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公开(公告)号:KR1020160015037A
公开(公告)日:2016-02-12
申请号:KR1020140097453
申请日:2014-07-30
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는란탄족금속전구체에관한것으로, 상기란탄족금속전구체는열적으로안정하므로양질의란탄족금속박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, M은란탄족금속이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R은 H이거나, C1-C4의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的镧系元素金属前体,其由热稳定化并可形成高质量的镧系元素金属薄膜。 在化学式1中,M是镧系金属; R_1和R_2分别表示C1至C10的直链或支链烷基和分别为烷基氟的基团; R_3是H,C1至C10的直链或支链烷基或烷基氟基; 且R_4和4_5各自表示C1至C10的直链或支链型烷基。 根据本发明,可以在低温下获得镧系元素金属薄膜的优良品质。
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23.
公开(公告)号:KR1020150105021A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:KR1020140027158
申请日:2014-03-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 4족 전이금속 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 4족 전이금속 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R
1 은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R
2 , R
3 은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기고, R
4 및 R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1表示的IV族过渡金属前体。第IV族过渡金属前体是热稳定的并且具有优异的挥发性以形成具有良好质量的IV族过渡金属前体。 在化学式1中,M是Ti,Zr或Hf,R1是C1-C10的直链烷基或支链烷基或C1-C10的直链氟代烷基或支链氟代烷基或C6的芳族烃 -C12,R2和R3分别表示H或C1-C10的直链烷基或支链烷基或C1-C19的直链氟代烷基或支链氟代烷基,R4和R5分别表示直链烷基或 C1-C10的支链烷基。
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公开(公告)号:KR1020170037102A
公开(公告)日:2017-04-04
申请号:KR1020150136231
申请日:2015-09-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은전이금속함유전구체, 이의제조방법및 이를이용하여박막을제조하는방법에관한것으로, 본발명에따른전이금속함유전구체는열적안정성과휘발성이개선되어낮은온도에서도쉽게양질의코발트산화물또는망간산화물을포함하는박막의제조가가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及含有过渡金属的前体,其制备方法以及使用该前体制备薄膜的方法,其中根据本发明的含过渡金属的前体具有改进的热稳定性和挥发性, 可以制造含有氧化物的薄膜。
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公开(公告)号:KR101636491B1
公开(公告)日:2016-07-05
申请号:KR1020140086145
申请日:2014-07-09
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성과휘발성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]상기 R내지 R은각각독립적으로수소또는탄소수 1 내지 4의선형또는분지형의알킬기이다.
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29.
公开(公告)号:KR101572086B1
公开(公告)日:2015-11-26
申请号:KR1020140027158
申请日:2014-03-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는 4족금속전구체에관한것으로, 상기 4족전이금속전구체는열적으로안정하고휘발성이좋으므로양질의 4족전이금속박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R은 C1-C10의선형또는분지형알킬기, C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기, 또는 C6-C12의방향족탄화수소이며, R, R은각각독립적으로 H이거나 C1-C10의선형또는분지형알킬기, 또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기고, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)
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