B1

公开(公告)日：2005-07-22

申请号：KR1020030075228

申请日：2003-10-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  장문규 ,  김약연 ,  이성재

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명의 나노크기의 반도체소자의 전극제조방법에 의하면, 실리콘기판, 매몰절연막 및 실리콘막이 순차적으로 적층된 구조물을 마련하고, 이어서 실리콘막을 패터닝하여 매몰절연막의 일부 표면만을 덮는 실리콘막패턴을 형성한다. 다음에 실리콘막패턴 및 매몰절연막의 노출표면 위에 절연막을 형성하고, 그 절연막 위에 실리콘막패턴과 교차하는 바 형태의 마스크막패턴을 형성한다. 다음에 그 마스크막패턴을 식각마스크로 한 식각공정으로 절연막의 일부를 제거하여 실리콘막패턴의 일부표면을 노출시키는 절연막패턴을 형성한다. 다음에 마스크막패턴을 제거하고 전면에 금속막을 형성한다. 다음에 금속막과 실리콘막패턴이 접하는 부분에 금속실리사이드막을 형성하고,나머지 부분에 남아있는 금속막을 제거한다. 그리고 절연막패턴 및 실리콘막패턴을 순차적으로 제거하여 금속실리사이드막을 상호 이격되도록 하여 각각 제1 전극 및 제2 전극으로 사용한다.

公开(公告)号：KR1020050040165A

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：KR1020030075228

申请日：2003-10-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  장문규 ,  김약연 ,  이성재

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명의 나노크기의 반도체소자의 전극제조방법에 의하면, 실리콘기판, 매몰절연막 및 실리콘막이 순차적으로 적층된 구조물을 마련하고, 이어서 실리콘막을 패터닝하여 매몰절연막의 일부 표면만을 덮는 실리콘막패턴을 형성한다. 다음에 실리콘막패턴 및 매몰절연막의 노출표면 위에 절연막을 형성하고, 그 절연막 위에 실리콘막패턴과 교차하는 바 형태의 마스크막패턴을 형성한다. 다음에 그 마스크막패턴을 식각마스크로 한 식각공정으로 절연막의 일부를 제거하여 실리콘막패턴의 일부표면을 노출시키는 절연막패턴을 형성한다. 다음에 마스크막패턴을 제거하고 전면에 금속막을 형성한다. 다음에 금속막과 실리콘막패턴이 접하는 부분에 금속실리사이드막을 형성하고,나머지 부분에 남아있는 금속막을 제거한다. 그리고 절연막패턴 및 실리콘막패턴을 순차적으로 제거하여 금속실리사이드막을 상호 이격되도록 하여 각각 제1 전극 및 제2 전극으로 사용한다.

公开(公告)号：KR100484490B1

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：KR1020020069588

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  신재헌 ,  한원석 ,  송현우 ,  김종희 ,  한일영

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 1.3 ~ 1.55 ㎛ 대역의 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 및 그 제작방법에 관한 것이다. 종래 수직 공진 표면방출 레이저의 전류 감금 구조를 형성하기 위해 취해진 여러 방법은 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 제작방법으로 적용하기에는 문제가 있다. 본 발명에서는 전류 감금 구조와 그 형성방법을 개선하여 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 및 그 제작방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 가벼운 이온의 저에너지 주입과 터널 접합층의 복합적 사용을 통한 새로운 전류 감금 구조를 제시한다. 저에너지 이온주입은 표면 가까이에 저항이 큰 층을 형성할 수 있어서, 기존의 고에너지 이온주입과 달리 최소 전류 주입 직경을 아주 작게 만들 수 있고 소자의 저항을 크게 줄일 수 있어 열 발생을 감소시킨다. 터널 접합층의 사용으로, 전하 운반자에 의한 광손실 저항을 줄여주므로 효과적으로 소자의 전기적 특성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR1020010048135A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990052687

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  백종협

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A reactive ion etching method of a compound semiconductor is provided to reduce optical loss by forming a smooth etching surface, and to improve productivity in manufacturing an optical device by having etch rate which is not too slow. CONSTITUTION: Photoresist or silicon nitride is formed as an etching mask on a multilayered thin film of a compound semiconductor. The multilayered thin film of the compound semiconductor is etched in mixture gas plasma of BCl3, Cl2, CH4 and H2 by a reactive ion etching(RIE) method.

Abstract translation: 目的：提供化合物半导体的反应离子蚀刻方法，通过形成平滑的蚀刻表面来减少光学损耗，并且通过具有不太慢的蚀刻速率来提高制造光学器件的生产率。 构成：在化合物半导体的多层薄膜上形成光刻胶或氮化硅作为蚀刻掩模。 通过反应离子蚀刻（RIE）方法在BCl 3，Cl 2，CH 4和H 2的混合气体等离子体中蚀刻化合物半导体的多层薄膜。