公开(公告)号：DE112018005615B4

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：DE112018005615

申请日：2018-11-26

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  TANG JIANSHI ,  LI NING

IPC: H01L27/146 ,  C01B32/182 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0328

Abstract: Vertikal integrierter multispektraler bildgebender Sensor, der aufweist:eine erste Metallkontaktschicht (31), die auf einem Substrat (30) angeordnet ist;eine SiO2-Schicht (32), die auf der ersten Metallkontaktschicht (31) angeordnet ist, wobei ein erstes Detektorelement (39) in einem Loch in dieser eingebettet ist;eine erste Graphen-Schicht (37), die das erste Detektorelement (39) bedeckt;eine zweite Metallkontaktschicht (34), die auf der SiO2-Schicht (32) auf einer Seite der ersten Graphen-Schicht (37) angeordnet ist, wobei sich ein Rand der zweiten Metallkontaktschicht (34) in Kontakt mit einer Seite der ersten Graphen-Schicht (37) befindet;eine AlO3-Schicht (33), die auf der SiO2-Schicht (32) angeordnet ist, wobei ein zweites Detektorelement (36) in einem Loch über der ersten Graphen-Schicht (37) eingebettet ist;eine zweite Graphen-Schicht (38), die auf dem zweiten Detektorelement (36) angeordnet ist; undeine dritte Metallkontaktschicht (35), die auf der AlO3-Schicht (33) benachbart zu der zweiten Graphen-Schicht (38) angeordnet ist, wobei sich ein Rand der dritten Metallkontaktschicht (35) in Kontakt mit einer Seite der zweiten Graphen-Schicht (38) befindet,wobei ein Material des ersten Detektorelements (39) sensitiv für ein anderes Wellenlängenband des elektromagnetischen Spektrums ist als ein Material des zweiten Detektorelements (36).

公开(公告)号：DE112019000533T5

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE112019000533

申请日：2019-01-15

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  LEE KO-TAO ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA

IPC: A61N5/06

Abstract: Sonden enthalten einen Sondenkörper, der zum Eindringen in biologisches Gewebe geeignet ist. Innerhalb des Sondenkörpers sind Hochleistungs-Lichtquellen angeordnet. Jede Hochleistungs-Lichtquelle hat eine ausreichend hohe optische Ausgangsleistung zum Auslösen einer lichtempfindlichen Reaktion in benachbarten Geweben und die Ausgangsleistung hingegen nicht so hoch sein darf, dass eine gesamte Wärmemenge mehrerer Lichtquellen zu einem störenden Temperaturanstieg in den benachbarten Geweben führen könnte.

公开(公告)号：DE112018005625T5

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE112018005625

申请日：2018-11-16

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  LEE YUN SEOG ,  DE SOUZA JOEL ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L21/822

Abstract: Es wird eine Halbleiterstruktur bereitgestellt, welche eine nichtflüchtige Batterie enthält, die eine Gate-Vorspannung steuert und einen erhöhten Erhalt der Ausgabespannung und eine erhöhte Spannungsauflösung aufweist. Die Halbleiterstruktur kann ein Halbleitersubstrat umfassen, welches mindestens eine Kanalzone umfasst, die zwischen Source/Drain-Zonen positioniert ist. Auf der Kanalzone des Halbleitersubstrats ist ein Gate-Dielektrikumsmaterial angeordnet. Auf dem Gate-Dielektrikumsmaterial ist ein Batteriestapel angeordnet. Der Batteriestapel umfasst einen Kathodenstromkollektor, der auf dem Gate-Dielektrikumsmaterial angeordnet ist, ein Kathodenmaterial, das auf dem Kathodenstromkollektor angeordnet ist, ein erstes lonendiffusionsbarrieren-Material, das auf dem Kathodenmaterial angeordnet ist, einen Elektrolyten, der auf dem ersten Ionendiffusionsbarrieren-Material angeordnet ist, ein zweites lonendiffusionsbarrieren-Material, das auf dem Elektrolyten angeordnet ist, eine Anodenzone, die auf dem zweiten lonendiffusionsbarrieren-Material angeordnet ist, und einen Anodenstromkollektor, der auf der Anodenzone angeordnet ist.

公开(公告)号：DE112018005615T5

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE112018005615

申请日：2018-11-26

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  TANG JIANSHI ,  LI NING

IPC: H01L27/146

Abstract: Ein vertikal integrierter multispektraler bildgebender Sensor weist Folgendes auf: eine erste Metallkontaktschicht auf einem Substrat, eine SiO-Schicht auf der ersten Metallkontaktschicht, wobei ein erstes Detektorelement in einem Loch in dieser eingebettet ist, eine erste Graphen-Schicht, die das erste Detektorelement bedeckt, eine zweite Metallkontaktschicht auf der SiO-Schicht auf einer Seite des ersten Graphens, eine AlO-Schicht auf der SiO-Schicht, in der ein zweites Detektorelement in einem Loch über der ersten Graphen-Schicht eingebettet ist, eine zweite Graphen-Schicht auf dem zweiten Detektorelement sowie eine dritte Metallkontaktschicht auf der AlO-Schicht benachbart zu der zweiten Graphen-Schicht. Das erste Detektormaterial ist sensitiv für ein anderes Wellenlängenband des elektromagnetischen Spektrums als das zweite Detektormaterial.

公开(公告)号：DE112018005416T5

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：DE112018005416

申请日：2018-11-02

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  LI NING ,  LEE KO-TAO ,  SADANA DEVENDRA ,  YU ROY

IPC: A61B5/00

Abstract: Es werden technische Lösungen zum Realisieren einer Optogenetikbehandlung unter Verwendung einer Sonde und einer Sondensteuerung beschrieben. Eine Sondensteuerung steuert eine Sonde, das Verfahren durchzuführen, welches Emittieren einer Lichtwelle durch eine Lichtquelle der Sonde umfasst, wobei die Sonde in ein Gewebe einbettbar ist, um mit einer entsprechenden Chemikalie in einer oder mehreren Zellen in dem Gewebe zu interagieren. Das Verfahren umfasst ferner Aufnehmen einer Spektroskopie der Lichtwelle, die mit der entsprechenden Chemikalie interagiert, durch einen Sensor der Sonde. Das Verfahren umfasst ferner Senden der Spektroskopie an ein Analysesystem durch die Sonde. Das Verfahren umfasst ferner Empfangen angepasster Parameter für die Lichtquelle von dem Analysesystem durch die Sonde und Anpassen von Einstellungen der Lichtquelle gemäß den empfangenen angepassten Parametern durch eine Steuerung der Sonde, um eine andere Lichtwelle zum Interagieren mit der entsprechenden Chemikalie zu emittieren.

公开(公告)号：DE112018004549T5

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：DE112018004549

申请日：2018-09-21

Applicant: IBM

Inventor： DE SOUZA JOEL PEREIRA ,  LI NING ,  YAO YAO ,  SADANA DEVENDRA ,  LEE YUN SEOG

IPC: H01L31/109 ,  H01L33/00

Abstract: Eine Halbleitereinheit wird gebildet unter Verwendung einer n-Schicht von Zinkoxid, einer p-Schicht, die aus einem Material mit schmaler Bandlücke gebildet wird. Für das Material mit schmaler Bandlücke werden ein Element der Gruppe 3A und ein Element der Gruppe 5A verwendet. Zwischen der n-Schicht und der p-Schicht wird ein Übergang gebildet, wobei der Übergang als eine Heteroübergangsdiode zu betreiben ist, die eine Gleichrichtereigenschaft in einem Temperaturbereich aufweist, wobei der Temperaturbereich eine Obergrenze bei Raumtemperatur aufweist.

公开(公告)号：DE102016105066B4

公开(公告)日：2019-09-05

申请号：DE102016105066

申请日：2016-03-18

Applicant: IBM

Inventor： CAI JIN ,  LEOBANDUNG EFFENDI ,  LI NING ,  NING TAK H ,  PLOUCHART JEAN-OLIVIER ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L27/14 ,  G02B6/12 ,  G02B6/43 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01S5/026 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30

Abstract: Halbleiterstruktur, die aufweist:wenigstens eine elektronische Einheit, die sich auf einem Teilbereich eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrats (8) befindet, wobei die wenigstens eine elektronische Einheit wenigstens einen Bipolartransistor (BJT) aufweist; undphotonische Einheiten, die in einem weiteren Teilbereich des SOI-Substrats (8) eingebettet sind, wobei die photonischen Einheiten aufweisen:einen dielektrischen Wellenleiter, der einen unteren dielektrischen Mantel-Teilbereich (22), einen Kern-Teilbereich (24), der auf dem unteren dielektrischen Mantel-Teilbereich (22) vorhanden ist, sowie einen oberen dielektrischen Mantel-Teilbereich (26) aufweist, der auf dem Kern-Teilbereich (24) vorhanden ist; undeine optoelektronische Einheit, die mit dem dielektrischen Wellenleiter kantengekoppelt ist, wobei die optoelektronische Einheit eine aktive Schicht (64) aufweist, die lateral zu dem Kern-Teilbereich (24) des dielektrischen Wellenleiters ausgerichtet ist.

公开(公告)号：DE102016205000A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016205000

申请日：2016-03-24

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  CHENG CHENG-WEI ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA ,  SAENGER KATHERINE

IPC: H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Durchführen von Spalling eines Halbleitersubstrats, bei dem eine Ablöse-Schicht zwischen einem Handhabungssubstrat und einer Stressor-Schicht verwendet wird. Die Ablöse-Schicht wird unter Verwendung einer Flüssigkeit entfernt, die das durch ein Spalling erhaltene Halbleitersubstrat nicht schädigt.

公开(公告)号：DE102013209513A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013209513

申请日：2013-05-22

Applicant: IBM ,  KING ABDULAZIZ CITY SCI & TECH

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  ALHOMOUDI IBRAHIM ,  LI NING

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04

Abstract: Verfahren zum Abtrennen lokaler Gebiete eines Basissubstrats unter Verwendung von wenigstens einem Teilbereich einer Stressorschicht, der sich auf einem Teilbereich einer obersten Oberfläche eines Basissubstrats befindet, jedoch nicht auf der gesamten. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Basissubstrats mit einer gleichmäßigen Dicke und einer planaren obersten Oberfläche, die sich über eine Gesamtheit des Basissubstrats hinweg erstreckt. Wenigstens ein Teilbereich der Stressorschicht, der eine Form aufweist, wird auf wenigstens einem Teilbereich der obersten Oberfläche des Basissubstrats gebildet, jedoch nicht auf der gesamten. Es wird ein Abtrennen durchgeführt, das einen Teilbereich einer Materialschicht von dem Basissubstrat entfernt und einen verbleibenden Teilbereich des Basissubstrats bereitstellt. Der Teilbereich der Materialschicht weist die Form des wenigstens einen Teilbereichs der Stressorschicht auf, während der verbleibende Teilbereich des Basissubstrats wenigstens eine darin befindliche Öffnung aufweist, die mit der Form der wenigstens einen Stressorschicht korreliert.

公开(公告)号：AU2020384653A1

公开(公告)日：2022-04-21

申请号：AU2020384653

申请日：2020-11-10

Applicant: IBM

Inventor： HOLMES STEVEN ,  BEDELL STEPHEN ,  HART SEAN ,  SADANA DEVENDRA ,  LI NING ,  GUMANN PATRYK

IPC: H01L27/18 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/00 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: A quantum computing device is fabricated by forming, on a superconductor layer (410), a first resist pattern defining a device region and a sensing region within the device region. The superconductor layer within the sensing region is removed, exposing a region of a first surface of an underlying semiconductor layer (340) outside the device region. The exposed region of the semiconductor layer is implanted, forming an isolation region surrounding the device region. The sensing region and a portion of the device of the superconductor layer are exposed. A sensing region contact (202) is formed by coupling the first surface of the semiconductor layer with a first metal layer. A nanorod contact (206, 212) using the first metal within the portion of the device region outside the sensing region is formed. By depositing a second metal layer on a second surface of the semiconductor layer within the sensing region, a tunnel junction gate (204) is formed.