Abstract:
본 발명은 SOI 기판 위에 구현된 NMOS 소자, PMOS 소자 및 SiGe BiCMOS 소자 및 그 제조 방법으로써, Si 기반의 초고속 소자를 제조함에 있어, SOI 기판상에 SiGe HBT와 CMOS를 탑재하되, 콜렉터는 베이스의 측방에 배치한 HBT를 탑재하고, 특히 CMOS에서 소오스/드레인을 SiGe 및 금속등을 사용함으로써 누설전류를 방지하여 저전력화 하고, 칩내부의 발열을 억제하며, 저전압에서 넓은 회로동작영역의 확보를 가능하게 함을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선택적 결정 성장법을 이용하여 도파로형 광검출기의 광흡수층 두께를 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터층 두께보다 두껍게 성장함과 아울러 반절연 InP 기판 상부에 도파로형 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 단일 칩으로 집적화함으로써, 광전변환 효율이 높고 초고속 특성을 갖는 도파로형 광검출기를 간단하게 구현할 수 있도록 한 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 밀리미터파 무선 전송 시스템의 기지국에서 밀리미터파의 발진 주파수 신호원으로 사용될 것으로 예측되고 있는 밀리미터파 대역 주파수 광 발진기에 관한 것으로, 구현이 용이하면서도 변조 주파수 영역을 보다 넓힐 수 있는 변조 주파수 가변형 광 발진기를 제공하는 데 그 목적이 있다. 본 발명에서 제시하는 광 발진기는 단방향 링형 광섬유 레이저 공진기에 파장 가변형 광섬유 격자 거울 한 쌍을 삽입하여 선형 레이저 공진기를 내부적으로 추가 구성함으로써 두 개의 안정된 레이저 공진기에서 이중 모드의 레이저가 발진할 수 있도록 한 이중 공진기 구조이다. 이중 모드 사이의 맥놀이 현상에 의해 입력 레이저 광이 초고주파수(60 GHz 이상)로 변조된다. 레이저 모드의 편광 의존도를 이용하여 편광 조절기에 의해 공진기 내에서의 이득의 변화를 유도하고, 광섬유 격자 거울의 반사광의 파장을 변화시킴으로써 변조 주파수를 60 GHz에서부터 80 GHz로 연속적으로 변화시킬 수 있다.
Abstract:
A modulated frequency-tunable light oscillator is provided to increase an oscillation frequency to be higher than 60GHz by connecting a wavelength coupler with a loop mirror via a 50% coupler. A wavelength coupler receives a pump light with a preset wavelength. A loop mirror is connected to one side of the wavelength coupler. An optical fiber amplifier is connected to the other side of the wavelength coupler. A coupler is connected to the optical fiber amplifier to output an amplified light. A pair of fiber grating mirrors are connected to the coupler. The light from the optical fiber amplifier is reflected with different reflection factors at the loop mirror, and is inputted to the fiber grating mirrors via the optical fiber amplifier. The fiber grating mirrors reflect lights with different wavelength ranges to constitute a dual laser mode resonator.
Abstract:
본 발명은 초고주파 전력 증폭기에 관한 것으로, 전력소자, 전력소자의 게이트 및 드레인 바이어스 회로, 전력소자의 게이트와 입력포트 사이에 연결된 RC 병렬회로, 전력소자의 게이트와 접지사이에 연결된 션트 저항, 및 저항과 캐패시터가 직렬로 연결되며 전력소자와 병렬로 연결된 부궤환 회로를 포함하는 구동 증폭단과, 구동 증폭단에 직렬로 연결된 중간단 정합회로 및 전력 분배기 및 전력 결합기를 이용해 병렬로 연결된 전력소자들, 전력소자들의 게이트 및 드레인 바이어스 회로, 전력소자들의 게이트와 중간단 정합회로 사이에 연결된 RC 병렬회로, 및 전력소자들의 게이트와 접지사이에 연결된 션트 저항을 포함하는 전력 증폭단을 포함한다. 따라서, 기존의 피드백회로만을 이용했을 경우보다 저주파수대역에서의 원하지 않는 이득특성과 입력반사손실 특성을 우수하게 설계할 수 있고, 저주파수대역에서의 발진가능성을 완벽하게 차단 할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A high brightness field emission display is provided to achieve improved field emission characteristics by lowering the drive voltage of field emitter and lengthening the scanning time. CONSTITUTION: A field emission display comprises pixels arranged into a matrix shape on a glass substrate. Each of pixels includes a ferroelectric transistor(200) formed on the glass substrate; and a thin film type field emitter(100) formed in the vicinity of the ferroelectric transistor. The ferroelectric transistor includes a band type gate; a ferroelectric film formed on the gate; a floating gate formed in parallel with the gate; an amorphous silicon channel formed by inserting an insulation film on the floating gate; a source and a drain formed on the amorphous silicon channel; and a source electrode and a drain electrode for connecting the source and the drain to an external terminal.
Abstract:
PURPOSE: A transistor of a semiconductor device is provided to increase the area of a gate and expand a depletion layer occupied by the gate by forming a gate electrode in a gate region wherein the gate electrode has a structure of a phi-type sectional structure and a meander-type planar structure. CONSTITUTION: A source electrode(502a) and a drain electrode(502b) of predetermined patterns come in ohmic contact with the upper portion of a semiconductor substrate(501). A phi-type gate electrode(504) is formed between the source electrode and the drain electrode. The gate electrode is made of a Schottky electrode.
Abstract:
PURPOSE: A modulation frequency variable optical oscillator by using an optical fiber grating mirror is provided to implement a high frequency optical oscillator capable of continuously varying the modulation frequency of the laser within 60 GHz - 80 GHz by adjusting the wavelength of the reflected light from the wavelength variable optical fiber grating mirror. CONSTITUTION: A modulation frequency variable optical oscillator by using an optical fiber grating mirror is characterized in that a linear laser oscillator(120) is additionally added to inside of the laser resonator(100) by installing a pair of optical fiber grating mirrors(110a,110b) capable of varying the wavelength of the reflected light, thereby inducing the beat frequency between two laser modes generated from the laser resonator(100) and the linear laser oscillator(120) and continuously changing the modulation frequency by modulating the wavelength of the reflected light of the optical fiber grating mirrors(110a,110b).
Abstract:
PURPOSE: An optical recording head using a birefringent material is provided to increase depth of focus more than depth of focus formed by one focus, thereby easily controlling a focus without increasing the accuracy of a focus servo. CONSTITUTION: A solid immersion lens(204) is provided. A laser diode(201) generates an incident beam to be projected to the solid immersion lens. A polarizing beam splitter(202) is installed between the laser diode and the solid immersion lens. A photo diode(206) forms bits on a storage medium(205) through a birefringent optical element(209), a condenser(203), and the solid immersion lens. The photo diode detects a bit signal and a focus control signal through a signal light. A focus of a vertical polarized light(210) and a focus of a horizontal polarized light(211) are formed at different positions on an optical axis(201a), so that depth of focus is increased.
Abstract:
PURPOSE: A micro near-field optical data storage head using an SIL(Solid Immersion Lens) is provided to use the SIL for a big size lens, and to use diffraction elements for the rest parts, thereby minimizing the size. CONSTITUTION: An optical waveguide(201) has a plane shape. At least more than one condensing diffraction grating(203) is attached to one of both sides of the optical waveguide, and changes a path of an incident light(202) to an SIL(205). More than one optical division diffraction grating(210) is located between a light source and the condensing diffraction grating, and changes a path of a signal light(209). The SIL is composed of a curved part and a plane part, and concentrates the incident light on one point of the plane part. A coil(206) is attached to an option position of an optical storage head, and generates a magnetic field. The curved part of the SIL is formed on a sphere, hemisphere, or super-hemisphere, to make the incident light diffracted by the condensing diffraction grating form an optical point less than diffraction limits.