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公开(公告)号：KR100170594B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960017848
申请日：1996-05-25
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G03F7/70691 , G21K1/10
Abstract: 본 발명은 마스크용 글래스 링 구조에 관한 것으로서, 종래 글래스 링 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 종래의 글래스 링의 기능 및 역할을 크게 저하시키지 않으면서도 글래스 링과 실리콘 웨이퍼 뒷면과의 접촉면적을 적절히 축소 조절하여, 멤브레인의 편평도 및 OPD(Out-of-Plane Distortion)/IPD(In-Plane Distortion) 특성을 크게 개선시킬 수 있도록 한 것이다.
그 글래스 링의 구조는 실리콘 웨이퍼 뒷면과 접착부위 면적을 달리하기 위하여 실리콘 웨이퍼 외경 보다 작은 임의의 크기의 외경 및 이에 상응하는 임의의 내경 크기를 갖고서 마스크를 지지하도록 구성된 것이다.
또 다른 글래스 링의 구조는 여러 구조물 또는 여러 조각으로 구성할 수가 있고, 또한 글래스 링 표면에 글래스 링과 웨이퍼 뒷면과의 접촉면적을 고의로 축소하기 위해 소정 형태의 돌기들을 형성할 수 있는 구조로 된 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970048993A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950053651
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 높은 광투과 정렬창을 갖는 X-선 브랭크마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술의 X-선 마스크용 투과막은 광투과도가 낮고, 층간정렬도가 떨어졌던 문제점을 해결하기 위해 X-마스크에서 정렬광이 투과하는 부위는 광투과도가 우수한 멤브레인 물질을, X-선 노광에 의한 소산이 없는 멤브레인 물질을 하나의 웨이퍼에 형성한 구조로서, 정렬창의 멤브레인으로 Si
3 N
4 을, 칩부위의 멤브레인은 Si
3 N
4 /poly-Si/Si
3 N
4 을 사용하고, 또한 정렬창의 멤브레인으로 Si
3 N
4 /SiO
2 을 사용하고, 칩부위의 멤브레인은 Si
3 N
4 /poly-Si/Si
3 N
4 을 사용하는 것이다.-
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公开(公告)号：KR1019950021023A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026317
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：KR100388490B1
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1019990022660
申请日：1999-06-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: An off-axial aperture with a fly's eye lens and a fabricating method thereof are provided to pass a larger quantity of light through the off-axial aperture, thereby increasing a throughput and facilely fabricating the aperture. CONSTITUTION: The device comprises a light shielding area formed at a center portion; a light penetrating area formed around the light shielding area and comprised of a fly's eye lens. The aperture further comprises a partial light penetrating area formed at a portion except the light shielding area and the light penetrating area and having a lower permeability than that of the light penetrating area. In the aperture, the light penetrating area formed into a quadruple, hexapole or annular type. A method of fabricating the off-axial aperture comprises the steps of: forming a light shielding pattern on an entire surface of a transparent substrate(100); forming the first resist pattern having a curved surface at a fly's eye lens area of the substrate; and performing an etching process to form the fly's eye lens on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种具有蝇眼透镜的离轴孔径及其制造方法，以使较大量的光通过离轴孔径，从而增加产量并便于制造孔径。 构成：该装置包括形成在中心部分的遮光区域; 在遮光区域周围形成的由蝇眼透镜构成的透光区域。 该孔还包括形成在除遮光区域和透光区域之外的部分处并且具有比透光区域的导磁率低的导磁率的部分光穿透区域。 在光圈中，透光区域形成四极，六极或环形类型。 一种制造离轴孔径的方法包括以下步骤：在透明基板（100）的整个表面上形成光屏蔽图案; 在基板的蝇眼透镜区域形成具有曲面的第一抗蚀剂图案; 并执行蚀刻工艺以在基板上形成蝇眼透镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010058252A
公开(公告)日：2001-07-05
申请号：KR1019990062468
申请日：1999-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a compound semiconductor device is provided to stably manufacture an asymmetric T-shape gate electrode having a great aspect ratio and a fine gate width. CONSTITUTION: A method for manufacturing a compound semiconductor device sequentially stacks a GaAs buffer layer(13), an InGaAs channel layer(14), a spacer layer(15), a Si-delta doping layer(16), an AlGaAs Schottky layer(17), an undoping AlAs etch stop layer(18), an n-GaAs ohmic layer(19), an n+AlGaAs etch stop layer(20) and an n+GaAs ohmic layer(21) on a semi-insulating GaAs substrate(12). The n+GaAs ohmic layer is selectively etched to form the first recess. A nitride film and resistant-heat metal are sequentially formed on the resulting structure. Portions of the resistant-heat metal and the nitride film are selectively dry-etched. Portions of the resistant-heat metal and the nitride film are selectively dry-etched to form a nitride film pattern having a T shape. The remaining resistant-heat metal is removed to form a T shape insulating film pattern. The n+AlGaAs etch stop layer and the n-GaAs ohmic layer are sequentially etched using the T shape insulating film pattern as an etch mask to form the second recess. A smooth insulating film sidewall having an embossed inclination is formed within the second recess. The undoping AlAs etch stop layer is dry-etched using the insulating film sidewall as a mask to complete the foot of the T shape gate pattern. Photoresist is selectively deposited to form the head of the T shape gate pattern in an asymmetric shape, thus completing the T shape gate pattern. A gate metal is deposited on the completed T shape gate pattern to form an asymmetric T shape gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种制造化合物半导体器件的方法，以稳定地制造具有大的纵横比和精细的栅极宽度的不对称的T形栅电极。 构成：制造化合物半导体器件的方法顺序堆叠GaAs缓冲层（13），InGaAs沟道层（14），间隔层（15），Si-δ掺杂层（16），AlGaAs肖特基层 17），在半绝缘GaAs衬底上的非掺杂AlAs蚀刻停止层（18），n-GaAs欧姆层（19），n + AlGaAs蚀刻停止层（20）和n + GaAs欧姆层（21） （12）。 选择性地蚀刻n + GaAs欧姆层以形成第一凹槽。 在所得结构上依次形成氮化物膜和耐热金属。 选择性地干蚀刻部分耐热金属和氮化物膜。 选择性地干蚀刻耐电加热金属和氮化物膜的部分以形成具有T形状的氮化物膜图案。 剩余的耐热金属被去除以形成T形绝缘膜图案。 使用T形绝缘膜图案作为蚀刻掩模，依次蚀刻n + AlGaAs蚀刻停止层和n-GaAs欧姆层，以形成第二凹槽。 在第二凹部内形成具有压花倾斜的平滑绝缘膜侧壁。 使用绝缘膜侧壁作为掩模对未掺杂的AlAs蚀刻停止层进行干蚀刻，以完成T形栅极图案的底脚。 选择性地沉积光致抗蚀剂以形成不对称形状的T形栅极图案的头部，从而完成T形栅极图案。 栅极金属沉积在完成的T形栅极图案上以形成不对称的T形栅电极。
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公开(公告)号：KR100293910B1
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990013748
申请日：1999-04-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/20
Abstract: 1.청구범위에기재된발명이속한기술분야엑시머레이저를광원으로사용하는반도체노광장비용광학계에있어, 초점심도를확장한광학계구성에관한것으로, 본발명은광원인 ArF 엑시머레이저와조명광학계후단에제 1 렌즈군, 반사경(folding mirror), 제 2 렌즈군, 편광광 분할기, 1/4 파장평판 ,구면반사경, 제 3 렌즈군으로구성된광학계에복굴절물질로제작된광학부품을내장한다. 복굴절물질로광학부품을제작하여광학계를구성하는광학부품으로서광학계내에설치하면입사한빛의편광방향에따라서굴절률에차이가나타나게되어빛이지나가게되는경로가달라지게되고, 그결과광학계의광축방향을따라상을맺는위치가달라지게되어일정한범위에서연속적으로상을맺게함으로써원하는해상도의상을얻을수 초점심도를확장시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR100270583B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019980021700
申请日：1998-06-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 미세패턴 형성장비의 반사굴절 광학계에 사용되는 편극 영향 제거판에 관한 것이다.
종래의 경우에는 웨이퍼면에 도달하는 빛의 선편광된 편극을 없애주기 위하여 이상 광선과 정상 광선 사이의 위상차를 90도 발생시켜 원편광을 만들어주는 1/4 파장판을 사용하거나, 원하는 방향의 편극을 만들어 주기 위하여 위상을 180도 발생시키는 1/2 파장판을 사용하였다. 그런데, 이러한 파장판은 사용 파장과 물질의 굴절률에 의해서 결정되는 두께로 정확히 가공해야 하므로 제작이 어렵다. 또한, 파장판의 가공을 쉽게 하기 위해서 차수를 높이면 두께가 두꺼워져서 입사각이 커지면 효율이 떨어지는 단점이 있다.
본 발명에서는 편극 영향 제거판을 통과하면 입사각에 따른 편극이 제각기 달라져 불규칙하게 되는 것을 이용하여 프리즘과 상면(웨이퍼) 사이에 편극 영향 제거판을 위치시켜 선편광된 광의 편극 영향을 제거하므로써 패턴의 모양에 따른 선폭 변화가 없도록 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020000065445A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990011744
申请日：1999-04-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A mask structure for forming a field emission display(FED) tip is provided to form a fine pattern having a regular arrangement, by having patterns of 90 degree phase adjustment material perpendicular to each other or intersecting each other by an arbitrary angle, so that a phase adjustment of 90, 180 or 0 degree is made. CONSTITUTION: In a mask structure for patterning a fine hole for a field emission display(FED) tip by a contact or approach exposure method, phase adjustment materials of 90 degree are perpendicular to each other without chrome on a mask field. An FED tip pattern is formed which has a single layer portion of 90 degree phase adjustment material, an intersected portion of two layers and a portion having no phase adjustment material, so that a phase adjustment of 90, 180 or 0 degree is possible in the mask field. An alignment mark portion on the mask is composed of 180 degree phase adjustment material.
Abstract translation: 目的：提供用于形成场致发射显示（FED）尖端的掩模结构，以形成具有规则布置的精细图案，通过使90度相位调整材料的图案彼此垂直或彼此相交任意角度，因此 进行90度，180度或0度的相位调整。 构成：在通过接触或接近曝光方法对场发射显示（FED）尖端图案化细孔的掩模结构中，90度的相位调整材料在掩模场上不具有铬。 形成FED尖端图案，其具有90度相位调整材料的单层部分，两层的相交部分和不具有相位调整材料的部分，使得在90度，180度或0度的相位调整可以在 掩码字段。 掩模上的对准标记部分由180度相位调整材料组成。
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公开(公告)号：KR1019990052160A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071609
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 균일한 폭을 가지는 금속막의 패터닝 방법을 제공한다.
본 발명은 단차를 가지는 금속배선 형성용 금속막상에 반사방지막으로서 산화막과 금속막을 적층하고, 금속막상에 포토레지스트를 도포한 상태에서 노광공정을 수행하여, 포토 레지스트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 금속막을 패터닝한다.
본 발명은 금속막상에 반사 방지막을 형성하고 포토리소그래피 공정을 수행하는 것에 의해 균일한 폭을 가지는 금속배선을 형성할 수 있다.
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